【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有减少的离子流的预清洁腔室MM本专利技术的实施例一般涉及基板处理系统。置量可使用基板处理系统以在处理步骤前清洁基板，所述基板处理系统诸如是等离子体预清洁腔室。举例来说，基板可在进入等离子体预清洁腔室前例如通过如蚀刻工艺、灰化工艺或类似工艺而被处理。基板可能在进入等离子体预清洁腔室时带有残余物，可需要去除这些残余物而不导致损害基板，所述残余物诸如是蚀刻残余物、氧化物或类似物。专利技术人观察到，常规的预清洁腔室可能会在某些基板上产生损害，所述基板例如是低于65nm的介电薄膜。因此，专利技术人提供一种改良的预清洁腔室。概沭本文公开用于处理基板的设备。在某些实施例中，基板处理系统可包括处理腔室、 基板支撑件及等离子体过滤器，所述处理腔室具有用来接收等离子体的第一空间(volume) 和用来处理基板的第二空间，所述基板支撑件设置于第二空间中，所述等离子体过滤器设置于处理腔室中并且在第一空间及第二空间之间，使得形成在第一空间的等离子体可仅从第一空间经由等离子体过滤器而流进第二空间。在某些实施例中，基板处理系统包括耦接至处理腔室的处理套件，其中等离子体过滤器设置于处理套件中。在...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.25 US 61/358,701;2011.06.22 US 13/166,2131.一种基板处理系统，所述基板处理系统包括 处理腔室，所述处理腔室具有用来接收等离子体的第一空间和用于处理基板的第二空间； 基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述第二空间中；和 等离子体过滤器，所述等离子体过滤器设置于所述处理腔室中并且在所述第一空间与所述第二空间之间，使得形成于所述第一空间中的等离子体可仅从所述第一空间经由所述等离子体过滤器而流进所述第二空间。2.如权利要求1所述的基板处理系统，所述基板处理系统进一步包括 处理套件，所述处理套件耦接至所述处理腔室，其中所述等离子体过滤器设置于所述处理套件中。3.如权利要求2所述的基板处理系统，其中所述处理套件进一步包括 环，所述环具有第一外侧缘和第一内侧缘，所述第一外侧缘构造为放置于所述处理腔室的壁上； 主体，所述主体从所述环的所述第一内侧缘向下延伸，所述主体具有多个侧壁，所述侧壁限定在所述基板支撑件上方的开口，其中所述第一空间至少部分地设置于所述开口中；和 唇部，所述唇部从所述主体的所述侧壁延伸至位于所述基板支撑件上方的所述开口，其中所述等离子体过滤器被支撑在所述唇部上。4.如权利要求3所述的基板处理系统，其中所述第二空间由所述唇部、所述等离子体过滤器、所述主体和所述基板支撑件所限定。5.如权利要求3所述的基板处理系统，所述基板处理系统进一步包括 介电盖体，所述介电盖体设置于所述处理套件上方。6.如权利要求5所述的基板处理系统，其中所述第一空间由至少所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：约翰·C·福斯特，何泰宏，穆拉利·K·纳拉辛汉，傅新宇，孙达雷吉恩·阿尔温德，郭晓曦，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：
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