【技术实现步骤摘要】
装备有多个双腔室模块的高产量半导体加工设备
本专利技术总地涉及装备有多个双腔室模块的高产量半导体加工设备。
技术介绍
在CVD设备和用于处理诸如半导体晶片的基底的蚀刻设备的领域中,生产力或产量的提高是一个重要因素。例如,美国专利第6,074,443号阐述总共四个反应腔室。如图10中所示,设备由预清洁腔室1002和附连于具有运输机构1012的中心腔室1010的反应腔室1004、1006构成,且每个加工腔室分别包含子腔室1002A和1002B、1004A和1004B以及1006A和1006B(总共四个反应子腔室)。晶片被传递到加载锁定室1008内的晶片盒1008A和1008B。在该设备内,加工时间可缩短并且生产力可提高。然而,尽管(用于从反应腔室卸载成对的晶片/将成对的晶片加载到反应腔室并运动到下一个反应腔室上所需的)晶片传送时间变短,但由于伺服马达的操作极限、晶片(硅、玻璃等)以及用于支承晶片等的传送材料(陶瓷、金属等)之间的摩擦等,当同时传递成对的晶片时,晶片传送时间接近其极限值,例如约20秒。如上所述,尽管晶片传送时间缩短,但加工时间不会大幅缩短。例如,与减小装 ...
【技术保护点】
一种晶片加工设备,包括:位于相同平面上、具有用于加工晶片的相同容量的八个或十个反应器,所述反应器构成四个或五个分立的单元,每个单元具有两个反应器,所述反应器的前部对准在一条线上;包括两个晶片传送自动机械臂的晶片传送腔室,这些自动机械臂都具有能同时触及每个单元的所述两个反应器的至少两个终端受动器,所述晶片传送腔室具有多边形形状,所述多边形形状具有分别对应于并附连于四个或五个分立单元的四条或五条边以及用于加载锁定腔室的一条附加边,所有边设置在同一平面上;用于同时加载或卸载两个晶片的加载锁定腔室,所述加载锁定腔室附连于所述晶片传送腔室的一条附加边,其中,每个晶片传送自动机械臂能触 ...
【技术特征摘要】
2011.06.06 US 13/154,2711.一种晶片加工设备,包括:位于相同平面上、具有用于加工晶片的相同容量的八个或十个反应器,所述反应器构成四个或五个分立的单元,每个单元具有两个反应器,所述反应器的前部对准在一条线上;包括两个晶片传送自动机械臂的晶片传送腔室,这些自动机械臂都具有能同时触及每个单元的所述两个反应器的至少两个终端受动器,所述晶片传送腔室具有多边形形状,所述多边形形状具有分别对应于并附连于四个或五个分立单元的四条或五条边以及用于加载锁定腔室的一条附加边,所有边设置在同一平面上;用于同时加载或卸载两个晶片的加载锁定腔室,所述加载锁定腔室附连于所述晶片传送腔室的一条附加边,其中,每个晶片传送自动机械臂能触及所述加载锁定腔室;以及定序器,所述定序器编程为使用两个晶片传送自动机械臂来执行以下步骤:从/向所述单元中的一个卸载加工好的晶片到所述两个晶片传送自动机械臂/加载来自所述两个晶片传送自动机械臂的未加工的晶片的步骤,其中然后将所述加工好的晶片从所述两个晶片传送自动机械臂卸载到所述加载锁定腔室并将下一个未加工的晶片从所述加载锁定腔室加载到所述两个晶片传送自动机械臂,以及加工每个单元内的晶片的步骤,其中每个单元的所述卸载/加载步骤的持续时间对于所有单元是恒定的,每个单元内加工所述晶片的步骤的持续时间对于所有单元是恒定的,每个单元的所述卸载/加载步骤的持续时间与每个单元内加工所述晶片的步骤的持续时间之比对于四个分立的单元设置为1/3或对于五个分立的单元设置为1/4,从而以预设次序在所有单元中连续地重复所述卸载/加载步骤而在每个单元中所述卸载/加载步骤与所述加工步骤之间没有等待时间且当所有单元同时处于所述加工步骤时没有完整的交叠时间,由此当在所有单元中执行好所述卸载/加载步骤时完成一个循环,所述定序器还编程为连续重复所述循环。2.如权利要求1所述的晶片加工设备,其特征在于,所述定序器执行在加工位于所述单元中的一个内的所述晶片的同时从所有其它对应的单元卸载加工好的晶片/将未加工的晶片加载到所有其它对应的单元的步骤。3.如权利要求1所述的晶片加工设备,其特征在于,还包括:四个或五个分立的气体盒,所述气体盒用于控制对应于并连接至所述四个或五个分立的单元的气体,所述四个或五个分立的气体盒设置在对应的四个或五个分立的单元下方;以及四个或五个分立的电气盒,所述电气盒用于控制分别对应于且可拆卸地连接至四个或五个分立的单元的电子系统,所述四个或五个分立的电气盒设置在对应的四个或五个分立的单元下方并靠近对应的四个或五个分立的气体盒,其中,从上方看交替地设置所述气体盒和所述电气盒,且所述电气盒能不与对应的单元脱开地向外拉出,因而,能触及所述气体盒的三个侧面。4.如权利要求1所述的晶片加工设备,其特征在于,所述多边形形状是五边形或六边形。5.如权利要求3所述的晶片加工设备,其特征在于,所述电气盒在其底部具有轮脚。6.如权利要求3所述的晶片加工设备,其特征在于,所述气体盒和所述电气盒从上方看呈具有内表面和外表面的大体梯形形...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。