设置于流过从在被处理体(W)的表面形成薄膜的成膜装置主体(4)排出的排气的排气通路(60)的途中并且通过将排气中所含有的捕集对象气体冷却液化后进行回收的捕集机构(10)，包括：具有气体入口(72A)和气体出口(72B)的壳体(72)；将壳体内划分为多个滞留空间(74A～74C)的划分部件(76)；连通滞留空间彼此的连通路径(78A、78B)；和为了冷却排气而对连通路径进行冷却的冷却套部(80A、80B)。利用该构造，将排气冷却并且使其绝热膨胀，高效地将捕集对象气体冷却并使其液化。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】设置于流过从在被处理体(W)的表面形成薄膜的成膜装置主体(4)排出的排气的排气通路(60)的途中并且通过将排气中所含有的捕集对象气体冷却液化后进行回收的捕集机构(10)，包括：具有气体入口(72A)和气体出口(72B)的壳体(72)；将壳体内划分为多个滞留空间(74A～74C)的划分部件(76)；连通滞留空间彼此的连通路径(78A、78B)；和为了冷却排气而对连通路径进行冷却的冷却套部(80A、80B)。利用该构造，将排气冷却并且使其绝热膨胀，高效地将捕集对象气体冷却并使其液化。【专利说明】捕集机构、排气系统和成膜装置
本专利技术涉及在使用原料气体对半导体晶片等的被处理体进行成膜时的成膜装置、排气系统和使用它们的捕集机构。
技术介绍
一般而言，为了形成IC等集成电路、逻辑元件，重复进行在半导体晶片、LCD基板等表面形成薄膜的工序、将该薄膜蚀刻为所期望的图案的工序。 在利用成膜装置进行的成膜工序中，通过使规定的处理气体(原料气体)在处理容器内反应，在被处理体的表面形成硅的薄膜、硅的氧化物或氮化物的薄膜、或者金属的薄膜、金属的氧化物或氮化物的薄膜等。与成膜反应同时产生多余的反应副产物，其与排气一起排出，或者未反应的处理气体与排气一起排出。 该排气中的反应副产物、未反应的处理气体，直接排出到大气中时，成为环境污染等的原因。为了防止这样的状况，一般而言，在从处理容器延伸的排气系统设置捕集机构，由此捕获除去排气中所包含的反应副产物、未反应的处理气体等。 提出了与应捕获除去的反应副产物等的特性相应的各种各样的结构的捕集机构。当除去在常温中凝缩(液化)或凝固(固化)的反应副产物时，捕集机构例如构成为在具有排气的导入口和排出口的壳体内设置多个翅片。翅片在排气的流动方向依次排列，排气通过翅片间时，排气中的反应副产物等附着于翅片表面而被捕获。为了提高捕获效率，利用冷却介质等对翅片进行冷却(例如，参照日本特开平08 - 083773号公报、日本特开平08 —172083号公报)。另外，也已知有使排气在第一捕集器的螺旋管内流动并冷却，利用带冷却翅片的第二捕集器对液状的反应生成物进行捕集的捕集机构(日本特开2001 - 297988号公报)。 最近，为了降低布线电阻、接触电阻，使用含有该贵金属的有机金属化合物等原料(原料气体)，利用成膜装置形成含有银、金、钌等贵金属的薄膜。此时，提出了将排气冷却而使气体凝缩、对包括未反应的原料的副产物进行回收，并且，通过对该副产物进行精制，由此回收未反应的原料(参照日本特开2001 - 342566号公报)。 如上所述的捕集机构，存在难以将蒸气压低而相对难以液化的物质的气体高效地冷却至能够捕集的温度，捕集效率低的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种通过将排气冷却并使排气流导变化而绝热膨胀，由此，能够高效地将捕集对象气体冷却使其液化而高效地对捕集对象物进行捕集的捕集机构、排气系统和成膜装置。 根据本专利技术的一个实施方式，提供一种捕集机构，其设置于从在被处理体的表面形成薄膜的成膜装置主体排出的排气流过的排气通路的途中，将上述排气中所包含的捕集对象气体冷却而液化来进行回收，上述捕集机构包括:具有气体入口和气体出口的壳体；将上述壳体内划分为多个滞留空间的划分部件；将上述滞留空间彼此连通的连通路径；和为了对上述排气进行冷却而对上述连通路径进行冷却的冷却套部。 采用上述的捕集机构，能够使排气经由连通路径依次流过各滞留空间，从而将排气冷却并使排气流导变化而绝热膨胀，由此，能够高效地将捕集对象气体冷却使其液化而闻效地对捕集对象物进行捕集。 根据本专利技术的另一个实施方式，提供一种排气系统，其流过从在被处理体的表面形成薄膜的成膜装置主体排出的排气，上述排气系统包括:与上述成膜装置主体的排气口连接的排气通路；设置于上述排气通路的途中的真空泵；设置于比上述真空泵更靠上游侧的上述排气通路的途中的上述的捕集机构；以绕过上述捕集机构的方式与上述排气通路的途中连接的旁通通路；和不活泼气体供给单元，其在上述旁通通路中流过排气时，对上述捕集机构的气体入口与上述旁通通路的上游侧的连接部之间的上述排气通路内和上述捕集机构的气体出口与上述旁通通路的下游侧的连接部之间的上述排气通路内，供给压力比上述排气的压力高的不活泼气体。 采用上述排气系统，通过使排气流向旁通通路内时对捕集机构的上游侧和下游侧供给压力高于排气的不活泼气体，能够防止在旁通通路内流动的排气(例如清洁气体)稍微流入捕集机构。 根据专利技术的另一个实施方式，提供一种成膜装置，其用于在被处理体的表面形成薄膜，上述成膜装置包括:具有能够被真空排气的处理容器的成膜装置主体；用于载置上述被处理体的载置台构造；向上述处理容器内导入气体的气体导入单元；与上述气体导入单元连接、供给气体的气体供给系统；和用于对上述处理容器内的气氛进行排气的上述的排气系统。 【专利附图】【附图说明】 图1是表示本专利技术的一个实施方式所涉及的成膜装置的概略结构图。 图2是表示本专利技术的一个实施方式所涉及的捕集机构的纵截面图。 图3是表示上述捕集机构的第一冷却套的俯视图。 图4是表示上述捕集机构的第二冷却套的分解立体图。 图5是表示在捕集机构中存储有贮留液的状态的截面图。 图6是表示本专利技术所涉及的具有排气系统的成膜装置整体的概略结构图。 图7是用于说明在排气系统内流动的气体的流动的说明图。 图8是表示捕集机构的另一实施方式的纵截面图。 【具体实施方式】 以下，对于本专利技术的捕集机构、排气系统和成膜装置的优选的实施方式，基于附图进行详细说明。在此，说明如下的例子:作为原料使用Ru(EtCp)2、RuCpBuCp、RuCpPrCp>Ru(nbd) (1册)2等的室温下为液体的有机金属化合物，使其气体化，生成原料气体，利用该原料气体形成金属Ru的薄膜，从排气中作为捕集对象气体将未反应的原料气体液化、回收。 如图1所示，成膜装置2主要包括:对作为被处理体的圆板状的半导体晶片W实施成膜处理的成膜装置主体4 ;对该成膜装置主体4供给含有成膜用的原料气体所必要的气体的气体供给系统6 ;将来自上述成膜装置主体4的排气排出的排气系统8 ;和设置于该排气系统8的捕集机构10。 首先，对于上述成膜装置主体4进行说明。该成膜装置主体4具有例如由铝合金等构成的筒体状的处理容器12。在该处理容器12内，设置有载置保持作为被处理体的半导体晶片W的载置台构造14。该载置台构造14，整体例如成型为圆板状，在其上表面侧载置半导体晶片W。并且，该载置台构造14安装固定在从处理容器12的底部立起的例如由铝合金等构成的金属制的支柱16的上端部。 在上述载置台构造14中，在其上部侧作为加热单元例如埋设有由钨丝加热器、碳丝加热器等构成的加热器18，对上述半导体晶片W进行加热。在上述加热器18的下方设置有制冷剂通路20，其用于流过对载置台构造14的下部、侧部进行冷却来进行温度调整的制冷剂。在载置台构造14设置有未图示的升降销，其在半导体晶片W的搬出搬入时升降，在与搬送臂之间进行半导体晶片W的搬运。 在上述处理容器12的底部设置有排气口 22，该排气口 22与上述排气本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种捕集机构，其特征在于：设置于从在被处理体的表面形成薄膜的成膜装置主体排出的排气流过的排气通路的途中，将所述排气中所包含的捕集对象气体冷却而液化来进行回收，所述捕集机构包括：具有气体入口和气体出口的壳体；将所述壳体内划分为多个滞留空间的划分部件；将所述滞留空间彼此连通的连通路径；和为了对所述排气进行冷却而对所述连通路径进行冷却的冷却套部。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：小森荣一，八木宏宪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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