本发明提供微波处理装置和被处理体的处理方法。在微波处理装置中对被处理体进行均匀的处理。微波处理装置（1）包括：收容晶片W的处理容器（2）、微波导入装置（3）和控制部（8）。微波导入装置（3）具有生成微波的多个磁控管（31），控制部（8）...

本发明涉及一种蚀刻方法、蚀刻装置及存储媒体。本发明的课题在于，以高蚀刻速率对铜进行各向异性蚀刻，而不会使步骤及装置构成变得繁杂。本发明提供一种蚀刻方法，该蚀刻方法是在腔室内配置表面具有铜膜的基板，使腔室内成为真空状态，且向腔室内供给有机...

本发明提供成膜装置和基板处理装置。该成膜装置具有在周向上互相分隔开的处理区域，在处理区域之间配置分离气体喷嘴，自分离气体喷嘴分别供给分离气体而将处理区域相互间分隔开。此时，在比分离气体喷嘴靠旋转台的旋转方向下游侧的位置设有用于在其与旋转...

本发明提供等离子体处理装置及方法。利用分流器（44）将自共用气体源（41）供给的共用气体分支成两个系统，将分支成两个系统的共用气体导入至设于处理容器（2）的电介质窗（16）的中央的中央导入口58（55）和在基板（W）的上方沿周向排列的多...

本发明提供接合装置、接合系统及接合方法。用于抑制在与支承基板接合后的晶圆上产生翘曲、变形。用于将被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）接合起来的接合装置（30）包括：处理容器（100），其能够使内部密闭；接合部（113），其以使粘接剂介于被处...

本发明提供热处理装置、温度控制系统、热处理方法、温度控制方法。热处理装置具有：处理容器；基板保持部，该基板保持部能够在处理容器内沿一个方向以规定间隔保持多个基板；加热处理容器的加热部；以及冷却部，该冷却部包括供给气体的供给部、以及沿一个...

本发明提供一种微波处理装置及其控制方法，能够使多个微波源与处理容器之间的阻抗匹配的精度提高。微波处理装置（1）具备：收容晶片（W）的处理容器（2）；生成用于处理晶片（W）的微波并导入到处理容器（2）的微波导入装置（3）；和控制微波导入装...

本发明提供基板冷却机构、基板冷却方法和热处理装置。能够在加热多张基板的分批式的热处理装置中快速且均匀地冷却热处理后的基板。该基板冷却机构具有：筒状的热量屏蔽构件（30），屏蔽向热处理后的基板（W）辐射的辐射热，能够在插入到加热部件（12...

本发明涉及干法金属蚀刻方法。描述用于蚀刻衬底上的含铝层的方法。该方法包括由包含卤族元素的处理成分形成等离子体并将衬底暴露于等离子体以蚀刻含铝层。该方法可以附加地包括将衬底暴露于含氧环境以氧化含铝层的表面并控制含铝层的蚀刻速率。该方法还可...

本发明提供基板处理装置和成膜装置。基板处理装置具有：处理容器；用于对基板进行气体处理的多个处理区域；旋转台，其将基板载置在其上表面侧并使基板依次通过多个处理区域；反应气体供给用的气体喷嘴；分离区域；排气口；罩构件，其用于使反应气体滞留在...

本发明提供一种排气捕集器。本发明的排气捕集器具备：流入口，该流入口使来自处理装置的废气流入，该处理装置为使用处理气体对基板实施规定处理的装置；流出口，该流出口使从上述流入口流入的上述废气流出；以及多块挡板，该挡板具有：一个或多个具有第一...

本发明提供一种液处理装置，当在杯体内水平保持基板，供给药液对基板进行液处理时，该液处理装置能够抑制药液用的喷嘴的数目，并且以高的吞吐量进行处理。作为液处理列举显影处理时，准备两种显影喷嘴以能够应对两个种类的显影处理方式，对于两个方式当中...

本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该成膜装置在旋转台的旋转方向上将两个等离子体产生部互相分开设置，并且在该等离子体产生部与晶圆之间分别配置法拉第屏蔽。而且，在各个法拉第屏蔽上设有沿与各个等离子体产生部中的天线正交方向上延伸的狭缝，对于在...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在具有包括按照与基板的批次对应的处理液的每个种类准备的多个喷嘴的液体处理部的液体处理装置中，提供对于在液体处理部发生的故障能够抑制处理效率降低的技术。在一个批次的晶片的液体处理中使用的药液喷嘴发生故...

本发明提供一种基板处理装置和成膜装置。基板处理装置包括：处理容器；旋转台，其设于上述处理容器内，在其一面侧载置基板，并且该旋转台能够旋转，在用于载置上述基板的基板载置区域设有基板载置部，该基板载置部以热容量小于其他区域的热容量的方式构成...

本发明提供一种当对形成在基板上的绝缘膜进行蚀刻时能够防止在绝缘膜的底层产生氧等离子体的坏影响的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法包括：第一蚀刻工序，使绝缘膜（222）暴露于被等离子体化的处理气体中，对绝缘膜（222）进行蚀刻，直到厚度方向的中途...

本发明提供半导体装置的制造方法及半导体装置的制造系统。将检查用基板的监测图案的目标空间比例确定为不同于1∶1的比例。将光谱库的空间比例的范围确定为包含目标空间比例而不包含1∶1的空间比例的范围。对检查用基板进行规定的处理，在被处理膜上形...

提供一种温度控制方法、温度控制装置以及热处理装置，根据由分别设置在互不相同的位置的多个温度检测元件检测温度而得到的检测值，对包括分别设置在互不相同的位置的多个发热元件的、对被加热物进行加热的加热部中的上述发热元件的发热量进行控制，由此控...

提供一种膜破裂检测装置和成膜装置。本发明的膜破裂检测装置被设置于成膜装置并进行膜破裂检测操作，该成膜装置具有收容被处理体的处理容器并且将薄膜形成在被处理体的表面上，该膜破裂检测装置具备：弹性波检测单元，其被安装于该成膜装置，检测弹性波；...

本发明提供一种沟槽的填埋方法以及半导体集成电路装置的制造方法，该沟槽的填埋方法具备以下工序：在形成有沟槽的半导体基板上形成硅氧化物衬层的工序，该沟槽包含具有第1最小分离宽度的窄幅部、以及具有比上述第1最小分离宽度宽的第2最小分离宽度的宽...