成膜装置、基板处理装置及等离子体产生装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种成膜装置、基板处理装置及等离子体产生装置。基板处理装置包括：真空容器，其用于容纳基板；载置台；等离子体产生气体供给部；天线，其用于利用电感耦合来使等离子体产生用气体等离子体化，绕纵向的轴线卷绕而成；法拉第屏蔽件，其用于阻止在天线的周围产生的电磁场中的电场成分通过，由接地的导电性的板状体构成，法拉第屏蔽件包括：狭缝组，其用于使电磁场中的磁场成分通过而到达基板侧；窗部，其在板状体的被狭缝组包围的区域开口，用于确认等离子体的发光状态，在窗部与狭缝组之间，以该窗部与狭缝不连通的方式设有包围窗部的、接地的导电通路，在狭缝组的与窗部侧相反的一侧的端部，以包围该狭缝组的方式设有接地的导电通路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于对基板进行等离子体处理的成膜装置、基板处理装置及等离子体产生装置。
技术介绍
作为对半导体晶圆等基板(以下称为“晶圆”)进行例如氧化硅膜(SiO2)等薄膜的成膜的方法之一，可列举出按顺序将互相反应的多种处理气体(反应气体)供给到晶圆表面而层叠反应生成物的ALD (Atomic Layer Deposition)法。作为利用该ALD法进行成膜处理的成膜装置，例如，如专利文献I所记载的那样，公知有如下的装置使多张晶圆在设于·真空容器内的旋转台上沿着周向排列，并且例如使旋转台相对于以与旋转台相对的方式配置的多个气体供给部进行相对旋转，从而按顺序向上述晶圆供给各处理气体。·但是，在ALD法中，与通常的CVD (Chemical Vapor Deposition)相比，由于晶圆的加热温度(成膜温度)是例如300°C左右的较低的温度，因此，例如有时处理气体中所含有的有机物等作为杂质混入到薄膜中。因此，例如，如专利文件2所记载的那样，想到通过进行薄膜的成膜的同时使用等离子体进行改性处理，能够从薄膜中去除这样的杂质或减少杂质。但是，若欲在上述的成膜装置之外另行设置用于进行等离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置，其在真空容器内进行多次按顺序供给第一处理气体和第二处理气体的循环而对基板进行成膜处理，其特征在于，该成膜装置包括：旋转台（2），在其一个面侧形成有用于载置基板的基板载置区域（24），该旋转台（2）能够使上述基板载置区域在上述真空容器（1）内公转；第一处理气体供给部（31）和第二处理气体供给部（32），其用于向在该旋转台的周向上彼此借助分离区域而分开的区域分别供给第一处理气体和第二处理气体；等离子体产生气体供给部（34），其为了对基板（W）进行等离子体处理而向上述真空容器内供给等离子体产生用气体；天线（83），为了利用电感耦合来使等离子体产生用气体等离子体化，该天线（83）以与上述...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：加藤寿，小林健，牛窪繁博，相川胜芳，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：