【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
在半导体装置的制造中，例如为了对半导体晶片等基板实施氧化、扩散、CVD(Chemical Vapor Deposition)等处理,使用各种处理装置。并且,作为上述处理装置的一种，已知有能够一次对多个被处理基板进行热处理的立式热处理装置。 热处理装置具备处理容器、晶舟、升降机构和移载机构。晶舟是在上下方向以规定间隔保持多个基板并相对于处理容器输入及输出基板的基板保持部。升降机构设置于在处理容器下方形成的装载区域，在将晶舟载置于密封处理容器开口的盖体上部的状态下使盖体上升下降，由此在处理容器和装载区域之间使晶舟升降。移载机构在输出到装载区域的晶舟和收纳多个基板的收纳容器之间对基板进行移载。另外，作为热处理装置，具备在处理容器内对保持于晶舟的基板进行加热的加热器、和从周围覆盖处理容器的护套。在护套内侧即处理容器周围设置有加热器，并且划分出供冷却处理容器的冷却气体流通的空间。并且，在例如由加热器在处理容器内对保持于晶舟的基板进行加热而进行热处理以后，当冷却基板时，通过向上述空间供给冷却气体而控制基板的冷却速度(例如，参照专利文献I)。专利文...
【技术保护点】
一种对基板进行热处理的热处理装置，其特征在于，具有：处理容器；基板保持部，该基板保持部能够在所述处理容器内沿一个方向以规定间隔保持多个基板；加热所述处理容器的加热部；以及冷却部，该冷却部包括供给气体的供给部、以及沿所述一个方向分别设置于互不相同的位置的多个供给口，通过所述供给部经由各所述供给口向所述处理容器供给气体而冷却所述处理容器，所述冷却部设置为能够独立地控制所述供给部经由各所述供给口供给气体的供给流量。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吉井弘治，山口达也，王文凌，斋藤孝规，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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