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本发明目的在于提供能够在保护基底层的同时去除对含硅膜进行蚀刻时产生的反应产物的等离子体处理方法。提供一种等离子体处理方法，其为使用形成有蚀刻图案的蚀刻掩模对形成于基板上的含硅膜进行处理的等离子体处理方法，其包括去除工序：通过由含有卤素、氢气...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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