喷淋板的制造方法、喷淋板及等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种喷淋板及其制造方法、和使用了它的等离子体处理装置、处理方法及电子装置的制造方法。该喷淋板能够更完全地防止等离子体发生逆流、或在纵孔部分的等离子体激励用气体发生着火，从而可以高效地激励等离子体。喷淋板（105）配置在等离子体处理装置的处理室（102）中，为了在处理室（102）中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的纵孔（112）中安装有具有在气体流通方向上连通的气孔的多孔质气体流通体（114）。将由多孔质气体流通体（114）的连通的气孔形成的气体流通路径中的狭路的气孔直径设在10μm以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用在等离子体处理装置、特别是使用在微波等离子体处理装置中的喷淋板以及其制造方法、和使用了该喷淋板的等离子体处理装置、等离子体处理方法以及电子装置的制造方法。
技术介绍
等离子体处理工序以及等离子体处理装置对于制造近年的被称作所谓的深亚微米元件或深亚四分之一微米元件的具有O.1 μ m、或O.1 μ m以下的栅极长的超微细化半导体装置、对于制造包含液晶显示装置的高分辨率平面显示装置是不可或缺的技术。 作为用于制造半导体装置、液晶显示装置的等离子体处理装置，自以往就一直使用各种的等离子体激励方式，特别是通常使用平行平板型高频激励等离子体处理装置或电感耦合型等离子体处理装置。但是，由于上述以往的等离子体处理装置形成的等离子体不均匀，并且电子密度高的区域被限定，因此具有很难以较大的处理速度、即生产率对被处理基板整面进行均匀的处理的问题。该问题特别是在处理较大直径的基板的情况时较严重。而且在上述以往的等离子体处理装置中，存在因电子温度高而使形成在被处理基板上的半导体元件损坏、另外因飞溅到处理室壁上导致严重的金属污染等若干本质上的问题。因此在以往的等离子体处理装置中，一直难以满本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种喷淋板的制造方法，将具有一个以上的气体排出孔的陶瓷构件的生坯体、脱脂体、预烧结体或烧结体装入在对原料粉末进行成型而加工形成有纵孔的喷淋板的生坯体、脱脂体或预烧结体的上述纵孔中之后，同时烧结它们。

【技术特征摘要】
2006.06.13 JP 2006-163357;2006.07.20 JP 2006-19871.一种喷淋板的制造方法，将具有一个以上的气体排出孔的陶瓷构件的生坯体、脱脂体、预烧结体或...

【专利技术属性】
技术研发人员：桶作正广，后藤哲也，大见忠弘，石桥清隆，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，国立大学法人东北大学，
类型：发明
国别省市：