蚀刻方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种当对形成在基板上的绝缘膜进行蚀刻时能够防止在绝缘膜的底层产生氧等离子体的坏影响的蚀刻方法。本发明专利技术的蚀刻方法包括：第一蚀刻工序，使绝缘膜（222）暴露于被等离子体化的处理气体中，对绝缘膜（222）进行蚀刻，直到厚度方向的中途；沉积物去除工序，使第一蚀刻工序结束时残存的绝缘膜（222）暴露于被氧等离子体中，去除沉积在残存的绝缘膜（222）的表面上的沉积物；和第二蚀刻工序，使残存的绝缘膜（222）暴露于被等离子体化的处理气体中，对残存的绝缘膜（222）进行蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对形成在基板上的绝缘膜进行蚀刻的方法和装置。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中，当对形成在基板上的绝缘膜进行蚀刻时，需要不对底层膜造成破坏的选择比高的蚀刻工序。例如，在双应力衬里(Dual Stress Liner)技术中，当对形成在基板上的氧化硅膜进行蚀刻时，为了不对底层的氮化硅膜造成破坏，需要进行提高了相对于氮化硅膜的氧化硅膜的选择比的蚀刻。双应力衬里(Dual Stress Liner)技术为以氮化硅膜覆盖N沟道场效应管(NChannel Field Effect Transistor),对N沟道场效应管给予拉伸应力，以氮化娃膜覆盖P·沟道场效应管，对P沟道场效应管给予压缩应力(参照专利文献I)。通过对晶体管给予应力来增大晶体管的漏极电流，因此，能够提高晶体管的性能。在该双应力衬里技术中，为了分开制作给予拉伸应力的氮化硅膜和给予压缩应力的氮化硅膜，在基板上依次叠层有(I)氧化硅膜、(2)氮化硅膜、和(3)氧化硅膜。之后，需要对(3)氧化硅膜和(2)氮化硅膜进行蚀刻的工序。蚀刻中，使用将处理气体导入气密的处理容器，使处理气体等离子化，使需要进行蚀刻的绝缘膜暴露于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小津俊久，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：
国别省市：