等离子体处理用设备和等离子体处理用方法技术

一种等离子体处理用设备，其包括：处理容器，其设置有用于载置基体的载置台；第一气体供给单元，其被构造成将第一气体供给至处理容器；第一等离子体产生单元，其被构造成将第一气体的至少一部分转化成第一等离子体；第二气体供给单元，其被构造成将第二气体供给至处理容器；和第二等离子体产生单元，其被构造成将第二气体的至少一部分转化成第二等离子体。第二气体的入口距离载置台的高度低于第一气体的入口距离载置台的高度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
诸如LSI (大规模集成电路)和MOS (金属氧化物半导体)等的半导体装置是通过使诸如半导体晶片和玻璃基体等的基体经受诸如蚀刻、CVD (化学气相沉积)和溅射等的处理而制造的。这里，可以采用等离子体作为用于这种处理的能量源。这种等离子体处理的示例包括:等离子体蚀刻、等离子体CVD、等离子体ALD、等离子体溅射和等离子体掺杂。在制造半导体装置时，要求基体的面内处理均匀。然而，存在着很多妨碍这种均匀性的偏压。可能由于设备的器材差异或设备中的等离子体分布的不均匀性而导致这些偏压。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供一种等离子体处理用设备。该设备包括:处理容器，其设置有用于载置基体的 载置台；第一气体供给单元，其被构造成将第一气体供给至所述处理容器；第一等离子体产生单元，其被构造成将所述第一气体的至少一部分转化成第一等离子体；第二气体供给单元，其被构造成将第二气体供给至所述处理容器；和第二等离子体产生单元，其被构造成将所述第二气体的至少一部分转化成第二等离子体。在该设备中，所述第二气体的入口距离所述载置台的高度低于所述第一气体的入口距离所述载置台的高度。根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：野泽俊久，田才忠，佐佐木胜，三原直辉，松本直树，茂山和基，吉川润，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：
国别省市：