【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于蚀刻衬底上的含金属层的方法。
技术介绍
在半导体制造中，含金属材料很常见并且对制程集成提出难以应对的挑战。具体地，需要改进的金属蚀刻工艺。
技术实现思路
本专利技术的实施例涉及用于蚀刻衬底上的含金属层的方法。本专利技术的附加实施例涉及用于蚀刻衬底上的含铝层(例如铝、铝合金或氧化铝(AlOx))的方法。 根据一个实施例，描述用于蚀刻衬底上的含金属层的方法。该方法包括将其上形成有含铝层的衬底设置在等离子体处理系统中，由包含卤族元素的处理成分形成等离子体，并将衬底暴露于等离子体以蚀刻含铝层。该方法附加地包括将衬底暴露于含氧环境以氧化含铝层的表面并控制含铝层的蚀刻速率。根据另一实施例，描述用于蚀刻衬底上的含金属层的方法。该方法包括将其上形成有含铝层的衬底设置在等离子体处理系统中，由包括HBr以及具有化学式CxHyRz(其中R是卤族元素，X和y大于或等于一，z大于或等于零)的添加气体的处理成分形成第一等离子体，并将衬底暴露于第一等离子体以蚀刻含铝层。该方法还包括由包括HBr的处理成分形成第二等离子体，并将衬底暴露于第二等离子体以蚀刻含铝层。根据另一实施例，描...
【技术保护点】
一种用于蚀刻衬底上的含金属层的方法，其包括：将其上形成有含铝层的衬底设置在等离子体处理系统中；由包含卤族元素的处理成分形成等离子体；将所述衬底暴露于所述等离子体以蚀刻所述含铝层；和将所述衬底暴露于含氧环境以氧化所述含铝层的表面并控制所述含铝层的蚀刻速率。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大泽佑介，大竹浩人，铃木锐二，考希克·艾润·库玛，安德鲁·W·梅斯，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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