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本发明提供在具有至少７５体积％的氦的蚀刻环境下蚀刻到含氧化硅材料中的方法。所述蚀刻环境还可包括一氧化碳、Ｏ↓［２］以及一种或一种以上碳氟化合物。可利用形成于所述含氧化硅材料中的开口来制造容器电容器，且可将这些电容器并入动态随机存取存储器（Ｄ...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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