制造显示设备的方法和蚀刻溶液组合物技术

本发明专利技术公开了一种制造显示设备的方法和蚀刻溶液组合物，所述蚀刻溶液组合物用于上述方法。所述用于铜金属层/金属氧化物层的蚀刻溶液组合物用于同时蚀刻含有所述铜金属层的数据金属层和含有所述金属氧化物层的氧化物半导体层，所述蚀刻溶液组合物依次进行所述数据金属层和所述氧化物半导体层的图案形成，以便形成半导体图案和包括数据线路、源电极和漏电极的源图案。因此，本发明专利技术的组合物有效地适用于所述制造显示设备的方法，确保改善薄膜晶体管和显示设备的制造过程中的生产率和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种使用用于同时蚀刻基于铜的金属层(“铜金属层”)和由金属氧化物层组成的氧化物半导体层的蚀刻溶液组合物制造显示设备的方法 ，以及用于该方法的用于铜金属层/金属氧化物层的蚀刻溶液组合物。
技术介绍
驱动任一半导体器件和平板显示器件的代表性的电子电路为薄膜晶体管(TFT)。制造TFT的常规过程通常通过以下提供在基板上形成金属薄膜作为用于栅极和数据的布线材料，在金属薄膜的选定区域上布置光致抗蚀剂，以及用该光致抗蚀剂作为掩膜蚀刻该金属薄膜。尽管具有期望图案的单一的掩膜通常用来蚀刻一个金属层，然而近来通常仅使用一层掩膜蚀刻至少两个金属层或更多个金属层以便使价格相对较高的掩膜的使用最小化同时简化工艺。然而，即使使用单一的掩膜，如果该掩膜被应用到待蚀刻的具有不同性质的金属层，这些层经受用于金属层的不同的蚀刻模式，从而导致在减少步骤数量上有很大的困难。用于栅极和数据的布线材料通常为仅含有铜或铜合金以及具有优异的界面粘结性的附加金属氧化物层的金属薄膜，其中铜具有良好的导电性和低电阻。就这一点而言，由于两种金属层的性质不同，因此通过单一的蚀刻过程难以充分蚀刻这些金属层。
技术实现思路
因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造显示设备的方法，所述方法包括以下步骤：在基板上形成包括栅极线和栅极电极的栅极图案；在其上形成有所述栅极图案的所述基板上提供氧化物半导体层，其中所述氧化物半导体层包括金属氧化物层；在所述氧化物半导体层上提供数据金属层，其中所述数据金属层包括铜金属层；通过利用蚀刻溶液组合物同时且完全地蚀刻所述数据金属层和所述氧化物半导体层来使所述数据金属层和所述氧化物半导体层形成图案，以便形成包括半导体图案、数据线、源电极和漏电极的源图案；以及提供电连接到所述漏电极的像素电极，其中，所述蚀刻溶液组合物包括：重量百分比为0.5%至20%的过硫酸盐；重量百分比为0.01%至2%的氟化合物；重量百分比为1%至1...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张尚勋，尹暎晋，沈庆辅，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：