蚀刻到含氧化硅材料中的方法、形成容器电容器的方法和形成动态随机存取存储器（DRAM）阵列的方法技术

本发明专利技术提供在具有至少７５体积％的氦的蚀刻环境下蚀刻到含氧化硅材料中的方法。所述蚀刻环境还可包括一氧化碳、Ｏ↓［２］以及一种或一种以上碳氟化合物。可利用形成于所述含氧化硅材料中的开口来制造容器电容器，且可将这些电容器并入动态随机存取存储器（ＤＲＡＭ）中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及蚀刻到含氧化硅材料中的方法、形成容器电容器的方法和形成DRAM 阵列的方法
技术介绍
半导体处理常可包括蚀刻到含氧化硅材料中或蚀刻穿含氧化硅材料。含氧化硅材料 可以是未经掺杂的(且因此可由二氧化硅(Si02)组成)，或可以是经掺杂的(且因此 可包含(例如)硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、磷硅酸盐玻璃(PSG)和氟硅酸盐玻璃(FSG) 中的一者或一者以上)。蚀刻含氧化硅材料的一实例应用是电容器容器开口的形成。图1到图3说明用于在 含氧化硅材料内形成电容器容器开口的常规方法。参看图1,其展示处于初步处理阶段的半导体构造10。构造IO包含基底半导体材 料12，所述基底半导体材料12具有由此支撑的多个晶体管14、 16和18。所述基底半 导体材料可包含任何合适的半导体组合物或组合物的组合；且可(例如)包含轻微地背 景掺杂有适当的掺杂剂的单晶硅、基本上由所述单晶硅组成，或由所述单晶硅组成。所 述基底可为单晶硅晶片的一部分。可将基底12视为半导体衬底或半导体衬底的一部分。为辅助解释所附权利要求书， 将术语"半导电衬底"和"半导体衬底"定义为表示包含半导电材料的任何构造，包括 (但不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻到含氧化硅材料中的方法，其包含利用包括至少约７５体积％的氦的蚀刻环境。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉塞尔A本森，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]