蚀刻方法、基板处理方法、图案形成方法、半导体元件的制造方法及半导体元件技术

在作为被处理基板的硅基板上，形成碳氟化合物层(A)。在所形成的碳氟化合物层上形成抗蚀层(B)。然后，对抗蚀层进行利用光致抗蚀剂的曝光，以规定的形状进行图案化(C)。将以规定的形状进行了图案化的抗蚀层作为掩模，进行碳氟化合物层的蚀刻(D)。接着，去除作为掩模的抗蚀层(E)。然后，将所残留的碳氟化合物层作为掩模，进行硅基板的蚀刻(F)。由于仅碳氟化合物层一层就具备作为防反射膜和硬掩模的功能，因此可以提高处理的可靠性并且可以廉价地进行。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及蚀刻方法、基板处理方法、图案形成方法、半导体元件的制造方法以及半导体元件，尤其是涉及使用等离子体处理的蚀刻方法、基板处理方法、图案形成方法、半导体元件的制造方法以及使用等离子体处理形成的半导体元件。
技术介绍
大规模集成电路(LS1、Large Scale Integrated circuit)、金属氧化物半导体(MOS、Metal Oxide Semiconductor)晶体管等半导体元件,通过对作为被处理基板的半导体基板(晶圆)实施蚀刻、化学气相沉积(CVD、Chemical Vapor Deposition)、派射等处理来制造。对于蚀刻、CVD、溅射等处理而言，有使用等离子体作为其能量供给源的处理方法，即等离子体蚀刻、等离子体CVD、等离子体溅射等。其中，蚀刻的情况下，关于形成防反射膜来进行蚀刻的蚀刻方法的技术公开于日本特开2009-188403号公报(专利文献I)中。专利文献I公开了减少临界尺寸(⑶、Critical Dimension)并且对含娃的防反射涂覆(ARC(Anti Reflective Coat))层内的特征部位进行蚀刻的方法。现有技术文献专利文本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.27 JP 2010-1909441.一种蚀刻方法，其将被处理基板上的图案化了的碳氟化合物层作为掩模，进行所述被处理基板的蚀刻。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，在所述被处理基板与所述碳氟化合物层之间夹设有SiCN层、SiCO层和无定形碳层中的至少任意一层。3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，在所述碳氟化合物层上形成有SiCN层、SiCO层和无定形碳层中的至少任意一层。4.一种基板处理方法，其为进行被处理基板的处理的基板处理方法，其包括: 在被处理基板上形成碳氟化合物(CFx:x为任意的数)层的碳氟化合物层形成工序； 在所形成的所述碳氟化合物层上形成抗蚀层的抗蚀层形成工序； 将所形成的抗蚀层图案化而形成规定的形状的图案化工序； 将图案化了的抗蚀层作为掩模、进行所述碳氟化合物层的蚀刻而进行碳氟化合物层的图案化的碳氟化合物层蚀刻工序；和 将图案化了的所述碳氟化合物层作为掩模、进行所述被处理基板的蚀刻的被处理基板蚀刻工序。5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其包括在所述碳氟化合物层与所述抗蚀层之间形成SiCN层、SiCO层和无定形碳层中的至少任意一层的工序。6.根据权利要求4所述的基板处理方法，其包括在所述碳氟化合物层与所述被处理基板之间形成SiCN层、SiCO层和无定形碳层中的至少任意一层的工序。7.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，所述图案化工序包括浸液曝光工序。8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，所述浸液曝光工序中的光源包含ArF准分子激光。9.一种基板处理方法，其为进行被处理基板的处理的基板处理方法，其包括: 在被处理基板上形成硬掩模层的硬掩模层形成工序； 在所述硬掩模层形成工序之后，在所形成的硬掩模层上形成以规定的形状图案化了的碳氟化合物(CFx:x为任意的数)层的碳氟化合物层形成工序； 在所述碳氟化合物层形成工序之后，以覆盖所形成的所述碳氟化合物层和在所述碳氟化合物层之间露出的所述硬掩模层的方式，形成含娃膜的含娃膜形成工序； 在所述含硅膜形成工序之后，以残留位于所述碳氟化合物层的侧壁侧的含硅膜、去除位于所述碳氟化合物层的上侧和所述硬掩模层的上侧的含硅膜的方式进行蚀刻的含硅膜蚀刻工序； 在所述含硅膜蚀刻工序之后，以去除位于所述侧壁之间的所述碳氟化合物层的方式进行蚀刻的碳氟化合物层蚀刻工序； 在所述碳氟化合物层蚀刻工序之后，将所残留的所述含硅膜作为掩模、进行硬掩模层的蚀刻的硬掩模层蚀刻工序；和 在所述硬掩模层蚀刻工序之后，将所残留的硬掩模层作为掩模、进行所述被处理基板的蚀刻的被处理基板蚀刻工序。10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，所述含硅膜包含SiO2膜。11.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，所述硬掩模层包含SiN膜。12.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，所述碳氟化合物层形成工序通过等离子体CVD进行。13.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，所述碳氟化合物层形成工序使用C5F8气体形成。14.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，所述蚀刻通过等离子体蚀刻进行。15.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，所述蚀刻使用将微波等离子体作为等离子体源、通过径向线缝隙天线(Radial Line Slot Antenna)生成的等离子体来进行。16.一种图案形成方法，其为形成进行被处理基板的蚀刻时的图案的图案形成方法，其包括: 在被处理基板上形成碳氟化合物(CFx:x为任意的数)层的碳氟化合物层形成工序； 在所形成的所述碳氟化合物层上形成抗蚀层的抗蚀层形成工序； 将所形成的抗蚀层图案化而形成规定的形状的图案化工序；和将图案化了的抗蚀层作为掩模、进行所述碳氟化合物层的蚀刻，形成进行被处理基板的蚀刻时的碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：松冈孝明，野泽俊久，堀敏泰，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：
国别省市：