真空处理装置和真空处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供真空处理装置和真空处理方法。该真空处理装置具备：基板的载置区域，其以随着旋转台的旋转进行公转的方式设置在该旋转台的一个面侧，在其周围形成有用于限制基板的位置的限制部；升降构件，其为了在外部的基板输送机构和所述旋转台之间交接基板而支承该基板并进行升降；以及排气机构，其用于在利用所述升降构件将基板载置在所述载置区域之前选择性地对该载置区域和基板之间的间隙进行排气。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及向作为真空气氛的处理容器内供给气体而对基板进行处理的。
技术介绍
作为在半导体晶圆(以下称作“晶圆”)等基板上形成氧化硅膜(S12)等薄膜的方法，例如公知有一种日本特开2011 — 151387号公报所记载的进行ALD (Atomic LayerDeposit1n，原子层沉积)的成膜装置。在该成膜装置中，在其内部被排气而形成为真空气氛的处理容器内设有水平的旋转台，在该旋转台上沿其周向设有多个可收纳晶圆的凹部。而且，以与该旋转台相对的方式配置有多个气体喷嘴。作为所述气体喷嘴，例如交替地配置有为了形成所述氧化硅膜而供给处理气体(反应气体)来形成处理气氛的喷嘴和供给用于在旋转台上将各处理气氛分离的分离气体的喷嘴。所述成膜装置具备以上下贯穿所述凹部的底面的方式升降自由的升降销。在该升降销的顶端支承有自输送机构交接的晶圆。通过使所述旋转台间歇地旋转和使所述升降销进行升降动作，将晶圆交接到各凹部的底面上。另外，在这样自输送机构向凹部内移载晶圆的过程中，确认到存在晶圆被载置在自晶圆原本要载置的位置偏离的位置的情况。考虑其原因在于，在交接所述晶圆的过程中，虽然处理容器内形成为真空气氛，但在所述凹部内也残留有气体。即，虽然在凹部内残留有气体的状态下晶圆朝向凹部的底面下降，但由于该残留气体，晶圆不密合于凹部的底面而成为自该底面浮起的状态，以沿横向滑动的方式移动。而且，被所述输送机构输送到旋转台的晶圆存在具有翘曲的情况。此外，即使在利用输送机构进行输送时没有翘曲，在朝向所述凹部下降时也存在由于自旋转台接受的热而晶圆的面内温度变得不均匀而翘曲的情况。这样发生了翘曲的晶圆如上所述由于凹部内的气体而浮起，若沿横向移动，则其周缘部有可能搭上该凹部的边缘。而且，在这样的状态下，若所述旋转台进行旋转，则由于旋转的离心力和形成在处理容器内的气流，晶圆就自凹部飞出，有可能无法在该晶圆上进行正常的成膜处理。在日本特开2011 - 151387号公报中并未记载解决该问题的方案。
技术实现思路
本专利技术即是在这样的情况下完成的，其目的在于提供一种这样的技术:对于形成真空气氛而向基板供给气体来进行处理的真空处理装置在将所述基板载置在旋转台的载置区域的过程中，防止载置在自该载置区域偏离的位置。本专利技术的一技术方案的真空处理装置具备:处理容器，其内部被排气而形成为真空气氛；旋转台，其设置在所述处理容器内；基板的载置区域，其以随着所述旋转台的旋转进行公转的方式设置在该旋转台的一个面侧，在其周围形成有用于限制基板的位置的限制部；气体供给部，其用于向所述旋转台上的基板供给处理气体；升降构件，其为了在外部的基板输送机构和所述旋转台之间交接基板而支承该基板并进行升降；以及排气机构，其用于在利用所述升降构件将基板载置在所述载置区域之前选择性地对该载置区域和基板之间的间隙进行排气。提供本专利技术的另一技术方案的真空处理方法。在该真空处理方法中，对处理容器的内部进行排气而使之为真空气氛，使设置在所述处理容器内的旋转台旋转，使这样的基板的载置区域公转，即该基板的载置区域设置在该旋转台的一个面侧并且在该基板的载置区域的周围形成有用于限制基板位置的限制部。而且，为了在基板的输送机构和所述旋转台之间交接基板，使支承着基板的升降构件升降，利用气体供给部向所述旋转台上的基板供给处理气体，在利用所述升降构件将基板载置在所述载置区域之前，利用排气机构选择性地对该载置区域和基板之间的间隙进行排气。【附图说明】图1是应用本专利技术的一实施方式的真空装置的成膜装置的纵剖视图。图2是表示所述的成膜装置的内部的概略结构的立体图。图3是所述成膜装置的横剖俯视图。图4是所述成膜装置的真空容器底部的纵剖侧视图。图5是设置在所述底部的升降销的立体图。图6是表示所述升降销的动作的第I说明图。图7是表示所述升降销的动作的第2说明图。图8是表示所述升降销的动作的第3说明图。图9是表示所述升降销的动作的第4说明图。图10是表示利用所述升降销向所述真空容器内交接晶圆的情形的第I说明图。图11是表示利用所述升降销向所述真空容器内交接晶圆的情形的第2说明图。图12是表示利用所述升降销向所述真空容器内交接晶圆的情形的第3说明图。图13是表示利用所述升降销向所述真空容器内交接晶圆的情形的第4说明图。图14是表示利用所述升降销向所述真空容器内交接晶圆的情形的第5说明图。图15是表示所述升降销的高度、排气的时刻等的时序图。图16是表示形成在真空容器内的气流的说明图。图17是表示升降销和施力机构的其他结构的说明图。图18是表示所述升降销的动作的第5说明图。图19是表示所述升降销的动作的第6说明图。图20是表示评价试验的结果的图表。图21是表示评价试验的结果的图表。【具体实施方式】第I实施方式一边参照图1?图3—边说明本专利技术的真空处理装置的一实施方式、即在作为基板的晶圆W上进行ALD的成膜装置I。图1是成膜装置I的纵剖侧视图，图2是表示成膜装置I的内部的概略立体图，图3是成膜装置I的横剖俯视图。成膜装置I具备大致圆形状的扁平的真空容器(处理容器)11和设置在真空容器11内的圆板状的水平的旋转台2。真空容器11由顶板12和容器主体13构成，该容器主体13形成真空容器11的侧壁和底部。如图1中所示，设有堵塞容器主体13的下侧中央部的罩14。构成晶圆W的载物台的旋转台2连接于旋转驱动机构15，该旋转台2利用旋转驱动机构15绕其中心轴线在周向上旋转。在旋转台2的表面侧(一面侧)沿着所述旋转方向形成有5个圆形的凹部21，在该凹部21的底面21a上载置有作为基板的晶圆W。也就是说，该凹部21构成晶圆W的载置区域，凹部21的侧壁构成用于限制旋转台2上的晶圆W的位置的限制部。通过旋转台2的旋转，收纳在凹部21中的晶圆W绕所述旋转台2的中心轴线公转。图1中表示的凹部21的侧壁的高度H1、晶圆W的厚度H2例如分别为L8mm、0.8mmo在各凹部21的底面21a上穿设有3个在旋转台2的表背方向上贯穿旋转台2的贯通孔22。该贯通孔22兼作为用于对凹部21进行排气的气体吸引路径和后述的升降销51的移动路径。在真空容器11的侧壁上开口有晶圆W的输送口 16，该输送口 16利用闸阀17以开闭自由的方式构成。成膜装置I的外部的晶圆输送机构18能够经由输送口 16进入到真空容器11内。晶圆输送机构18用于向与输送口 16相对的凹部21交接晶圆W。自旋转台2的外周朝向中心延伸的棒状的第I反应气体喷嘴31、分离气体喷嘴32、第2反应气体喷嘴33以及分离气体喷嘴34沿着周向以第I反应气体喷嘴31、分离气体喷嘴32、第2反应气体喷嘴33以及分离气体喷嘴34的顺序分别配设在旋转台2上。这些气体喷嘴31?34在其下方具备开口部35，分别沿着旋转台2的直径分别供给气体。第I反应气体喷嘴31喷出BTBAS (双叔丁基氨基硅烷)气体，第2反应气体喷嘴33喷出O3 (臭氧)气体。分离气体喷嘴32、34喷出N2 (氮)气体。所述真空容器11的顶板12具备向下方突出的扇状的两个突状部23，突状当前第1页1 2 3 4 5 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空处理装置，其中，该真空处理装置具备：处理容器，其内部被排气而形成为真空气氛；旋转台，其设置在所述处理容器内；基板的载置区域，其以随着所述旋转台的旋转进行公转的方式设置在该旋转台的一个面侧，在其周围形成有用于限制基板的位置的限制部；气体供给部，其用于向所述旋转台上的基板供给处理气体；升降构件，其为了在外部的基板输送机构和所述旋转台之间交接基板而支承该基板并进行升降；以及排气机构，其用于在利用所述升降构件将基板载置在所述载置区域之前选择性地对该载置区域和基板之间的间隙进行排气。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：榎本忠，高桥喜一，田中恵一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP