等离子处理装置制造方法及图纸

技术编号:9254588 阅读:99 留言:0更新日期:2013-10-16 21:04
本发明专利技术提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括:等离子体生成箱,其为纵长形状,与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的等离子体产生区域;ICP电极,其沿等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体生成箱的外侧;高频电源,其与电极相连接。ICP电极具有自等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种等离子处理装置,其是立式的,其同时对多张被处理体实施等离子处理,其中,该等离子处理装置包括:处理容器,其为纵长形状,具有用于收纳上述被处理体的处理区域且能设定为气密状态;保持器具,其以使上述被处理体相互隔开间隔地沿垂直方向层叠的状态将该被处理体保持在上述处理容器内;气体供给系统,其用于向上述处理容器内供给第1和第2处理气体,并且为了供给上述第1处理气体,上述气体供给系统具有沿上述处理区域配置且沿垂直方向隔开间隔地形成有多个气体喷射孔的第1气体分散喷嘴;排气系统,其用于对上述处理容器内进行排气;以及活化机构,其用于使自上述气体供给系统供给到上述处理区域中的上述第2处理气体等离子化;上述活化机构包括:第1和第2等离子体生成箱,它们为纵长形状,与上述处理区域相对应地安装在上述处理容器上、且用于封闭与上述处理区域气密地连通的等离子体产生区域,该第1和第2等离子体生成箱在上述第1气体分散喷嘴的两侧且与上述排气口相对的位置上分别具有与上述处理区域相对应的纵长的开口;第1和第2ICP电极,它们分别沿上述第1和第2等离子体生成箱的长度方向配置在上述第1和第2等离子体生成箱的外侧;以及高频电源,其是与上述第1和第2ICP电极相连接的共用的高频电源。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:福岛讲平高桥俊树松浦广行本山丰山本和弥
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:

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