本发明提供一种填充沟道的方法和处理装置。一种填充沟道的方法，其是对形成在被处理体的绝缘膜上的沟道进行填充的方法，其包括如下工序：沿着划分出沟道的壁面形成含有杂质的第1非晶硅膜；在第1非晶硅膜上形成第2非晶硅膜；在形成第2非晶硅膜后对被处...

本发明涉及太阳能电池模块的效能监视系统及其监视方法，上述太阳能电池模块的效能监视系统具备：参考模块，其为太阳光发电模块，其表面总是被保持为清洁的状态；评价模块，其为太阳光发电模块，其表面因实际的环境而被灰尘覆盖；两个最大电力点追随装置，...

本发明提供一种具有能够容易地应对高输出化的高频电源的等离子体处理装置。本发明的第一高频电源部(65)具有电源控制部(130)、高频电源(140)和合成器(150)。多个放大部(142)彼此并联地连接到合成器(150)上，合成器(150)...

本发明提供一种能够以较高的去除率去除附着于基板表面的微粒的技术。取得与附着于作为基板的晶圆(W)的微粒(100)有关的、包括粒径在内的微粒信息(74)，根据该微粒信息(74)来调整与清洗用气体的作为原子或分子的聚集体的气体团簇(200)...

本发明提供与对被处理基板供给处理液的处理液供给喷嘴连接的液体处理装置，其包括：将处理液存储容器和该处理液供给喷嘴连接的供给管路；设置于供给管路的过滤器装置；过滤器装置的二次侧的泵；将泵的排出侧和过滤器装置的吸入侧连接的循环管路；在泵的二...

本发明提供一种能够使基板的温度快速上升、并且能够减少热能的损失的基板载置台的温度控制系统。基座的制冷剂循环系统包括制冷剂供给装置、高温介质储存罐和第一阀组，该基座内置有加热器单元和热介质流路、且载置被实施等离子蚀刻处理的晶圆，上述制冷剂...

提供成膜装置的清洁方法以及成膜装置。成膜装置的清洁方法具备：第一工序，对处理室的内部以及收容在处理室的内部的部件进行清洁；第二工序，对处理室的内部以及部件各自的下部进行清洁；以及第三工序，对气体供给路径的内部进行清洁。在上述第一工序中，...

本发明的目的在于提供能够应用以大流量使用处理气体的处理的真空装置和阀控制方法。在等离子体处理装置中，与处理容器连接的排气管中，在4个第一排气管中，将APC阀设定为开度300（30%），在剩下的4个第二排气管中，将APC阀设定为开度100...

在一实施方式的成膜装置中，载置台被设置成能够以轴线为中心旋转。收容载置台的处理室包括第1区域以及第2区域。伴随着载置台的旋转，该载置台的基板载置区域相对于轴线在周向移动，并依次通过第1区域以及第2区域。第1气体供给部从被设置成与载置台对...

等离子体处理方法和等离子体处理装置。能够抑制由附着于腔室的内部的含Ti膜导致的蚀刻特性的经时变差。等离子体处理方法包括：蚀刻工序、改性工序、第1去除工序和第2去除工序。蚀刻工序：将配置于腔室的内部的被处理体上所形成的、具有规定的图案的T...

本发明提供能够在对显影后的基板进行清洗时抑制形成抗蚀剂图案的壁部的倒塌和上述图案的线宽度的变化的技术。进行以下工序：为了形成抗蚀剂图案而向曝光后的基板的表面供给显影液的显影工序；接着，向上述基板的该表面供给清洗液、从基板除去由于上述显影...

本发明提供一种用于擦拭附着在狭缝喷嘴的喷出口和喷嘴侧面的处理液的擦拭垫(49)，其中，该擦拭垫(49)包括：刮除边(49d1)，其以与上述喷出口的长边方向交叉、并能够与上述喷出口和上述喷嘴侧面相抵接的方式设置；以及导出路径(49a)，其...

本发明提供一种半导体制造装置的制造方法，其用于对在基板上交替地层叠相对介电常数不同的第1膜和第2膜而成的多层膜进行蚀刻，在多层膜上形成规定形状的孔等，上述半导体制造装置的制造方法包括：利用包含含溴气体、含氯气体、含碘气体的至少任一种的气...

本发明提供容纳容器内的气氛管理方法。其是处理装置中的容纳容器内的气氛管理方法，处理装置具有由分隔壁隔开的基板搬送区域和容器搬送区域，分隔壁具有利用开闭门进行开闭的搬送口；处理装置包括：容器保管架，其设于该容器搬送区域，用于暂时载置能够利...

本发明提供色素吸附装置以及色素吸附方法。在色素吸附装置中，与以往相比能够大幅度缩短色素吸附时间从而提高生产量，且能够高效地使用色素溶液而减少成本。色素吸附装置具备：收纳被处理基板(G)并形成处理空间(T)的腔室(10)、向上述处理空间供...

一种供气装置的控制方法以及基板处理系统。该供气装置具备汽化器、载气供给源以及供气通路。该供气装置的控制方法具有如下工序：向上述汽化器的原料容器的内部供给液体或者固体的原料的工序；在上述原料容器的内部使上述原料汽化来产生原料气的工序；对收...

本发明提供一种硅氧化膜的形成方法以及硅氧化膜的形成装置。一种硅氧化膜的形成方法，在该形成方法中进行一次以上组合工序，该组合工序包括如下工序：待机工序，将被处理体收纳／回收到舟皿内；装载工序，将收纳在上述舟皿内的被处理体收纳到反应室内；硅...

本发明提供一种成膜装置、气体供给装置以及成膜方法，用于降低作为基板的半导体晶圆（W）的微粒污染。在该成膜装置中，依次向真空气氛的处理容器（1）内的晶圆供给相互反应的多种反应气体，来进行成膜处理，在进行了薄膜的形成处理之后，通过使吹扫气体...

本发明提供一种半导体器件的制造方法，其对形成于衬底上的相对介电常数不同的第一膜和第二膜交替层叠而形成的多层膜，以多层膜上的光致抗蚀剂层(PR)为掩模，利用等离子体进行蚀刻，将多层膜形成为阶梯形状，该半导体器件的制造方法反复进行如下工序：...

提供层叠型半导体元件的制造方法、层叠型半导体元件及其制造装置。具备下述步骤：层叠膜形成步骤，其具有下述工序：氧化硅膜形成工序，使用三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、六甲基二硅氮烷和二乙基硅烷中的任一种在半导体基板上形成氧化硅膜；和氮化硅膜...