基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够在对显影后的基板进行清洗时抑制形成抗蚀剂图案的壁部的倒塌和上述图案的线宽度的变化的技术。进行以下工序：为了形成抗蚀剂图案而向曝光后的基板的表面供给显影液的显影工序；接着，向上述基板的该表面供给清洗液、从基板除去由于上述显影而产生的残渣的清洗工序；接着，向上述基板的表面供给置换液、利用上述置换液置换上述基板上的清洗液的置换工序，其中，该置换液的表面张力为50mN/m以下，含有浸透抑制剂，以抑制对构成上述抗蚀剂图案的抗蚀剂的壁部的浸透；和接着，使上述基板旋转并且向基板的中心部供给气体而形成干燥区域，利用离心力使上述干燥区域扩展至基板的周缘部，由此使基板的表面干燥的干燥工序。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供能够在对显影后的基板进行清洗时抑制形成抗蚀剂图案的壁部的倒塌和上述图案的线宽度的变化的技术。进行以下工序：为了形成抗蚀剂图案而向曝光后的基板的表面供给显影液的显影工序；接着，向上述基板的该表面供给清洗液、从基板除去由于上述显影而产生的残渣的清洗工序；接着，向上述基板的表面供给置换液、利用上述置换液置换上述基板上的清洗液的置换工序，其中，该置换液的表面张力为50mN/m以下，含有浸透抑制剂，以抑制对构成上述抗蚀剂图案的抗蚀剂的壁部的浸透；和接着，使上述基板旋转并且向基板的中心部供给气体而形成干燥区域，利用离心力使上述干燥区域扩展至基板的周缘部，由此使基板的表面干燥的干燥工序。【专利说明】基板处理方法和基板处理装置
本专利技术涉及对被显影而形成有抗蚀剂图案的基板进行处理的基板处理方法、基板 处理装置和存储有实施上述方法的计算机程序的存储介质。
技术介绍
在对半导体晶片（以下称为"晶片"）进行的光刻工序中，在晶片的表面形成抗蚀剂 膜，在上述抗蚀剂膜沿规定的图案被曝光之后被显影，从而在该抗蚀剂膜形成抗蚀剂图案。 然后，为了将因上述显影而产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，其特征在于，包括：为了形成抗蚀剂图案而向曝光后的基板的表面供给显影液的显影工序；接着，向所述基板的该表面供给清洗液、从基板除去因所述显影而产生的残渣的清洗工序；接着，向所述基板的表面供给置换液、利用所述置换液置换所述基板上的清洗液的置换工序，其中，该置换液的表面张力为50mN/m以下，含有浸透抑制剂，以抑制对构成所述抗蚀剂图案的抗蚀剂的壁部的浸透；和接着，使所述基板旋转并且对基板的中心部供给气体而形成干燥区域，利用离心力使所述干燥区域扩展至基板的周缘部，由此使基板的表面干燥的干燥工序。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：田中启一，吉原孝介，井关智弘，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP