【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及一种晶体硅片湿法刻蚀用抛光液。
技术介绍
硅材料在晶体硅太阳电池的成本中占有很大比例，为了减少硅材料的用量，硅片厚度越来越薄。硅片变薄，除了要考虑生产中的碎片率，烧结后的弯曲度，还要关注电池的长波响应特性。目前，晶体硅太阳能电池背面一般由掺铝背场层、铝硅合金层铝浆烧结层组成。铝硅合金层与硅体结合紧密，两者的界面对光产生反射作用。硅片制绒以后会进行刻蚀，刻蚀所用的抛光液就显得尤为重要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶体硅片湿法刻蚀用抛光液。本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现一种晶体硅片湿法刻蚀用抛光液，其特征在于该抛光液由以下重量份的组分组成硝酸10-48份氢氟酸15-40份醋酸2-25份该抛光液由以下重量份的组分组成硝酸30份氢氟酸25份醋酸15份甘油10份还包括添加剂亚硝酸钾，所述的亚硝酸钾重量份为2-7份。本专利技术的有益效果本专利技术制备的晶体硅片湿法刻蚀用抛光液组成简单，抛光效果好，不损害硅片。具体实施例方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步说明。实施例1取重量份数的各组分，硝酸30份、氢氟酸25份、醋酸15份、甘油10份和亚硝酸钾5份。本专利技术抛光液的制备步骤(1)将氢氟酸缓慢加入到硫酸中，边混合边搅拌；(2)待步骤(I)的混合液冷却后加入醋酸，搅拌均匀；(3)向步骤(2)的混合液中加入添加剂亚硝酸钾，充分搅拌，即得到本专利技术的抛光液。实施例2取重量份数的各组分，硝酸10份、氢氟酸15份、醋酸2份、甘油7份和亚硝酸钾7份。本专利技术抛光液的制备步骤(1)将氢氟酸缓慢加入到硫酸中，...
【技术保护点】
一种晶体硅片湿法刻蚀用抛光液，其特征在于该抛光液由以下重量份的组分组成：硝酸???????????10?48份氢氟酸?????????15?40份醋酸???????????2?25份甘油???????????7?15份。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张晨，张森林，
申请(专利权)人：江苏晨电太阳能光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。