接合装置、接合系统及接合方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供接合装置、接合系统及接合方法。用于抑制在与支承基板接合后的晶圆上产生翘曲、变形。用于将被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）接合起来的接合装置（30）包括：处理容器（100），其能够使内部密闭；接合部（113），其以使粘接剂介于被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）之间的方式对被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）进行按压而将被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）接合起来；交接臂（120），其作为重合基板温度调节部，用于对利用接合部（113）接合而成的重合晶圆（T）进行温度调节，接合部（113）及交接臂（120）配置在处理容器（100）内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于将被处理基板和支承基板接合起来的接合装置、具有该接合装置的接合系统、使用了上述接合装置的接合方法。
技术介绍
近年来，例如在半导体器件的制造工艺中，半导体晶圆(以下，称为“晶圆”)的大直径化不断发展。另外，在安装等特定的工序中，要求晶圆的薄型化。例如，若直接对大直径且较薄的晶圆进行输送或研磨处理，则有可能在晶圆上产生翘曲、裂纹。因此，例如为了加强晶圆，将晶圆粘贴在例如作为支承基板的晶圆、玻璃基板上。该晶圆与支承基板的粘合例如是通过使用粘合装置并使粘接剂介于晶圆与支承基板之间而进行的。粘合装置例如具有第一保持构件，其用于保持晶圆；第二保持构件， 其用于保持支承基板；加热机构，其用于对配置在晶圆与支承基板之间的粘接剂进行加热； 移动机构，其用于至少使第一保持构件或第二保持构件沿上下方向移动。并且，在该粘合装置中，向晶圆与支承基板之间供给粘接剂，在加热该粘接剂后，对晶圆和支承基板进行按压而将晶圆和支承基板接合起来(专利文献I)。之后，将与支承基板接合后的晶圆从上述粘合装置输送到例如设于粘合装置的外部的研磨处理装置，进行研磨处理。专利文献1:日本特开2008 — 182016号公报 然而，有时研磨处理后的晶圆的厚度变得在晶圆面内不均匀，局部变厚或变薄。关于该点，本专利技术的专利技术人们进行了认真调查，发现在研磨处理前的阶段，在晶圆上会产生翘曲、变形，由于在该状态下进行研磨处理而使研磨后的晶圆厚度产生偏差。因此，对该翘曲、变形进行了进一步的调查，发现该翘曲、变形是在接合后输送晶圆的过程中产生的。通常，为了不使附着于晶圆输送装置的微粒等在输送的过程中污染晶圆，用于输送晶圆的晶圆输送装置构成为极力减小在保持晶圆时的该晶圆输送装置与晶圆的接触面积。另一方面，接合后的晶圆由于加热粘接剂时的热量而成为温度较高的状态。因此，在接合后的晶圆中的、没有被晶圆输送装置保持的部分会产生翘曲或变形。因而，为了防止在接合后的晶圆上产生翘曲、变形，优选在对接合后的晶圆进行输送之前将该晶圆冷却至不会产生翘曲、变形的温度。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该点而做成的，其目的在于抑制在与支承基板接合后的晶圆上产生翘曲、变形。为了实现上述目的，本专利技术提供一种接合装置，其用于将被处理基板和支承基板接合起来，其特征在于，该接合装置包括处理容器，其能够使内部密闭；接合部，其以使粘接剂介于被处理基板和支承基板之间的方式对被处理基板和支承基板进行按压而将被处理基板和支承基板接合起来；重合基板温度调节部，其用于对利用上述接合部接合而成的重合基板进行温度调节，上述接合部及上述重合基板温度调节部配置在上述处理容器内。采用本专利技术的接合装置，由于在处理容器内配置有接合部和用于对利用该接合部接合而成的重合基板进行温度调节的重合基板温度调节部，因此，在处理容器的外部输送重合基板之前，能够将该重合基板冷却至不会产生翘曲、变形的温度。由此，能够抑制在与支承基板接合后的被处理基板上产生翘曲、变形。本专利技术的另一技术方案提供一种接合系统，其特征在于，该接合系统具有上述的接合装置，该接合系统包括接合处理站和输入输出站，该接合处理站包括上述接合装置；涂布装置，其用于在被处理基板或支承基板上涂布粘接剂；热处理装置，其用于将涂布有上述粘接剂的被处理基板或支承基板加热至规定的温度；输送区域，在其中进行用于相对于上述涂布装置、上述热处理装置及上述接合装置输送被处理基板、支承基板或重合基板的动作，该输入输出站用于相对于上述接合处理站输出或输入被处理基板、支承基板、或由被处理基板与支承基板接合而成的重合基板。 本专利技术的又一技术方案提供一种接合方法，其使用接合装置将被处理基板和支承基板接合起来，其特征在于，上述接合装置包括处理容器，其能够使内部密闭；接合部，其以粘接剂介于被处理基板和支承基板之间的方式对被处理基板和支承基板进行按压而将被处理基板和支承基板接合起来；重合基板温度调节部，其用于对利用上述接合部接合而成的重合基板进行温度调节，上述接合部及上述重合基板温度调节部配置于在上述处理容器内，上述接合方法包括以下工序接合工序，在上述接合部中对涂布有粘接剂且被加热至规定的温度的被处理基板与支承基板进行按压而将被处理基板和支承基板接合起来；温度调节工序，其在接合工序后，利用上述重合基板温度调节部来对重合基板进行温度调节。采用本专利技术，能够抑制在与支承基板相接合后的晶圆上产生翘曲、变形。附图说明图1是表示本实施方式的接合系统的概略结构的俯视图。图2是表示本实施方式的接合系统的内部概略结构的侧视图。图3是被处理晶圆与支承晶圆的侧视图。图4是表示接合装置的概略结构的横剖视图。图5是表示交接部的概略结构的俯视图。图6是表示交接臂的概略结构的俯视图。图7是表示交接臂的概略结构的侧视图。图8是表示翻转部的概略结构的俯视图。图9是表示翻转部的概略结构的侧视图。图10是表示翻转部的概略结构的侧视图。图11是表示保持臂与保持构件的概略结构的侧视图。图12是表示交接部与翻转部的位置关系的说明图。图13是表示输送部的概略结构的侧视图。图14是表示输送部配置于接合装置内的情形的说明图。图15是表示第I输送臂的概略结构的俯视图。图16是表示第I输送臂的概略结构的侧视图。图17是表示第2输送臂的概略结构的俯视图。图18是表示第2输送臂的概略结构的侧视图。图19是表示在第2保持部上形成有缺口的情形的说明图。图20是表示接合部的概略结构的纵剖视图。图21是表示接合部的概略结构的纵剖视图。图22是表示涂布装置的概略结构的纵剖视图。图23是表示涂布装置的概略结构的横剖视图。图24是表示热处理装置的概略结构的纵剖视图。图25是表示热处理装置的概略结构的横剖视图。图26是表示接合处理的主要工序的流程图。图27是表示使第I保持部上升后的情形的说明图。图28是表示第2保持部的中心部挠曲后的情形的说明图。图29是表示支承晶圆的整个接合面与被处理晶圆的整个接合面相抵接后的情形的说明图。图30是表示将被处理晶圆与支承晶圆接合后的情形的说明图。图31是表示其他实施方式的接合装置的概略结构的横剖视图。具体实施方式 以下，说明本专利技术的实施方式。图1是表示具有本实施方式的接合装置的接合系统I的概略结构的俯视图。图2是表示接合系统I的内部概略结构的侧视图。 在接合系统I中，如图3所示，例如借助粘接剂G将作为被处理基板的被处理晶圆 W与作为支承基板的支承晶圆S接合起来。以下，在被处理晶圆W中，将借助粘接剂G与支承晶圆S相接合的面称为作为表面的“接合面W/’，将与该接合面Wj相反一侧的面称为作为背面的“非接合面W/。同样，在支承晶圆S中，将借助粘接剂G与被处理晶圆W相接合的面称为作为表面的“接合面S/’，将与接合面\相反一侧的面称为作为背面的“非接合面S/，。 并且，在接合系统I中，将被处理晶圆W与支承晶圆S接合，从而形成作为重合基板的重合晶圆T。另外，被处理晶圆W是作为产品的晶圆，例如在接合面Wj上形成有多个电子电路， 并且非接合面Wn被研磨处理。另外，支承晶圆S具有与被处理晶圆W的直径相同的直径， 是用于支承该被处理晶圆W的晶圆。另外，在本实施方式中，对将晶圆用作支承基板的情况进行说明，但是，也可以使用例如玻璃基板等其他的基板。如图1所示，接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接合装置，其用于将被处理基板和支承基板接合起来，其特征在于，该接合装置包括：处理容器，其能够使内部密闭；接合部，其以使粘接剂介于被处理基板和支承基板之间的方式对被处理基板和支承基板进行按压而将被处理基板和支承基板接合起来；重合基板温度调节部，其用于对利用上述接合部接合而成的重合基板进行温度调节，上述接合部及上述重合基板温度调节部配置在上述处理容器内。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：冈田慎二，白石雅敏，出口雅敏，吉高直人，杉原绅太郎，松永正隆，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：