基板脱离检测装置和方法、以及使用该装置的基板处理装置和使用该方法的基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板脱离检测装置和方法、以及使用该装置的基板处理装置和使用该方法的基板处理方法。一种基板脱离检测装置，其用于基板处理装置，该基板处理装置在基板被载置到基板载置用的凹部上的状态下使旋转台连续旋转，来进行上述基板的处理，该基板载置用的凹部形成在大致水平地设置于腔室内的上述旋转台的表面，其中，该基板脱离检测装置具有基板脱离判定部件，该基板脱离判定部件通过在上述旋转台的旋转过程中对上述凹部上的上述基板的有无进行判定，从而对上述基板脱离上述凹部的情况进行判定。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种。一种基板脱离检测装置，其用于基板处理装置，该基板处理装置在基板被载置到基板载置用的凹部上的状态下使旋转台连续旋转，来进行上述基板的处理，该基板载置用的凹部形成在大致水平地设置于腔室内的上述旋转台的表面，其中，该基板脱离检测装置具有基板脱离判定部件，该基板脱离判定部件通过在上述旋转台的旋转过程中对上述凹部上的上述基板的有无进行判定，从而对上述基板脱离上述凹部的情况进行判定。【专利说明】
本专利技术涉及。
技术介绍
以往以来，如日本特开平9 一 115994号公报所公开那样公知有如下离子注入装置，该离子注入装置在将晶圆载置在台板上、并且利用能够将晶圆的周缘部按压于台板的夹紧环而夹紧的状态下进行离子注入，其中，该离子注入装置具有对夹紧环的位移进行检测的位移检测部件，以便识别晶圆的重叠保持等的异常。 另外,如日本特开2011 — 111651号公报所公开那样公知有如下气相生长装置,在将被处理物载置于旋转台来进行处理的气相生长装置中，旋转台和支承旋转台的旋转台支承部由不同的原材料制成，由于热膨胀系数之差而在高温时旋转台相对于旋转台支承部的位置发生改变而产生不一致的情况下，将该不一致作为错位来进行检测，在错位为规定范围以上时进行警告或者使装置停止。 不过，公知有如下成膜装置:在腔室内设有旋转台，在旋转台的表面设有圆形凹陷状的凹处(日文卜)，在将晶圆载置到该凹处上的状态下使旋转台旋转，使晶圆依次通过沿着周向分开地设置的多个处理区域，此时，在处理区域内供给有原料气体，利用原子沉积法(ALD 法、Atomic Layer Deposit1n)或者分子沉积法(MLD 法、Molecular LayerDeposit1n)进行成膜。 在采用了该ALD法或者MLD法的成膜装置(以下称为“ALD成膜装置”。)中，从成膜的均匀性的观点出发，使用爪等来将晶圆夹紧在凹处这样的固定部件无法使用。另外，虽然温度不及上述气相生长装置，但腔室内晶圆被加热成高温，因此，在将晶圆输入到腔室内时，气氛从常温急剧地变化成高温，因此，大多情况下产生晶圆在凹处上翘曲这样的现象。另外，在ALD成膜装置中，为了进行成膜需要使旋转台旋转，因此，在输入晶圆而使晶圆的翘曲复元的状态下使旋转台旋转来开始成膜，但在未使翘曲充分地复元的状态下错误地开始了旋转的情况下，晶圆就从凹处脱离。并且，由于晶圆的翘曲以外的任何异常，也能够引起晶圆从旋转中的旋转台脱离。在该情况下，若无法迅速地对晶圆的脱离进行检测，则在晶圆脱离了的状态下使旋转台持续旋转，有可能使腔室内的各种零件破损、或者给未脱离的其他晶圆造成损伤。 另一方面，上述专利文献I所记载的专利技术是涉及具有夹紧机构的基板处理装置的专利技术，因此，无法应用于ALD成膜装置。另外，专利文献2所记载的专利技术是对旋转台相对于旋转支承台的错位进行检测的专利技术，因此，无法解决上述这样的课题。
技术实现思路
因此，本专利技术的技术方案提供一种在使用使旋转台旋转来进行基板的处理的基板处理装置的情况下能够对基板在处理过程中从旋转台的脱离进行监视、检测的基板脱离检测装置。 本专利技术的一技术方案的基板脱离检测装置是用于基板处理装置的基板脱离检测装置，该基板处理装置在基板被载置到基板载置用的凹部上的状态下使旋转台连续旋转，来进行上述基板的处理，该基板载置用的凹部形成在大致水平地设置于腔室内的上述旋转台的表面。 上述基板脱离检测装置具有基板脱离判定部件，该基板脱离判定部件通过在上述旋转台的旋转过程中对上述凹部上的上述基板的有无进行判定，从而对上述基板脱离上述凹部的情况进行判定。 本专利技术的另一技术方案的基板处理装置包括:腔室；旋转台，其大致水平设置于该腔室内，在其表面形成有基板载置用的凹部，上述基板脱离检测装置。 本专利技术的另一技术方案的基板脱离检测方法是用于基板处理装置的基板脱离检测方法，该基板处理装置在基板被载置到基板载置用的凹部上的状态下使旋转台连续旋转，来进行上述基板的处理，该基板载置用的凹部形成在大致水平地设置于腔室内的上述旋转台的表面。 上述基板脱离检测方法具有基板脱离判定工序，在该基板脱离判定工序中，在上述旋转台的旋转过程中对上述凹部上的上述基板的有无进行判定，从而对上述基板脱离上述凹部的情况进行判定。 本专利技术的另一技术方案的基板处理方法包括:基板处理工序，其中，在基板被载置到基板载置用的凹部上的状态下使旋转台旋转，进行上述基板的处理，该基板载置用的凹部形成在大致水平设置于腔室内的上述旋转台的表面；基板脱离检测工序，其中，采用上述基板脱离检测方法来对上述基板的处理中的上述基板从上述凹部的脱离进行检测；在该基板脱离检测工序中检测到上述基板脱离上述凹部时，使上述旋转台的旋转停止，使上述基板的处理停止。 【专利附图】【附图说明】 图1是表示本专利技术的实施方式的基板离脱检测装置和使用该基板离脱检测装置的基板处理装置的一例的构成图。 图2是本专利技术的实施方式的基板处理装置的内部构造的立体图。 图3是本专利技术的实施方式的基板处理装置的内部构造的俯视图。 图4是本专利技术的实施方式的基板处理装置的沿着旋转台的同心圆剖切而成的剖视图。 图5是表示本专利技术的实施方式的基板处理装置的设有腔室的顶面的区域的剖视图。 图6A?6D是本专利技术的实施方式的晶圆脱离检测装置检测的晶圆的脱离的说明图。 图7是表示本专利技术的实施方式I的基板脱离检测装置的构成的图。 图8A和SB是实施方式I的基板脱离检测装置的放射温度检测、脱离判定的说明图。 图9A和9B是表示本专利技术的实施方式2的基板脱离检测装置的一例的图。 图10是表示由实施方式2的基板脱离检测装置的判定部进行的基板脱离判定工序的一例的图。 图1lA和IlB是表示本专利技术的实施方式3的基板脱离检测装置的一例的图。 图12A和12B是表示本专利技术的实施方式4的基板脱离检测装置的一例的图。 图13A和13B是表示本专利技术的实施方式5的基板脱离检测装置的一例的图。 【具体实施方式】 以下，参照附图对用于实施本专利技术的方式进行说明。 图1是表示本专利技术的实施方式的基板离脱检测装置和使用该基板离脱检测装置的基板处理装置的一例的构成图。另外，图2是表示应用本专利技术的实施方式的基板剥离检测装置的基板处理装置的内部构造的立体图，图3是应用本专利技术的实施方式的基板剥离检测装置的基板处理装置的内部构造的俯视图。 此外，基板处理装置只要是一边使旋转台旋转一边进行基板的处理的装置，就能够应用各种基板处理装置，但在本实施方式中列举基板处理装置构成为成膜装置的例子来进行说明。 参照图1?图3，成膜装置包括:扁平的腔室1，其具有大致圆形的俯视形状；旋转台2，其设于该腔室I内，在腔室I的中心具有旋转中心。腔室I是用于收容成为处理对象的基板并对基板进行成膜处理的容器。如图1所示，腔室I包括:容器主体12，其具有有底的圆筒形状；顶板11，其例如夹着O形密封圈等密封构件13以可装卸的方式气密地配置在容器主体12的上表面。 在顶板I的局部形成有窗16。在窗16上设有例如石英玻璃，构成为能够从腔室I的外部对内部进行目视确认。 另外，腔室I也可以具有与真空泵640连接的排气口 61本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板脱离检测装置，其用于基板处理装置，该基板处理装置在基板被载置到基板载置用的凹部上的状态下使旋转台连续旋转，来进行上述基板的处理，该基板载置用的凹部形成在大致水平地设置于腔室内的上述旋转台的表面，其中，该基板脱离检测装置具有基板脱离判定部件，该基板脱离判定部件通过在上述旋转台的旋转过程中对上述凹部上的上述基板的有无进行判定，从而对上述基板脱离上述凹部的情况进行判定。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：菊池仁，小林健，吉田光广，芳贺雄太，高畠裕二，伊藤尚秀，菅原克昭，千叶昌明，佐藤弘幸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP