感应耦合等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种感应耦合等离子体处理装置，其能够应对被处理基板的大型化。该等离子体处理装置包括：收容被处理基板，实施等离子体处理的处理室（4）；在处理室（4）内载置被处理基板G的载置台（23）；向处理室（4）内供给处理气体的处理气体供给系统（20）；对处理室（4）内进行排气的排气系统（30）；在处理室（4）内形成感应电场的高频天线（13）；和向高频天线（13）供给高频电力的第一高频电源（15），在高频天线（13）和处理室（4）之间，形成有与构成处理室（4）的主体容器（1）绝缘地形成的为非磁性体的导电性的金属窗（2）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对液晶显示装置(IXD)等平板显示器(FPD)制造用的玻璃基板等基板实施等离子体处理的感应耦合等离子体处理装置。
技术介绍
在液晶显示装置(IXD)等的制造工序中，为了对玻璃基板施加规定的处理，使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD成膜装置等各种等离子体处理装置。作为这样的等离子体处理装置，以往多使用电容耦合等离子体处理装置，但近来具有能够得到高密度的等离子体这样的大的优点的感应稱合等离子体(Inductively Coupled Plasma:ICP)处理装置受到关注。感应耦合等离子体处理装置在收容被处理基板的处理室的电介质窗的外侧配置有高频天线，向处理室内供给处理气体并向该高频天线供给高频电力，由此在处理室内生成感应耦合等离子体，通过该感应耦合等离子体对被处理基板施加规定的等离子体处理。作为感应耦合等离子体处理装置的高频天线，多使用成为平面状的规定图案的平面天线。作为公知例，有专利文献I。近来，被处理基板的大小逐步大型化。例如，举IXD用的矩形玻璃基板为例，短边X长边的长度从约1500mmX约1800mm的大小向约2200mmX约2400mm的大小改变，进而向约28本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种感应耦合等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，实施等离子体处理的处理室；在所述处理室内载置被处理基板的载置台；向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给系统；对所述处理室内进行排气的排气系统；在所述处理室内形成感应电场的高频天线；和向所述高频天线供给高频电力的第一高频电源，在所述高频天线与所述处理室之间，形成有与构成所述处理室的主体容器绝缘地形成的为非磁性体的导电性的金属窗，所述高频天线生成从所述金属窗的上表面至下表面进行循环的蜗电流，所述金属窗在利用绝缘体相互绝缘的状态下，被分割为多个，所述高频天线的平面形状为蜗旋状或环状，所述金属窗被分割为矩形的格状。

【技术特征摘要】
2009.01.14 JP 2009-005843;2009.06.22 JP 2009-14711.一种感应耦合等离子体处理装置，其特征在于，包括: 收容被处理基板，实施等离子体处理的处理室； 在所述处理室内载置被处理基板的载置台； 向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给系统； 对所述处理室内进行排气的排气系统； 在所述处理室内形成感应电场的高频天线；和 向所述高频天线供 给高频电力的第一高频电源， 在所述高频天线与所述处理室之间，形成有与构成所述处理室的主体容器绝缘地形成的为非磁性体的导电性的金属窗， 所述高频天线生成从所述金属窗的上表面至下表面进行循环的蜗电流， 所述金属窗在利用绝缘体相互绝缘的状态下，被分割为多个， 所述高频天线的平面形状为蜗旋状或环状，所述金属窗被分割为矩形的格状。2.按权利要求1所述的感应耦合等离子体处理装置，其特征在于: 在所述金属窗的表面形成有电介质膜。3.按权利要求2所述的感应耦合等离子体处理装置，其特征在于: 所述电介质膜是阳极氧化膜、或喷镀陶瓷制造。4.按权利要求1所述的感应耦合等离子体处理装置，其特征在于: 在所述金属窗的位于处理室侧的表面，设置有电介质盖。5.按权利要求4所述的感应耦合等离子体处理装置，其特征在于: 所述电介质盖是石英制造、或陶瓷制造。6.按权利要求1所述的感应耦合等离子体处理装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木和男，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：