本发明专利技术提供一种成膜装置、基板处理装置及等离子体产生装置。基板处理装置包括：真空容器，其用于容纳基板；载置台；等离子体产生气体供给部；天线，其用于利用电感耦合来使等离子体产生用气体等离子体化，绕纵向的轴线卷绕而成；法拉第屏蔽件，其用于阻止在天线的周围产生的电磁场中的电场成分通过，由接地的导电性的板状体构成，法拉第屏蔽件包括：狭缝组，其用于使电磁场中的磁场成分通过而到达基板侧；窗部，其在板状体的被狭缝组包围的区域开口，用于确认等离子体的发光状态，在窗部与狭缝组之间，以该窗部与狭缝不连通的方式设有包围窗部的、接地的导电通路，在狭缝组的与窗部侧相反的一侧的端部，以包围该狭缝组的方式设有接地的导电通路。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于对基板进行等离子体处理的成膜装置、基板处理装置及等离子体产生装置。
技术介绍
作为对半导体晶圆等基板(以下称为“晶圆”)进行例如氧化硅膜(SiO2)等薄膜的成膜的方法之一，可列举出按顺序将互相反应的多种处理气体(反应气体)供给到晶圆表面而层叠反应生成物的ALD (Atomic Layer Deposition)法。作为利用该ALD法进行成膜处理的成膜装置，例如，如专利文献I所记载的那样，公知有如下的装置使多张晶圆在设于·真空容器内的旋转台上沿着周向排列，并且例如使旋转台相对于以与旋转台相对的方式配置的多个气体供给部进行相对旋转，从而按顺序向上述晶圆供给各处理气体。·但是，在ALD法中，与通常的CVD (Chemical Vapor Deposition)相比，由于晶圆的加热温度(成膜温度)是例如300°C左右的较低的温度，因此，例如有时处理气体中所含有的有机物等作为杂质混入到薄膜中。因此，例如，如专利文件2所记载的那样，想到通过进行薄膜的成膜的同时使用等离子体进行改性处理，能够从薄膜中去除这样的杂质或减少杂质。但是，若欲在上述的成膜装置之外另行设置用于进行等离子体处理的装置来进行改性处理，则有时与在上述的成膜装置和用于进行等离子体处理的装置之间输送晶圆的时间相应地产生时间损失而导致生产率降低。另一方面，在将用于产生等离子体的等离子体源组合设置在成膜装置中而一边进行成膜处理一边进行改性处理或在成膜处理结束后进行改性处理的情况下，有可能因等离子体而对在晶圆的内部形成的布线结构造成电损伤。因此，若为了抑制等离子体对晶圆造成的损伤而使等离子体源与晶圆分开，则在进行成膜处理的压力条件下，等离子体中的离子、自由基等活性种容易发生失活，因此，有可能活性种难以到达晶圆而不能进行良好的改性处理。在专利文献3 5中，记载了利用ALD法进行薄膜的成膜的装置，但是没有记载上述问题。专利文献I :日本特开2010 - 239102专利文献2 :日本特开2011 — 40574专利文献3 :美国专利公报7，153，542号专利文献4 :日本专利3144664号公报专利文献5 :美国专利公报6，869，641号
技术实现思路
本专利技术是鉴于这种情况而提出的，其目的在于提供一种能够在对基板进行等离子体处理时抑制等离子体对基板造成的损伤的成膜装置、基板处理装置及等离子体产生装置。更详细地说，根据本专利技术的实施例，一种成膜装置，其在真空容器内进行多次按顺序供给第一处理气体和第二处理气体的循环而对基板进行成膜处理，其特征在于，该成膜装置包括旋转台，在其一个面侧形成有用于载置基板的基板载置区域，该旋转台能够使上述基板载置区域在上述真空容器内公转；第一处理气体供给部和第二处理气体供给部，其用于向在该旋转台的周向上彼此借助分离区域而分开的区域分别供给第一处理气体和第二处理气体；等离子体产生气体供给部，其为了对基板进行等离子体处理而向上述真空容器内供给等离子体产生用气体；天线，为了利用电感耦合来使等离子体产生用气体等离子体化，该天线以与上述基板载置区域相对的方式设置且以绕纵向的轴线进行卷绕而成；法拉第屏蔽件，为了阻止在上述天线的周围产生的电场和磁场中的电场成分通过，该法拉第屏蔽件以介于上述天线与基板之间的方式设置且由接地的导电性的板状体构成，上述法拉第屏蔽件包括狭缝，为了使在上述天线的周围产生的电场和磁场中的磁场成分通过而到 达基板侧，该狭缝形成于上述板状体，该狭缝分别在与上述天线的卷绕方向正交的方向上延伸，并且沿该天线的卷绕方向排列；窗部，其在上述板状体中的被上述狭缝包围的区域开口，用于确认等离子体的发光状态，在上述窗部与上述狭缝之间，以包围上述窗部的方式设有接地的导电通路，使该窗部与上述狭缝不连通，在上述狭缝的与上述窗部侧相反的一侧的端部，以包围该狭缝的方式设有接地的导电通路。一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置包括真空容器，其用于容纳基板；载置台，在其一个面侧形成有用于载置基板的基板载置区域；等离子体产生气体供给部，其为了对基板进行等离子体处理而向上述真空容器内供给等离子体产生用气体；天线，为了利用电感耦合来使等离子体产生用气体等离子体化，该天线以与上述基板载置区域相对的方式设置且以绕纵向的轴线进行卷绕而成；法拉第屏蔽件，为了阻止在上述天线的周围产生的电场和磁场中的电场成分通过，该法拉第屏蔽件以介于上述天线与基板之间的方式设置且由接地的导电性的板状体构成，上述法拉第屏蔽件包括狭缝，为了使在上述天线的周围产生的电场和磁场中的磁场成分通过而到达基板侧，该狭缝形成于上述板状体上，该狭缝分别在与上述天线的卷绕方向正交的方向上延伸，并且沿该天线的卷绕方向排列；窗部，其在上述板状体上的被上述狭缝包围的区域开口，用于确认等离子体的发光状态，在上述窗部与上述狭缝之间，以包围上述窗部的方式设有接地的导电通路，使该窗部与上述狭缝不连通，在上述狭缝的与上述窗部侧相反的一侧的端部，以包围该狭缝的方式设有接地的导电通路。一种等离子体产生装置，其能产生用于对基板进行等离子体处理的等离子体，其特征在于，该等离子体产生装置包括天线，为了利用电感耦合来使等离子体产生用气体等离子体化，该天线以与基板相对的方式设置且以绕从该基板朝向用于供给等离子体产生用气体的区域延伸的轴线进行卷绕而成；法拉第屏蔽件，为了阻止在上述天线的周围产生的电场和磁场中的电场成分通过，该法拉第屏蔽件以介于上述天线与基板之间的方式设置且由接地的导电性的板状体构成，上述法拉第屏蔽件包括狭缝，为了使在上述天线的周围产生的电场和磁场中的磁场成分通过而到达基板侧，该狭缝形成于上述板状体，并分别在与上述天线的卷绕方向正交的方向上延伸，并且沿该天线的卷绕方向排列；窗部，其在上述板状体的被上述狭缝包围的区域开口，用于确认等离子体的发光状态，在上述窗部与上述狭缝之间，以包围上述窗部的方式设有接地的导电通路，使该窗部与上述狭缝不连通，在上述狭缝的与上述窗部侧相反的一侧的端部，以包围该狭缝的方式设有上述接地的导电通路。并且，对于本专利技术的目的与优点，一部分记载于说明书中，一部分是通过说明书可以想到的。本专利技术的目的与优点能够通过权利要求书中所述的技术方案与技术方案组合来实现和完成。上述简单的记载与下述的详细的说明是作为示例来说明的，并不用于限定本专利技术。附图说明 图I是表示本专利技术的成膜装置的一个例子的纵剖视图。图2是上述成膜装置的横剖俯视图。图3是上述成膜装置的横剖俯视图。图4是表示上述成膜装置的内部的一部分的分解立体图。图5是表示上述成膜装置的内部的一部分的纵剖视图。图6是表示上述成膜装置的内部的一部分的立体图。图7是表示上述成膜装置的内部的一部分的纵剖视图。图8是表示上述成膜装置的内部的一部分的俯视图。图9是表示上述成膜装置的法拉第屏蔽件的立体图。图10是表示上述法拉第屏蔽件的一部分的立体图。图11是表示上述成膜装置的侧环的分解立体图。图12是表示上述成膜装置的迷宫式结构部的一部分的纵剖视图。图13是表示上述成膜装置中的气体的流动的示意图。图14是表示上述成膜装置中的等离子体的产生情况的示意图。图15是表示上述成膜装置的另一例子的纵剖视图。图16是表示上述成膜装置的又一例子的横剖俯视图。图17是本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种成膜装置，其在真空容器内进行多次按顺序供给第一处理气体和第二处理气体的循环而对基板进行成膜处理，其特征在于，该成膜装置包括：旋转台（2），在其一个面侧形成有用于载置基板的基板载置区域（24），该旋转台（2）能够使上述基板载置区域在上述真空容器（1）内公转；第一处理气体供给部（31）和第二处理气体供给部（32），其用于向在该旋转台的周向上彼此借助分离区域而分开的区域分别供给第一处理气体和第二处理气体；等离子体产生气体供给部（34），其为了对基板（W）进行等离子体处理而向上述真空容器内供给等离子体产生用气体；天线（83），为了利用电感耦合来使等离子体产生用气体等离子体化，该天线（83）以与上述基板载置区域（24）相对的方式设置且以绕纵向的轴线进行卷绕而成；法拉第屏蔽件（95），为了阻止在上述天线（83）的周围产生的电场和磁场中的电场成分通过，该法拉第屏蔽件（95）以介于上述天线（83）与基板（W）之间的方式设置且由接地的导电性的板状体构成，上述法拉第屏蔽件（95）包括：狭缝（97），为了使在上述天线的周围产生的电场和磁场中的磁场成分通过而到达基板侧，该狭缝（97）形成于上述板状体（95x），该狭缝（97）分别在与上述天线（83）的卷绕方向正交的方向上延伸，并且沿该天线的卷绕方向排列；窗部（98），其在上述板状体（95x）中的被上述狭缝（97）包围的区域开口，用于确认等离子体的发光状态，在上述窗部与上述狭缝（97）之间，以包围上述窗部（98） 的方式设有接地的导电通路（97a），使该窗部与上述狭缝不连通，在上述狭缝（97）的与上述窗部侧相反的一侧的端部，以包围该狭缝（97）的方式设有接地的导电通路（97a）。...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤寿，小林健，牛窪繁博，相川胜芳，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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