用于等离子体化学气相沉积反应器的喷淋板电极制造技术

用于等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）的方法与装置。特别是，具有清洗功能的等离子体ＣＶＤ装置具有改进的喷淋板，该喷淋板的孔具有相同的横截面面积以产生高清洗速度。所述喷淋板可以用作电极，并且可以具有连接到电源的导电延伸部。清洗气体和反应气源从中流过的喷淋板可以包括孔加工表面区域，该孔加工表面区域的尺寸与传统用于确保沉积过程期间良好的膜厚均匀性的区域尺寸不同。所述孔加工表面区域可以基于待处理衬底的尺寸或喷淋板的整个表面的尺寸而变化。

【技术实现步骤摘要】
用于等离子体化学气相沉积反应器的喷淋板电极0001本专利技术涉及等离子体化学气相沉积(CVD)的方法与装置。具 体地，本专利技术涉及喷淋板。
技术介绍
0002一般说来，等离子体处理装置用于形成或移除薄膜或者改良待 处理物体的表面。具体地，在半导体晶片(诸如硅或玻璃衬底)上薄膜 形成(通过等离子体CVD)或薄膜蚀刻用于制造存储器、半导体器件诸 如CPU或液晶显示器(LCD)。0003CVD装置传统上用于在硅或玻璃衬底上形成绝缘薄膜诸如氧化 硅(SiO)、氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)和碳氧化硅(SiOC)以及导电 薄膜诸如硅化钨(WSi)、氮化钛(TiN)和铝(Al)合金。要形成这些薄 膜，含有不同组分的多种反应气体被引入反应室中。在等离子体CVD装 置中，诸如通过射频或微波能量把这些反应气体激发成等离子体，并发 生化学反应从而在由基座支撑的衬底上形成预期的薄膜。0004为了进入反应室，反应气体可以在起反应以将薄膜沉积于衬底 诸如硅晶片上之前，从存储容器流过导管并流过喷淋板。喷淋板具有顶 表面和底表面，并且包括从顶表面到底表面延伸通过喷淋板的多个孔。 不同气体包括反应气体和清洗气体，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理晶片后利用远程等离子体放电装置清洗等化学气相沉积处理腔室的方法，所述方法包括：　从所述腔室中的基座中移除经处理的晶片；　将清洗气体供给到远程等离子体放电装置；　利用等离子体能量激活远程等离子体放电装置中的所述清洗气 体；以及　将激活后的清洗气体传送到所述腔室内并且通过面向所述基座的喷淋板的多个孔，所述孔完全通过所述喷淋板延伸，所述孔每个具有相同的横截面面积，其中具有所有所述孔的所述喷淋板的最小圆形区域的直径是所述晶片的直径的０．９５到１．０５倍。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：H弗库达，R纳卡诺，
申请(专利权)人：ASM日本公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]