【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及将微波导入处理容器进行规定的处理的。
技术介绍
在半导体设备的制造过程中，对作为被处理基板的半导体晶片实施成膜处理、蚀刻处理、氧化扩散处理、改性处理、退火处理等各种的热处理。这样的热处理，通常使用具备加热用的灯或加热器的基板处理装置，将半导体晶片进行加热。但是，近年来，作为对半导体晶片实施热处理的装置，公知有代替灯或者加热器而使用微波的装置。例如，在专利文献I中，记载有使用微波能量，进行硬化、回火(anneal)(退火)、膜形成的热处理系统。另外，在专利文献2中记载有，对在表面形成有成膜材料层 的半导体晶片照射电磁波(微波)，由此对成膜材料加热形成薄膜的热处理装置。在这样的微波处理装置中，尤其，可以说能够抑制杂质的扩散并且形成浅的活性层，能够修复栅格缺损。虽并不是专利文献I和2中记载的那样的微波处理装置，专利文献3所记载的是具备多个磁控管高频振动部的微波等离子体放电处理装置。另外，在专利文献3中记载有，在该微波等离子体放电处理装置中，通过存在于磁控管高频振动部与设置有处理试样的低密度等离子体区域之间存在的高密度等离子区域来调整匹配阻抗的技术。现有技...
【技术保护点】
一种微波处理装置，其特征在于，包括：收容被处理体的处理容器；生成用于处理所述被处理体的微波并导入所述处理容器的微波导入装置；和控制所述微波导入装置的控制部，所述微波导入装置具有：生成所述微波的多个微波源；和将在所述多个微波源中生成的所述微波传送到所述处理容器的多个传送通路，能够将多个所述微波同时导入所述处理容器，所述控制部，在将多个所述微波同时导入所述处理容器的第一状态继续的期间，有选择地且暂时地切换为在所述多个微波源中的一个微波源中生成所述微波，仅将该微波导入所述处理容器的第二状态。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：芦田光利，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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