【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使导入到处理容器内的处理气体等离子化而对基板进行等离子体处理的。
技术介绍
以往以来，在半导体器件的制造领域中，经常采用利用等离子体对基板进行等离子体处理的技术。等离子体处理大致分为等离子体蚀刻和等离子体CVD (Chemical VaporDeposition :化学气相沉积)。等离子体蚀刻在形成半导体器件的微细图案这方面来说与光刻(lithography)同样是重要的基础技术。在今后的LSI (Large Scale Integration :大规模集成电路)器件中，膜的多样化与微细化同时进步，对于等离子体蚀刻，需要微细加工性能以及能够在例如300mm以上的大口径晶圆之上均匀地控制该等离子体蚀刻的技术。至今为止，作为等离子体蚀刻的等离子体源，开发了平行平板、ECR (ElectronCyclotron Resonance :电子回旋共振)、ICP( Inductive Coupled Plasma :电感偶合等离子体)等。专利文件I中，公开了作为等离子体源而使用平行平板的等离子体蚀刻装置。在该平行平板型的等离子体蚀刻装置中，在处理容器内设置一对...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.28 JP 2010-1458661.一种等离子体处理装置，其包括 处理容器，其在顶部具有供微波穿过的电介质窗，并且能够将内部保持为气密； 载置台，其设于上述处理容器的内部，用于载置基板； 缝隙天线，其设于上述处理容器的上述电介质窗的上表面，用于借助多个缝隙将微波导入至上述处理容器的处理空间； 微波产生器，其用于产生规定的频率的微波； 微波导入通路，其用于将上述微波产生器所产生的微波引导至上述缝隙天线； 处理气体导入部件，其用于将自处理气体源供给的处理气体导入至上述处理容器内；排气部件，其自比载置于上述载置台的基板的上表面靠下方的排气口对被导入至上述处理容器内的处理气体进行排气，该等离子体处理装置的特征在于， 上述处理气体源具有用于供给共用气体的共用气体源和用于供给添加气体的添加气体源， 上述处理气体导入部件具有 共用气体管线，其与上述共用气体源连接； 分流器，其设于上述共用气体管线的中途，用于将上述共用气体管线分支成两个系统，并且能够对分支成两个系统的上述共用气体的流量的比率进行调节； 中央导入部，其与分支成两个系统的分支共用气体管线之中的一个分支共用气体管线连接，且具有用于将上述共用气体供给至被载置于上述载置台的基板的中央部的中央导入Π ； 周边导入部，其与分支成两个系统的上述分支共用气体管线之中的另一个分支共用气体管线连接，且具有用于将上述共用气体供给至被载置于上述载置台的基板的周边部的、沿基板上方的周向排列的多个周边导入口； 添加气体管线，其与上述添加气体源连接，用于将上述添加气体添加至分支成两个系统的上述分支共用气体管线之中的至少一个分支共用气体管线； 流量调节部，其设于上述添加气体管线，用于调节上述添加气体的流量， 上述中央导入口配置在上述处理容器的上述电介质窗的中央部， 上述多个周边导入口配置在比上述处理容器的上述电介质窗靠下方且比载置于上述载置台的基板靠上方的位置， 上述多个周边导入口所配置的区域的等离子体的电子温度比上述中央导入口所配置的区域的等离子体的电子温度低。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于， 上述等离子体处理装置还包括控制装置，该控制装置用于对由上述分流器分支成两个系统的上述共用气体的流量的比率及由上述流量调节部调节的上述添加气体的流量进行控制。3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于， 上述多个周边导入口配置在自配置于上述电介质窗的上述中央导入口朝向基板喷射的处理气体的气流的周围，并且朝向由上述中央导入口所喷射的处理气体的气流喷射处理气体。4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：松本直树，吉川弥，濑尾康弘，加藤和行，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。