半导体装置的制造方法及半导体装置的制造系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体装置的制造方法及半导体装置的制造系统。将检查用基板的监测图案的目标空间比例确定为不同于1∶1的比例。将光谱库的空间比例的范围确定为包含目标空间比例而不包含1∶1的空间比例的范围。对检查用基板进行规定的处理，在被处理膜上形成监测图案。测量监测图案的尺寸。将监测图案的尺寸变换成1∶1的空间比例的被处理膜的图案的尺寸，基于变换出的被处理膜的图案的尺寸对规定的处理的处理条件进行修正。然后，以修正后的条件对晶圆进行规定的处理，在被处理膜上形成1∶1的空间比例的图案。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在例如半导体晶圆等基板上的被处理膜上形成规定的图案而制造半导体装置的方法及半导体装置的制造系统。
技术介绍
在以往的半导体装置的制造工序中，进行光刻处理，从而在晶圆上形成规定的抗蚀剂图案，在该光刻处理中依次进行例如在半导体晶圆(以下称为“晶圆”。)上涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、将该抗蚀剂膜曝光成规定的图案的曝光处理、将曝光后的抗蚀剂膜显影的显影处理等。以此抗蚀剂图案为掩膜，对晶圆上的被处理膜进行蚀刻处理，然后进行抗蚀剂膜的除去处理等，从而在被处理膜上形成规定的图案。在形成上述被处理膜的图案时，为了谋求半导体装置的进一步的高集成化，要求·该被处理膜的图案的细微化。通常，光刻处理的细微化的极限在于曝光处理所用的光的波长水平。因此，与以往相比，正在推进曝光处理的光的短波长化。然而，曝光光源的短波长化存在着技术方面和成本方面的极限，若仅依靠推进光的短波长化的方法，则处于难以形成例如数纳米级的细微的被处理膜的图案的状况。于是，提出了采用所谓的SWT (Side Wall Transfer :侧壁转印)法，即，使用例如SiO2膜等作为牺牲膜而在抗蚀剂图案的线部的两本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中圭介，守屋真知，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：
国别省市：