提供成膜装置的清洁方法以及成膜装置。成膜装置的清洁方法具备：第一工序，对处理室的内部以及收容在处理室的内部的部件进行清洁；第二工序，对处理室的内部以及部件各自的下部进行清洁；以及第三工序，对气体供给路径的内部进行清洁。在上述第一工序中，将压力设定为第一压力带，将温度设定为第一温度带，从气体供给路径供给清洁气体，在上述第二工序中，一边将压力设定为比第一压力带高的第二压力带，并使温度上升至比第一温度带高的第二温度带，一边从气体供给路径供给清洁气体，在上述第三工序中，一边将压力设定为比第二压力带低的第三压力带，并将温度维持在第二温度带，一边从气体供给路径供给清洁气体。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】提供成膜装置的清洁方法以及成膜装置。成膜装置的清洁方法具备：第一工序，对处理室的内部以及收容在处理室的内部的部件进行清洁；第二工序，对处理室的内部以及部件各自的下部进行清洁；以及第三工序，对气体供给路径的内部进行清洁。在上述第一工序中，将压力设定为第一压力带，将温度设定为第一温度带，从气体供给路径供给清洁气体，在上述第二工序中，一边将压力设定为比第一压力带高的第二压力带，并使温度上升至比第一温度带高的第二温度带，一边从气体供给路径供给清洁气体，在上述第三工序中，一边将压力设定为比第二压力带低的第三压力带，并将温度维持在第二温度带，一边从气体供给路径供给清洁气体。【专利说明】成膜装置的清洁方法以及成膜装置
本专利技术涉及一种成膜装置的清洁方法以及成膜装置。
技术介绍
在化合物半导体中，使用氮（N)作为V族元素的半导体被称为氮化物半导体。氮 化铝（A1N)、氮化镓（GaN)、氮化铟（InN)等为氮化物半导体的代表性例子。 其中，尤其是氮化镓在光学应用领域中作为蓝色发光元件而实际应用，在电子设 备应用领域中也作为使用于通信领域等的高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor :HEMT)而实际应用。 并且，氮化镓作为宽带隙半导体，具备与碳化硅（Sic)对抗的特性，对于高频特 性、绝缘击穿耐压具备碳化硅以上的潜能。据此，面向实用化的进一步扩大、例如实现高频、 高速、大功率的能够同时覆盖大范围的新设备的研究也在盛行。 作为氮化镓的成膜方法，例如已知一种氢化物气相生长法（Hydride Vapor Phase Epitaxy :HVPE)。在典型的HVPE法中，使氯化氢气体（HC1)和金属镓（Ga)在高温环境中反 应而生成三氯化镓气体（GaCl 3)，使三氯化镓气体与氨气（NH3)反应，由此使氮化镓结晶在 蓝宝石基板上气相生长。另外，该HVPE法还有时被称为卤化物气相生长法（Halide Vapor Phase Epitaxy)〇 在使氮化镓成膜的成膜装置中，也需要在成膜处理之后对成膜装置的内部（处理 室的内壁、设置于处理室内部的部件）进行清洁。这是由于，随着成膜处理，不仅在被处理 基板上，在处理室的内壁、设置于处理室内部的部件上也附着膜。以往，在使氮化镓成膜的 成膜装置的清洁方法中，使用氯气（Cl 2)来去除所附着的氮化镓。
技术实现思路
专利技术要解决的问是页 上述成膜装置是将多个被处理基板沿着水平方向排列在带加热装置的承载器 (susc印tor)上的"卧式批量型成膜装置（基板水平配置型成膜装置）"。 最近，提高生产率的要求越来越强烈。因此，如下的立式批量型成膜装置（基板 垂直配置型成膜装置）受到关注：该成膜装置通过将多个被处理基板在高度方向上重叠排 列，能够对更多的被处理基板进行处理。在以氮化镓膜为代表的化合物半导体膜的成膜中， 也正在摸索着向立式批量型成膜装置的转换。 为了通过立式批量型成膜装置来进行化合物半导体膜的成膜，课题也多。例如，与 卧式批量型成膜装置相比，立式批量型成膜装置的处理室在高度方向上纵长。在纵长的处 理室的内部坚立地配置有化合物半导体的原料气体所流动的被称为喷射器（injector)的 气体导入管。如果处理室纵长，则气体导入管在纵向上变长。因此，招致以下情况：原料气 体在气体导入管内流动的期间被热分解，在被处理基板上无法使化合物半导体膜成膜。鉴 于这种情形，本申请的专利技术人们开发出缩短了气体导入管、即气体供给路径的长度的立式 批量型成膜装置。 但是，弄清了存在以下情况：缩短了气体供给路径的长度的立式批量型成膜装置 通过现有的清洁方法不能完全去除在气体供给路径的内部附着的附着物。如果气体供给路 径为石英制，则有可能产生由附着物的附着引起的失透、即气体供给路径变脆。 并且，立式批量型成膜装置经由设置于处理室下部的开口来进行被处理基板的放 入和取出。处理室下部是使用于处理室下部的绝热的保温筒等所配置的区域，成为无助于 成膜处理的区域。因此，处理室下部尽管是与处理室上部形成一体的空间，但是温度低于处 理室上部。 处理室通常为石英制。化合物半导体、例如氮化镓对石英具有生长率温度依赖性。 也就是说，当石英的温度超过"某一温度"时，氮化镓的生长率显著下降。由于这种性质，在 处理室内，在温度低的位置附着的氮化镓厚。因此，还存在难以对处理室下部进行清洁这种 情况。处理室下部是在放入和取出被处理基板时被处理基板所经过的位置。如果在处理室 下部附着很多附着物，则除了处理室失透的可能性变高以外，微粒（particle)落在被处理 基板上的可能性也变高。 本专利技术提供一种能够去除在气体供给路径的内部、处理室下部附着的附着物的成 膜装置的清洁方法以及能够执行该清洁方法的成膜装置。 用于解决问题的方案 在本专利技术的第一方式所涉及的成膜装置的清洁方法中，该成膜装置具备：处理室， 其收容被处理基板，对上述被处理基板实施用于使化合物半导体膜成膜的成膜处理；加热 装置，其对收容在上述处理室的内部的上述被处理基板进行加热；排气装置，其能够一边将 上述处理室的内部的压力调整为处理所需的压力，一边对该处理室的内部进行排气；以及 处理气体供给机构，其具有与上述处理室的内部相连通的气体供给路径，将使用于处理的 气体供给至上述处理室的内部，该成膜装置的清洁方法具备以下工序：（1)对上述处理室 的内部以及收容在上述处理室的内部的部件进行清洁；（2)对上述处理室的内部以及上述 部件各自的下部进行清洁；以及（3)对上述气体供给路径的内部进行清洁，其中，在上述工 序（1)中，将上述处理室的内部的压力设定为第一压力带，以及将上述处理室的内部的温 度设定为可清洁温度以上的第一温度带，从上述气体供给路径供给清洁气体，在上述工序 (2)中，一边将上述处理室的内部的压力设定为比上述第一压力带高的第二压力带，并使上 述处理室的内部的温度上升至比上述第一温度带高的第二温度带，一边从上述气体供给路 径供给上述清洁气体，在上述工序（3)中，一边将上述处理室的内部的压力设定为比上述 第二压力带低的第三压力带，并将上述处理室的内部的温度维持在上述第二温度带，一边 从上述气体供给路径供给上述清洁气体。 在本专利技术的第二方式所涉及的成膜装置的清洁方法中，该成膜装置具备：处理室， 其收容被处理基板，对上述被处理基板实施用于使化合物半导体膜成膜的成膜处理；加热 装置，其对收容在上述处理室的内部的上述被处理基板进行加热；排气装置，其能够一边将 上述处理室的内部的压力调整为处理所需的压力，一边对该处理室的内部进行排气；以及 处理气体供给机构，其具有与上述处理室的内部相连通的气体供给路径，将使用于处理的 气体供给至上述处理室的内部，该成膜装置的清洁方法具备以下工序：（1)对上述处理室 的内部以及收容在上述处理室的内部的部件进行清洁；（2)对上述处理室的内部以及上述 部件各自的下部进行清洁；以及（3)对上述气体供给路径的内部进行清洁，其中，在上述 工序（1)中，一边将上述处理室的内部的压力设定为第一压力带，并使上述处理室的内部 的温度从本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种成膜装置的清洁方法，该成膜装置具备：处理室，其收容被处理基板，对上述被处理基板实施用于使化合物半导体膜成膜的成膜处理；加热装置，其对收容在上述处理室的内部的上述被处理基板进行加热；排气装置，其能够一边将上述处理室的内部的压力调整为处理所需的压力，一边对该处理室的内部进行排气；以及处理气体供给机构，其具有与上述处理室的内部相连通的气体供给路径，将使用于处理的气体供给至上述处理室的内部，该成膜装置的清洁方法具备以下工序：(1)对上述处理室的内部以及收容在上述处理室的内部的部件进行清洁；(2)对上述处理室的内部以及上述部件各自的下部进行清洁；以及(3)对上述气体供给路径的内部进行清洁，其中，在上述工序(1)中，将上述处理室的内部的压力设定为第一压力带，以及将上述处理室的内部的温度设定为可清洁温度以上的第一温度带，从上述气体供给路径供给清洁气体，在上述工序(2)中，一边将上述处理室的内部的压力设定为比上述第一压力带高的第二压力带，并使上述处理室的内部的温度上升至比上述第一温度带高的第二温度带，一边从上述气体供给路径供给上述清洁气体，在上述工序(3)中，一边将上述处理室的内部的压力设定为比上述第二压力带低的第三压力带，并将上述处理室的内部的温度维持在上述第二温度带，一边从上述气体供给路径供给上述清洁气体。...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：梅泽好太，渡边要介，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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