多层膜的蚀刻方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种多层膜的蚀刻方法。
技术介绍
被处理体的等离子体蚀刻是制造装置的重要的技术。在等离子体蚀刻过程中，为了控制被处理体的蚀刻速度的分布，需要控制在处理空间内的等离子体的密度分布。作为控制等离子体的密度分布的技术，公知有一种使存在有电场的处理空间内产生磁场而控制等离子体的密度分布的技术。这样的技术记载在例如专利文献1中。专利文献1所记载的等离子体处理装置是具有上部电极和下部电极的平行平板型的等离子体处理装置。该等离子体处理装置在处理空间内产生相对于被处理体、即晶圆的中心轴线沿着放射方向形成对称的磁场。具体而言，在专利文献1所记载的等离子体处理装置中，在处理空间内设有构成下部电极的载置台，在该载置台上载置有晶圆。用于划分处理空间的处理容器的顶部构成上部电极，在该顶部的上表面设有多个永磁体。多个永磁体排列在以晶圆的中心轴线为中心的多个同心圆上，且相对于该中心轴线沿放射方向排列。在该等离子体处理装置中，在处理容器内形成有在铅垂方向...
【技术保护点】
一种多层膜的蚀刻方法，该多层膜的蚀刻方法是在等离子体处理装置中对具有第1氧化膜、第2氧化膜以及设于该第1氧化膜与该第2氧化膜之间的有机膜的多层膜进行蚀刻的方法，其中，该多层膜的蚀刻方法包括以下工序：在等离子体处理装置的容纳有具有上述多层膜和设于上述第1氧化膜之上的抗蚀剂掩模的被处理体的处理空间内生成第1处理气体的等离子体并对上述第1氧化膜进行蚀刻的工序；在对上述第1氧化膜进行蚀刻之后，在上述处理空间内生成第2处理气体的等离子体并对上述有机膜进行蚀刻的工序；以及在对上述有机膜进行蚀刻之后，在上述处理空间中生成第3处理气体的等离子体并对上述第2氧化膜进行蚀刻的工序，上述第1处理...
【技术特征摘要】
2013.01.21 JP 2013-008504;2013.03.27 JP 2013-066461.一种多层膜的蚀刻方法，该多层膜的蚀刻方法是在等离子
体处理装置中对具有第1氧化膜、第2氧化膜以及设于该第1氧化膜
与该第2氧化膜之间的有机膜的多层膜进行蚀刻的方法，其中，
该多层膜的蚀刻方法包括以下工序：
在等离子体处理装置的容纳有具有上述多层膜和设于上述第1
氧化膜之上的抗蚀剂掩模的被处理体的处理空间内生成第1处理气
体的等离子体并对上述第1氧化膜进行蚀刻的工序；
在对上述第1氧化膜进行蚀刻之后，在上述处理空间内生成第2
处理气体的等离子体并对上述有机膜进行蚀刻的工序；以及
在对上述有机膜进行蚀刻之后，在上述处理空间中生成第3处
理气体的等离子体并对上述第2氧化膜进行蚀刻的工序，
上述第1处理气体的等离子体、上述第2处理气体的等离子体以
及上述第3处理气体的等离子体是通过对构成用于载置上述被处理
体的载置台的下部电极和设于该下部电极的上方的上部电极中的
一者施加高频电力而生成的，
对上述有机膜进行蚀刻的工序中的上述高频电力大于对上述
第1氧化膜进行蚀刻的工序和对上述第2氧化膜进行蚀刻的工序中
的上述高频电力，
在对上述第1氧化膜进行蚀刻的工序、对上述有机膜进行蚀刻
的工序以及对上述第2氧化膜进行蚀刻的工序中，均对上述下部电
极施加高频偏压电力，
对上述第1氧化膜进行蚀刻的工序和对上述第2氧化膜进行蚀
刻的工序中的上述高频偏压电力大于对上述有机膜进行蚀刻的工
序中的上述高频偏压电力，
在对上述第1氧化膜进行蚀刻的工序、对上述有机膜进行蚀刻
\t的工序以及对上述第2氧化膜进行蚀刻的工序中，以具有以下强度
分布的方式形成磁场，该强度分布为沿着相对于上述被处理体的中
心轴线而言的放射方向的水平磁场成分在离开中心轴线的位置处
具有峰值，
对上述有机膜进行蚀刻的工序中的上述水平磁场成分的峰值
位置比对上述第1氧化膜进行蚀刻的工序和对上述第2氧化膜进行
蚀刻的工序中的上述水平磁场成分的峰值位置靠近上述中心轴线。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
上述第2氧化膜的厚度大于上述第1氧化膜的厚度，
对上述第2氧化膜进行蚀刻的工序中的高频偏压电力大于对上
述第1氧化膜进行蚀刻的工序中的上述高频偏压电力，
对上述第2氧化膜进行蚀刻的工序中的上述水平磁场成分的强<...
【专利技术属性】
技术研发人员：桧森慎司，伊藤悦治，横田聪裕，草野周，石塚博昭，永关一也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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