感应耦合等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种感应耦合等离子体处理装置，其能够应对被处理基板的大型化。该等离子体处理装置包括：收容被处理基板，实施等离子体处理的处理室（4）；在处理室（4）内载置被处理基板G的载置台（23）；向处理室（4）内供给处理气体的处理气体供给系统（20）；对处理室（4）内进行排气的排气系统（30）；在处理室（4）内形成感应电场的高频天线（13）；和向高频天线（13）供给高频电力的第一高频电源（15），在高频天线（13）和处理室（4）之间，形成有与构成处理室（4）的主体容器（1）绝缘地形成的为非磁性体的导电性的金属窗（2）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对液晶显示装置(IXD)等平板显示器(FPD)制造用的玻璃基板等基板实施等离子体处理的感应耦合等离子体处理装置。
技术介绍
在液晶显示装置(IXD)等的制造工序中，为了对玻璃基板施加规定的处理，使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD成膜装置等各种等离子体处理装置。作为这样的等离子体处理装置，以往多使用电容耦合等离子体处理装置，但近来具有能够得到高密度的等离子体这样的大的优点的感应稱合等离子体(Inductively Coupled Plasma:ICP)处理装置受到关注。感应耦合等离子体处理装置在收容被处理基板的处理室的电介质窗的外侧配置有高频天线，向处理室内供给处理气体并向该高频天线供给高频电力，由此在处理室内生成感应耦合等离子体，通过该感应耦合等离子体对被处理基板施加规定的等离子体处理。作为感应耦合等离子体处理装置的高频天线，多使用成为平面状的规定图案的平面天线。作为公知例，有专利文献I。近来，被处理基板的大小逐步大型化。例如，举IXD用的矩形玻璃基板为例，短边X长边的长度从约1500mmX约1800mm的大小向约2200mmX约2400mm的大小改变，进而向约2800mmX约3000mm的大小改变,这种大型化显著。在为感应耦合等离子体处理装置的情况下，在高频天线和处理室之间存在电介质窗。如果被处理基板大型化，则电介质窗也被大型化。对于电介质窗，如专利文献I中所记载的那样，一般使用石英玻璃或者陶瓷。但是，石英玻璃、陶瓷较脆，不适合大型化。因此，例如如专利文献2记载的那样，通过将石英玻璃分割来应对电介质窗的大型化。但是，被处理基板的大型化仍然显著。因此，即使利用专利文献2所记载的那样的分割电介质窗的方法，也变得难以应对大型化。专利文献1:日本专利第3077009号公报专利文献2:日本专利第3609985号公报
技术实现思路
本专利技术是鉴于这些问题而完成的，本专利技术的目的在于，提供能够应对被处理基板的大型化的感应耦合等离子体处理装置。为了解决上述问题，本专利技术的一个实施方式的感应耦合等离子体处理装置包括:收容被处理基板，实施等离子体处理的处理室；在上述处理室内载置被处理基板的载置台；向上述处理室内供给处理气体的处理气体供给系统；对上述处理室内进行排气的排气系统；在上述处理室内形成感应电场的高频天线；和向上述高频天线供给高频电力的第一高频电源，在上述高频天线与上述处理室之间，形成有与构成上述处理室的主体容器绝缘地形成的、为非磁性体的导电性的金属窗。根据本专利技术，能够提供能够应对被处理基板的大型化的感应耦合等离子体处理装置。附图说明图1是概略地表示本专利技术的第一实施方式的感应耦合等离子体处理装置。图2是表示在第一实施方式的感应耦合等离子体处理装置中使用的为非磁性体的导电性的金属窗的一个例子的俯视图。图3是表示在第一实施方式的感应耦合等离子体处理装置中使用的高频天线的一个例子的俯视图。图4是更加概略地表示第一实施方式的感应耦合等离子体处理装置的图。图5是表示从第一实施方式的感应耦合等离子体处理装置得到的等离子体电子密度的图。图6是表示推测得到的等离子体生成原理的图。图7是表示四分割型金属窗的一个例子的俯视图。图8是表示四分割型金属窗的另一个例子的俯视图。图9是表示使高频天线为直线状的情况下的金属窗的一个例子的俯视图。图10是表示本专利技术的第二实施方式的感应耦合等离子体处理装置所具备的金属窗的一个例子的俯视图。图11是表示金属窗的具体的一个例子的截面图。图12是表示本专利技术的第二实施方式的感应耦合等离子体处理装置所具备的金属窗的另一个例子的俯视图。图13是表示本专利技术的第三实施方式的感应耦合等离子体处理装置所具备的金属窗的一个例子的截面图。图14是概略地表示本专利技术的第四实施方式的感应耦合等离子体处理装置所具备的金属窗的一个例子的截面图。图15是表示本专利技术的第五实施方式的感应耦合等离子体处理装置所具备的电容耦合模式电路的一个电路例的电路图。图16是表示高频天线侧的电路和电容耦合模式电路侧的各阻抗的可变电容器的电容依存性的图。图17是表示等离子体电子密度分布的图。图18是表示贴附在金属窗2的腔室侧表面的SiO膜的削减量的图。图19A是表示本专利技术的第六实施方式的感应耦合等离子体处理装置所具备的金属窗的一个例子的俯视图，图19B是图19A所示的金属窗的立体图。图20是概略地表示本专利技术的第七实施方式的感应耦合等离子体处理装置的一个例子的截面图。图21是表示从第七实施方式的感应耦合处理装置得到的等离子体电子密度的图。符号的说明I主体容器2金属窗3天线室4处理室13高频天线14匹配器15第一高频电源 16供电部件20处理气体供给系统23载置台29第二高频电源30排气装置50控制部51用户界面52存储部60电容耦合模式电路VC可变电容器G被处理基板具体实施例方式下面，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。(第一实施方式)图1是概略地表示本专利技术的第一实施方式的感应耦合等离子体处理装置的截面图，图2是表示在该感应耦合等离子体处理装置中使用的为非磁性体的导电性的金属窗的一个例子的俯视图，图3是表示在该感应耦合等离子体处理装置中使用的高频天线的一个例子的俯视图。该装置用于例如在Fro用玻璃基板上形成薄膜晶体管时的金属膜、ITO膜、氧化膜等的蚀刻、和抗蚀剂膜的灰化处理。此处，作为FPD，能够例示液晶显示器(LCD)、电致发光(Electro Luminescence:EL)显示器、等离子体显示面板(PDP)等。该等离子体处理装置具有由导电性材料、例如内壁面被阳极氧化处理(alumite处理)过的铝构成的角筒形状的气密的主体容器I。该主体容器I通过接地线Ia接地。主体容器I通过与该主体容器I绝缘地形成的金属窗2被上下区划为天线室3和处理室4。金属窗2在本例中构成处理室4的顶壁。金属窗2例如由为非磁性体的导电性的金属构成。为非磁性体的导电性的金属例如为铝或含铝的合金。在主体容器I的天线室3的侧壁3a与处理室4的侧壁4a之间，设置有向主体容器I的内侧突出的支承板5、和兼作处理气体供给用的喷淋壳体的十字形状的支承梁11。在支承梁11兼作喷淋壳体的情况下，在支承梁11的内部，形成有相对于被处理基板G的被处理面平行地延伸的气体流路12，该气体流路12与向处理室4内喷出气体的多个气体喷出孔12a连通。此外，在支承梁11的上部，以与气体流路12连通的方式设置有气体供给管20a。气体供给管20a从主体容器I的顶板向其外侧贯通，与包括处理气体供给源和阀系统等的处理气体供给系统20连接。因此，在等离子体处理中，从处理气体供给系统20供给的处理气体经由气体供给管20a被供向支承梁11内，被从气体喷出孔12a向处理室4内喷出。支承板5、和支承梁11由导电材料构成、优选由金属构成。作为金属的例子为铝。另外，在本例中，金属窗2如图2所示被四分割(分成4部分)为金属窗2-广2-4，这四个金属窗2-广2-4隔着绝缘物6被载置在支承板5、和支承梁11之上。在本例中，令与载置台23相对的处理室4的壁面形状为矩形，沿着从该矩形的中心连接各边的中点的线，金属窗2被四分割为金属窗2-1 2_4。这样,被四分割为矩形的格状的金属窗2-1 2_4隔着绝缘物6载置在支承板5、和支承本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种感应耦合等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，实施等离子体处理的处理室；在所述处理室内载置被处理基板的载置台；向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给系统；对所述处理室内进行排气的排气系统；在所述处理室内形成感应电场的高频天线；和向所述高频天线供给高频电力的第一高频电源，在所述高频天线与所述处理室之间，形成有与构成所述处理室的主体容器绝缘地形成的为非磁性体的导电性的金属窗，所述高频天线生成从所述金属窗的上表面至下表面进行循环的蜗电流，所述金属窗在利用绝缘体相互绝缘的状态下，被分割为多个，所述高频天线的平面形状为蜗旋状或环状，所述金属窗被分割为矩形的格状。

【技术特征摘要】
2009.01.14 JP 2009-005843;2009.06.22 JP 2009-14711.一种感应耦合等离子体处理装置，其特征在于，包括: 收容被处理基板，实施等离子体处理的处理室； 在所述处理室内载置被处理基板的载置台； 向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给系统； 对所述处理室内进行排气的排气系统； 在所述处理室内形成感应电场的高频天线；和 向所述高频天线供 给高频电力的第一高频电源， 在所述高频天线与所述处理室之间，形成有与构成所述处理室的主体容器绝缘地形成的为非磁性体的导电性的金属窗， 所述高频天线生成从所述金属窗的上表面至下表面进行循环的蜗电流， 所述金属窗在利用绝缘体相互绝缘的状态下，被分割为多个， 所述高频天线的平面形状为蜗旋状或环状，所述金属窗被分割为矩形的格状。2.按权利要求1所述的感应耦合等离子体处理装置，其特征在于: 在所述金属窗的表面形成有电介质膜。3.按权利要求2所述的感应耦合等离子体处理装置，其特征在于: 所述电介质膜是阳极氧化膜、或喷镀陶瓷制造。4.按权利要求1所述的感应耦合等离子体处理装置，其特征在于: 在所述金属窗的位于处理室侧的表面，设置有电介质盖。5.按权利要求4所述的感应耦合等离子体处理装置，其特征在于: 所述电介质盖是石英制造、或陶瓷制造。6.按权利要求1所述的感应耦合等离子体处理装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木和男，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：