干蚀刻剂以及干蚀刻方法技术

本发明专利技术的干蚀刻剂包含(A)1,3,3,3-四氟丙烯、(B)选自由H2、O2、CO、O3、CO2、COCl2、CF3OF、COF2、NO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、HI、HBr、HCl、NO、NH3以及YFn(式中，Y表示Cl、Br或I，n表示整数，1≦n≦7)组成的组中的至少1种添加气体和(C)非活性气体。该干蚀刻剂对地球环境的影响小，可以飞跃性地拓宽工艺窗口，还可应对要求侧蚀刻率小、高深宽比的加工而无需特殊的基板的激发操作等。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及含有1，I, I, 3-四氟丙烯的干蚀刻剂以及使用其的干蚀刻方法。
技术介绍
今时今日，在半导体制造中，寻求极其微细的处理技术，干蚀刻法逐渐取代湿式法成为主流。干蚀刻法是在真空空间中产生等离子体而在物质表面上以分子水准形成微细的图案的方法。在二氧化硅(SiO2)等半导体材料的蚀刻中，为了提高SiOdg对于用作基底材料的硅、多晶硅、氮化硅等的蚀刻速度，而使用CF4、CHF3、C2F6、C3F8、C4F8等全氟碳化物(PFC)类、 氢氟碳化物(HFC)类作为蚀刻剂。这些PF·C类、HFC类均为大气寿命长的物质，具有高全球变暖潜值(GWP)，因此在京都议定书(C0P3)中成为限制排放物质。在半导体产业中，正在寻求经济性高、可微细化的GWP低的替代物质。因此，专利文献I中，作为PFC类、HFC类的替代物质，公开了将包含具有4 7个碳原子的全氟酮的反应性气体用作清洗气体或蚀刻气体的方法。然而，这些全氟酮的分解物质中包含为数不少的高GWP的PFC或包含沸点较高的物质，因此作为蚀刻气体未必是优选的。专利文献2中公开了将具有2 6个碳原子的氢氟醚用作干蚀刻气体的方法，但是与专利文献I本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.12 JP 2010-158010;2010.11.02 JP 2010-246671.一种干蚀刻剂，其包含1，3，3，3-四氟丙烯、添加气体和非活性气体。2.根据权利要求1所述的干蚀刻剂,其中,添加气体为氧化性气体或还原性气体。3.根据权利要求2所述的干蚀刻剂，其中，氧化性气体或还原性气体为选自由H2、02、 O3> CO、CO2, COCl2, COF2, CF3OF, NO2, F2, NF3> Cl2, Br2,12、CH4, C2H2, C2H4, C2H6, C3H4, C3H6, C3H8' HF、H1、HBr、HCl、NO、NH3 以及 YFn(式中，Y 表示 Cl、或 I，η 表示整数，I ^ n ^ 7)组成的组中的至少I种气体。4.根据权利要求1所述的干蚀刻剂，其中，非活性气体为选自由Ν2、He、Ar、Ne以及Kr 组成的组中的至少I种气体。5.根据权利要求1所述的干蚀刻剂，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅崎智典，日比野泰雄，毛利勇，冈本觉，菊池亚纪应，
申请(专利权)人：中央硝子株式会社，
类型：
国别省市：