用于减小图案效应的多重化学处理工艺制造技术

本发明专利技术提供了用于减小图案效应的多重化学处理工艺。描述了在具有减小的缺陷的状态下对衬底进行图案化的方法和系统。一旦使用光刻技术在辐射敏感材料的层中形成图案，衬底被清洗以移除剩余的显影溶液和/或其他材料。之后，使用第一化学溶液执行第一化学处理，以及使用第二化学溶液执行第二化学处理，其中，第二化学溶液具有与第一化学溶液不同的化学成分。在一个实施例中，第一化学溶液也被选择来减小图案坍塌，并且第二化学溶液被选择来减小图案变形，诸如线边缘粗糙度(LER)和/或线宽粗糙度(LWR)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于对衬底进行图案化的方法和系统，并且更具体地涉及用于在衬底上的层中制备图案的方法和系统。
技术介绍
在材料处理方法中，图案蚀刻包括将辐射敏感材料层(诸如光刻胶)涂布到衬·底的上表面上，在辐射敏感材料的层中使用光刻形成图案，以及使用蚀刻工艺将形成在辐射敏感材料的层中的图案转移到衬底上的下层薄膜。辐射敏感材料的图案化通常涉及例如使用光刻系统将辐射敏感材料曝光到电磁照射(EM)的图案中，以及之后使用显影溶液移除辐射敏感材料的受照射区域(在正性抗蚀剂的情况下)或未照射区域(在负性抗蚀剂的情况下)。随着临界尺寸(CD)减小和形成在辐射敏感材料的层中的图案的高宽比增加，图案缺陷(例如但不局限于图案坍塌、线边缘粗糙度(LER)和线宽粗糙度(LWR))的可能变得越来越大。在大部分情况中，过度的图案缺陷是不可接受的，并且在一些情况下是灾难性的。
技术实现思路
本专利技术涉及用于在衬底上的层中制备图案的方法和系统，并且更具体地涉及用于制备在衬底上的层中形成的图案并具有减小的图案缺陷的方法和系统。本专利技术还涉及用于对形成在衬底上的层中的图案进行处理以减小图案坍塌和图案变形(诸如线边缘粗糙度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于对衬底进行图案化的方法，包括：在所述衬底上形成辐射敏感材料的层；将所述辐射敏感材料的层暴露到与图像图案相对应的电磁(EM)辐射；对所述辐射敏感材料的层进行显影以在其中形成来自所述图像图案的图案；用清洗溶液清洗所述衬底；执行在所述清洗之后的第一化学处理，其中，所述第一化学处理包括第一化学溶液；以及执行在所述清洗之后的第二化学处理，其中，所述第二化学处理包括第二化学溶液，所述第二化学溶液具有与所述第一化学溶液不同的化学成分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：川上真一路，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：