多层保护膜的形成方法和多层保护膜的形成装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供多层保护膜的形成方法和多层保护膜的形成装置。该多层保护膜的形成方法能够不必进行脱氢工序。在形成与由IGZO构成的信道(32)接触的、并且具有氮化硅膜(31a、35b)和氧化硅膜(31b、35a)的栅保护膜(31)、钝化层(35)时，使用氯化硅气体和不含有氢原子的氧气形成氧化硅膜(31b、35a)，使用氯化硅气体和不含有氢原子的含氮气体形成氮化硅膜(31a、35b)，连续地执行氧化硅膜(31b、35a)的成膜和氮化硅膜(31a、35b)的成膜。

【技术实现步骤摘要】
多层保护膜的形成方法和多层保护膜的形成装置
本专利技术涉及用于保护氧化物半导体的多层保护膜的形成方法和多层保护膜的形成装置。
技术介绍
以往，在FPD(Flat Panel Display，平板显示器)中作为发光元件使用液晶元件，而为了实现薄型的FPD,在液晶元件中应用薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)。 此外，近年来，为了实现薄片显示器(日文:'>一卜7 X )、下一代薄型电视，正在推进有机EL (Electroluminescence,电致发光)元件的利用。有机EL元件是自发光型的发光元件，与液晶元件不同，不需要背光，因此，能够实现更加薄型的显示器。 有机EL元件是电流驱动型的元件，在有机EL元件所应用的TFT中需要实现高速的开关动作，但现在，主要用作信道的构成材料的非晶硅的电子移动度并没有那么高，因此，非晶硅并不适用于有机EL用的信道的构成材料。 因此，提出了一种将可获得较高的电子移动度的氧化物半导体应用于信道的TFT。作为这样的TFT所采用的氧化物半导体，例如公知有由铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的氧化物构成的IGZO(例如参照非专利文献I。)，IGZO即使是非晶形状态，也具有比较高的电子移动度(例如1cm2/(V -S)以上)，因此，在将IGZO等氧化物半导体应用于TFT的信道时，能够实现高速的开关动作。 此外，在TFT中，为了相对于外界的离子、水分可靠地保护信道，由多个膜、例如氮化硅(SiN)膜和氧化硅(S12)膜构成信道的保护膜(例如参照专利文献I。)。但是，例如在利用等离子体CVD (Chemical Vapor Deposit1n:化学气相沉积)形成氮化娃膜的情况下，大多使用硅烷(SiH4)作为硅源，使用氨(NH3)作为氮源，但在使用等离子体由硅烷和氨形成氮化硅膜时，氢自由基、氢离子有时会作为氢原子进入到氮化硅膜的缺陷中。即，保护膜有时会含有氢原子。 保护膜所含有的氢原子在时间经过的同时使氧原子自氧化物半导体、例如IGZO脱离，使IGZO的特性发生变化，因此，在形成了信道的保护膜之后，需要对该保护膜施加热处理而积极地进行使氢原子自保护膜脱离的脱氢工序。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特许3148183号 非专利文献 非专利文献I 实现又轻又薄的薄片显示器的氧化物半导体TFT”，三浦健太郎等，Toshiba Review Vol.67N0.1(2012) 专利技术要解决的问题 但是，由于脱氢工序需要时间，因此，存在生产率降低这样的问题。此外，像上述那样，在脱氢工序中对保护膜施加热处理，但在将有机EL元件应用于薄片显示器时，由于薄片显示器的基板由树脂形成，因此，也存在基板因热而变形、变质这样的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供能够不必进行脱氢工序的多层保护膜的形成方法和多层保护膜的形成装置。 用于解决问题的方案 为了达到上述目的，根据技术方案I的多层保护膜的形成方法，该多层保护膜接触于氧化物半导体，并且至少包含氮化硅膜和氧化硅膜，该多层保护膜的形成方法的特征在于，该多层保护膜的形成方法具有以下步骤:氧化硅膜成膜步骤，使用氯化硅(SiCl4)气体以及不含有氢原子的含氧气体或者使用氟化硅(SiF4)气体以及不含有氢原子的含氧气体来形成上述氧化硅膜；以及氮化硅膜成膜步骤，使用上述氯化硅气体以及不含有氢原子的含氮气体或者使用上述氟化硅气体以及不含有氢原子的含氮气体来形成上述氮化硅膜，连续地执行上述氧化硅膜成膜步骤和上述氮化硅膜成膜步骤。 根据技术方案I所述的多层保护膜的形成方法，技术方案2的多层保护膜的形成方法的特征在于，在上述氮化硅膜成膜步骤之前执行上述氧化硅膜成膜步骤。 根据技术方案2所述的多层保护膜的形成方法，技术方案3的多层保护膜的形成方法的特征在于，在将上述氧化硅膜成膜步骤切换为上述氮化硅膜成膜步骤时，一边继续供给上述氯化硅气体或者上述氟化硅气体，一边停止供给上述含氧气体，之后，开始供给上述含氮气体。 根据技术方案3所述的多层保护膜的形成方法，技术方案4的多层保护膜的形成方法的特征在于，在将上述氧化硅膜成膜步骤切换为上述氮化硅膜成膜步骤时，暂时降低形成有上述氧化物半导体的基板的温度。 根据技术方案I所述的多层保护膜的形成方法，技术方案5的多层保护膜的形成方法的特征在于，在上述氧化硅膜成膜步骤之前执行上述氮化硅膜成膜步骤。 根据技术方案5所述的多层保护膜的形成方法，技术方案6的多层保护膜的形成方法的特征在于，在将上述氮化硅膜成膜步骤切换为上述氧化硅膜成膜步骤时，一边继续供给上述氯化硅气体或者上述氟化硅气体，一边停止供给上述含氮气体，之后，开始供给上述含氧气体。 根据技术方案6所述的多层保护膜的形成方法，技术方案7的多层保护膜的形成方法的特征在于，在将上述氮化硅膜成膜步骤切换为上述氧化硅膜成膜步骤时，暂时降低形成有上述氧化物半导体的基板的温度。 根据技术方案I?7中任一项所述的多层保护膜的形成方法，技术方案8的多层保护膜的形成方法的特征在于，上述不含有氢原子的含氮气体是氮气。 根据技术方案I?8中任一项所述的多层保护膜的形成方法，技术方案9的多层保护膜的形成方法的特征在于，上述不含有氢原子的含氧气体是氧气。 根据技术方案I?9中任一项所述的多层保护膜的形成方法，技术方案10的多层保护膜的形成方法的特征在于，上述氧化物半导体含有铟、镓及锌的氧化物。 根据技术方案I?10中任一项所述的多层保护膜的形成方法，技术方案11的多层保护膜的形成方法的特征在于，上述多层保护膜是晶体管结构中的底涂层、栅保护膜、阻止层及钝化层中的至少I者。 为了达到上述目的，在技术方案12的多层保护膜的形成方法中，该多层保护膜接触于氧化物半导体，并且至少由含有氮和硅的膜以及含有氧和硅的膜构成，该多层保护膜的形成方法的特征在于，使用不含有氢原子的含氧气体和不含有氢原子的含氮气体中的至少一者以及氯化硅(SiCl4)气体或者使用不含有氢原子的含氧气体和不含有氢原子的含氮气体中的至少一者以及氟化硅(SiF4)气体来形成由氧化硅膜、氮化硅膜及氮氧化硅膜中的至少两个膜构成的多层保护膜，通过执行连续的成膜处理来形成构成上述多层保护膜的上述至少两个膜。 为了达到上述目的，在技术方案13的多层保护膜的形成装置中，该多层保护膜接触于氧化物半导体，并且至少包含氮化硅膜和氧化硅膜，该多层保护膜的形成装置的特征在于，该多层保护膜的形成装置包括:含硅气体供给部，其用于供给氯化硅气体或者氟化硅气体；含氧气体供给部，其用于供给不含有氢原子的含氧气体；以及含氮气体供给部，其用于供给不含有氢原子的含氮气体，供给上述氯化硅气体以及上述含氧气体或者供给上述氟化硅气体以及上述含氧气体来形成上述氧化硅膜，供给上述氯化硅气体以及上述含氮气体或者供给上述氟化硅气体以及上述含氮气体来形成上述氮化硅膜，连续地执行上述氧化硅膜的成膜和上述氮化硅膜的成膜。 根据技术方案13所述的多层保护膜的形成装置，技术方案14所述的多层保护膜的形成装置的特征在于，该多层保护膜的形成装置包括ICP(Inductively CouplingPla本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层保护膜的形成方法，该多层保护膜接触于氧化物半导体，并且至少包含氮化硅膜和氧化硅膜，该多层保护膜的形成方法的特征在于，该多层保护膜的形成方法具有以下步骤：氧化硅膜成膜步骤，使用氯化硅即SiCl4气体以及不含有氢原子的含氧气体或者使用氟化硅即SiF4气体以及不含有氢原子的含氧气体来形成上述氧化硅膜；以及氮化硅膜成膜步骤，使用上述氯化硅气体以及不含有氢原子的含氮气体或者使用上述氟化硅气体以及不含有氢原子的含氮气体来形成上述氮化硅膜，连续地执行上述氧化硅膜成膜步骤和上述氮化硅膜成膜步骤。

【技术特征摘要】
2013.06.28 JP 2013-1363091.一种多层保护膜的形成方法，该多层保护膜接触于氧化物半导体，并且至少包含氮化硅膜和氧化硅膜，该多层保护膜的形成方法的特征在于， 该多层保护膜的形成方法具有以下步骤: 氧化硅膜成膜步骤，使用氯化硅即SiCl4气体以及不含有氢原子的含氧气体或者使用氟化硅即SiF4气体以及不含有氢原子的含氧气体来形成上述氧化硅膜；以及 氮化硅膜成膜步骤，使用上述氯化硅气体以及不含有氢原子的含氮气体或者使用上述氟化硅气体以及不含有氢原子的含氮气体来形成上述氮化硅膜， 连续地执行上述氧化硅膜成膜步骤和上述氮化硅膜成膜步骤。2.根据权利要求1所述的多层保护膜的形成方法，其特征在于， 在上述氮化硅膜成膜步骤之前执行上述氧化硅膜成膜步骤。3.根据权利要求2所述的多层保护膜的形成方法，其特征在于， 在将上述氧化硅膜成膜步骤切换为上述氮化硅膜成膜步骤时，一边继续供给上述氯化硅气体或者上述氟化硅气体，一边停止供给上述含氧气体，之后，开始供给上述含氮气体。4.根据权利要求3所述的多层保护膜的形成方法，其特征在于， 在将上述氧化硅膜成膜步骤切换为上述氮化硅膜成膜步骤时，暂时降低形成有上述氧化物半导体的基板的温度。5.根据权利要求1所述的多层保护膜的形成方法，其特征在于， 在上述氧化硅膜成膜步骤之前执行上述氮化硅膜成膜步骤。6.根据权利要求5所述的多层保护膜的形成方法，其特征在于， 在将上述氮化硅膜成膜步骤切换为上述氧化硅膜成膜步骤时，一边继续供给上述氯化硅气体或者上述氟化硅气体，一边停止供给上述含氮气体，之后，开始供给上述含氧气体。7.根据权利要求6所述的多层保护膜的形成方法，其特征在于， 在将上述氮化硅膜成膜步骤切换为上述氧化硅膜成膜步骤时，暂时降低形成有上述氧化物半导体的基板的温度。8.根据权利要求1?7中任一项所述的多层保护膜的形成方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：高藤哲也，渡边幸夫，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP