氧化硅膜的制造方法技术

本发明专利技术提供一种氧化硅膜的制造方法。在该方法中，将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内，在设置了所述基板之后，利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气。在供给氢气之后，利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体，并且利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种。在该方法中，将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内，在设置了所述基板之后，利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气。在供给氢气之后，利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体，并且利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体。【专利说明】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
作为半导体集成电路(1(^ 1111:6取'￡11:6(1 011-01111:)等半导体装置的绝缘膜，广泛使用氧化硅膜，一直以来就在研究在晶圆表面上形成氧化硅膜的方法。 例如在日本特开2007 — 42884号公报中公开了一种氧化娃膜的成膜方法:使用立式的圆筒状的反应容器，向该反应容器内输入已保持有多张半导体晶圆的晶圆舟皿，将反应容器内设为真空，在加热之后，同时供给7203气体、氧气、氢气。 但是，当利用日本特开2007 — 42884号公报所公开的氧化硅膜的成膜方法于在表面具有金属膜的基板(晶圆)上形成氧化硅膜时，存在以下问题:金属膜表面被氧化，由金属膜的氧化引起的体积膨胀使得金属膜的形状发生变化，电阻劣化。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述现有技术所存在的问题，目的在于提供一种能够抑制形成于基板表面的金属膜的氧化的。 为了解决上述问题，本专利技术提供一实施方式的。在该方法中，将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内，在设置了所述基板之后，利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气，在将氢气供给到所述反应器内之后，利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体，并且利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体。 【专利附图】【附图说明】 图1是表示适合于实施本专利技术的实施方式的的成膜装置的首丨】视图。 图2是表示图1的成膜装置的反应容器内的结构的立体图。 图3是表示图1的成膜装置的反应容器内的结构的概略俯视图。 图4八和图48是图1的成膜装置的气体喷嘴和喷嘴罩的结构图。 图5是图1的成膜装置的局部剖视图。 图6是图1的成膜装置的其他局部剖视图。 图7是本专利技术的实施方式的的处理流程图。 图8是说明本专利技术的实施方式的的时序图。 图9是表示在本专利技术的实施例、比较例中在具有钨膜的基板上形成了氧化硅膜时产生了的氧化钨层的厚度的图表。 【具体实施方式】 以下，一边参照添加的附图，一边说明本专利技术的非限定性的例示的实施方式。在添加的所有附图中，对相同或对应的构件或零件标注相同或对应的附图标记，并省略重复说明。另外，附图并不是以表示构件或零件之间的相对比例为目的，因而，应该对照以下非限定性的实施方式由本领域技术人员来确定具体的尺寸。 (成膜装置) 首先，使用【专利附图】【附图说明】适合于实施本专利技术的本实施方式的的成 膜装置。 图1是适合于实施本实施方式的的成膜装置的一例的剖视图，图2是适合于实施本实施方式的的成膜装置的一例的立体图。另夕卜，图3是适合于实施本实施方式的的成膜装置的一例的概略俯视图。 参照图1?图3，该成膜装置包括具有大致圆形的俯视形状的扁平的反应容器(腔室)1和设于该反应容器1内、并在反应容器1的中心具有旋转中心的旋转台2。此时，反应容器1能够设为真空容器。反应容器1包括具有有底的圆筒形状的容器主体12和以能够借助例如0形密封圈等密封构件13(图1)相对于容器主体12的上表面气密地装卸的方式配置的顶板11。 旋转台2在中心部固定于圆筒形状的芯部21，该芯部21固定于沿铅垂方向延伸的旋转轴22的上端。旋转轴22贯穿反应容器1的底部14，旋转轴22的下端安装于使旋转轴22(图1)绕铅垂轴线旋转的驱动部23。旋转轴22和驱动部23收纳于上表面开口的筒状的壳体20内。该壳体20的设于其上表面的凸缘部分气密地安装于反应容器1的底部14的下表面，而维持着壳体20的内部气氛与外部气氛之间的气密状态。 在旋转台2的表面上，如图2和图3所示沿着旋转方向(周向)设有用于载置多个(在图示的例子中为5张)作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆”)？的圆形状的凹部24。另外，在图3中，为了方便而仅在1个凹部24上示出了晶圆I。该凹部24具有比晶圆评的直径(例如300111111)稍微大例如大4臟的内径和与晶圆评的厚度大致相等的深度。因而，若将晶圆I载置于凹部24，晶圆I的表面与旋转台2的表面(未载置有晶圆I的区域)成为相同的高度。 图2和图3是说明反应容器1内的结构的图，为了便于说明，省略了顶板11的图示。如图2和图3所示，在旋转台2的上方分别配置有例如由石英构成的第1气体喷嘴31、第2气体喷嘴321、322以及分离气体喷嘴41、42。在图示的例子中，在反应容器1的周向上隔开间隔地自输送口 15(后述)绕顺时针(旋转台2的旋转方向)依次排列有分离气体喷嘴41、第1气体喷嘴31、分离气体喷嘴42以及第2气体喷嘴321、322。这些喷嘴31、321、322,41及42的作为各自的基端部的气体导入部31^321^322^4121及423(图3)固定于容器主体12的外周壁，这些喷嘴31、321、322、41及42从反应容器1的外周壁被导入到反应容器1内。而且，以使喷嘴沿着容器主体12的半径方向相对于旋转台2平行地延伸的方式进行安装。 在本实施方式的中，能够从第2气体喷嘴321、322供给氢气和氧化气体。作为氧化气体，并不特别限定，但是优选使用例如含有氧气和/或臭氧气体的气体。因此，如图2、图3所示，设置两个第2气体喷嘴321、322，能够构成为从一个第2气体喷嘴321供给氢气、而从另一个第2气体喷嘴322供给氧气和丨或臭氧气体。此时，供给氢气、氧气和/或臭氧气体的喷嘴中的任一者皆可配置在旋转台的旋转方向的上游侧。即，也可以从一个第2气体喷嘴321供给氧气和/或臭氧气体，从另一个第2气体喷嘴322供给氢气。在如此设置两个第2气体喷嘴321、322的情况下，优选的是，第2气体喷嘴321与第2气体喷嘴322如图2、图3所示那样以相邻并且两者相互大致平行的方式配置，但是并不限定于该方式。例如，第2气体喷嘴321与第2气体喷嘴322也能够分开配置。 另外，在此，示出设置了两个第2气体喷嘴的例子，但是并不限定于该方式。例如，也能够设为设置1个第2气体喷嘴、并在该气体喷嘴与氢气的供给源和氧化气体的供给源之间设置了混合器等的结构。在该情况下，从氢气供给开始步骤到氧化气体供给开始步骤，能够从第2气体喷嘴仅供给氢气，在氧化气体供给开始步骤之后，能够从第2气体喷嘴供给氢气与氧化气体的混合气体。 另外，在后述的第2处理区域？2的面积较大的情况下，为了向第2处理区域？2内供给足够量的氢气和氧化气体，也可以设置多组第2气体喷嘴。例如，除了设置于第2处理区域？2中的靠旋转台2的旋转方向的最上游的部分的第2气体喷嘴321、322以外，还能够在旋转台的旋转方向的下游侧的任意场所设置第2气体喷嘴321、322。具体地说，也能够在例如图3中X所示的部分、即第2处理区域？2中的圆周方向的中央部再配置一组第2气体喷嘴321、322。在该情况下，再配置的一组第2气体喷嘴也能够与其他气体喷嘴相同地将气体导入部固定于容器主体12的外周壁，而能够从反应容器1的外周壁导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化硅膜的制造方法，其中，将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内，在设置所述基板的步骤之后，利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气，利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体，利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体，在开始供给所述氢气的步骤之后，实施开始供给所述氧化气体的步骤和开始供给所述含硅气体的步骤。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：田村辰也，熊谷武司，千叶贵司，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP