温度控制单元和系统、基板载置台、处理装置和处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够使基板的温度快速变化的温度控制单元。与基板（W）接触对该基板（W）的温度进行控制的温度控制单元（15）具备：与基板（W）接触的板状的单元主体（16）、埋设在单元主体（16）内的多个直线状的加热器（17）、和形成于单元主体（16）内并在内部流通规定温度的介质的冷却流路。各加热器（17）彼此平行地配置，冷却流路（18）以经由相邻的两个加热器（17）之间的部分的方式配置。在俯视单元主体（16）时的与一个加热器（17）垂直的方向，各加热器（17）和冷却流路（18）以等间隔交替配置。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在对基板实施处理温度不同的多种热处理时使用的温度控制单元、基板载置台、基板处理装置、温度控制系统和基板处理方法。
技术介绍
在FPD (Flat Panel Display :平板显不器)、太阳电池或 MEMS (Micro ElectroMechanical Systems :微电子机械系统)的制造过程中，对基板实施各种热处理，例如成膜处理。在现有技术中，在对基板实施处理温度不同的多种热处理时，每个热处理中不同的基板处理装置对基板实施相应的热处理，近年来，从提高生产率的观点出发，为了提高生产量，需要在一个基板处理装置中实施处理温度不同的多种热处理。 作为这种基板处理装置，已知有如下的基板处理装置，即，在处理室内具备载置基板的基板载置台，该基板载置台具备形成有介质流路的冷却套、和配置在该冷却套之下的加热器(例如，参照专利文献I)。在专利文献I的基板处理装置中，使加热器放热，使基板载置台的载置面、具体而言，使冷却套的与基板接触的面的温度升高，从而将基板加热，在冷却套的介质流路中流通低温的致冷剂，使上述接触面的温度下降，从而对基板进行冷却。在先技术文献专利文献I :日本特公平7 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种温度控制单元，其与基板接触，控制该基板的温度，该温度控制单元的特征在于，包括：与所述基板接触的板状的主体；埋设在该主体内的多个直线状的加热器；和形成于所述主体内，在内部流通规定温度的介质的介质流路，各所述加热器彼此平行地配置，所述介质流路以经由相邻的两个所述加热器之间的部分的方式配置。

【技术特征摘要】
2011.07.25 JP 2011-1621381.一种温度控制单元，其与基板接触，控制该基板的温度，该温度控制单元的特征在于，包括 与所述基板接触的板状的主体； 埋设在该主体内的多个直线状的加热器；和 形成于所述主体内，在内部流通规定温度的介质的介质流路， 各所述加热器彼此平行地配置，所述介质流路以经由相邻的两个所述加热器之间的部分的方式配置。2.如权利要求I所述的温度控制单元，其特征在于 在俯视所述主体时的与一个所述加热器垂直的方向，各所述加热器和所述介质流路以等间隔交替配置。3.如权利要求I或2所述的温度控制单元，其特征在于 在所述主体的与所述基板接触的面的相反一侧的面，还具备以与埋设在所述主体内的各加热器的位置相对应的方式配置的盖， 所述盖能够开闭。4.如权利要求3所述的温度控制单元，其特征在于 所述主体具有用于安装所述盖的螺钉用的螺钉孔，所述介质流路在相邻的两个所述加热器之间以避开所述螺钉孔的方式弯曲设置。5.如权利要求4所述的温度控制单元，其特征在于 弯曲设置的所述介质流路中的弯曲部的在俯视所述主体时的曲率半径为40mm以上。6.一种基板载置台，用于载置基板，其特征在于，包括 与所述基板接触对该基板的温度进行控制的温度控制单元；和 支承该温度控制单元的基部， 所述温度控制单元具备 与所述基板接触的板状的主体； 埋设在该主体内的多个直线状的加热器；和 形成于所述主体内，在内部流通规定温度的介质的介质流路， 各所述加热器彼此平行地配置，所述介质流路以经由相邻的两个所述加热器之间的部分的方式配置。7.一种基板处理装置，用于对基板实施处理，其特征在于，包括 收纳所述基板的收纳室；和 配置在所述收纳室内，用于载置所述基板的基板载置台， 所述基板载置台具备与所述基板接触对该基板的温度进行控制的温度控制单元；和支承该温度控制单元的基部， 所述温度控制单元具备 与所述基板接触的板状的主体； 埋设在该主体内的多个直线状的加热器；和 形成于所述主体内，在内部流通规定温度的介质的介质流路， ...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中诚治，吉矢秀人，酒井俊充，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：