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一种晶体硅片湿法刻蚀用抛光液制造技术
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文档序号:8490700
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本发明公开一种晶体硅片湿法刻蚀用抛光液,其特征在于该抛光液由以下重量份的组分组成:硝酸10-48份、氢氟酸15-40份、醋酸2-25份、甘油7-15份。本发明制备的晶体硅片湿法刻蚀用抛光液组成简单,抛光效果好,不损害硅片。...
该专利属于江苏晨电太阳能光电科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏晨电太阳能光电科技有限公司授权不得商用。
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