一种剔出芯片点测过程中不良晶粒的装置制造方法及图纸

技术编号:11751386 阅读:146 留言:0更新日期:2015-07-20 00:50
本实用新型专利技术提供一种剔出芯片点测过程中不良晶粒的装置,该装置是在晶圆片测试芯片晶粒时,发现不合格的失效晶粒,在失效晶粒上正常打点,并注入磁性油墨,在切割、分离后的晶粒两侧,布设两根非磁性导轨,导轨距分离后的晶粒的高度在4-6mm,在两根导轨之间架设一磁钢滚筒,磁钢滚筒受电机带动,沿导轨来回滚动,吸出晶圆片上的不良晶粒。所述磁性油墨的磁极性与磁钢滚筒的磁极性相反。本实用新型专利技术的优点是,剔出不合格晶粒效率高,成品率高,大大降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体芯片制造过程中,拣出不合格芯粒的装置。
技术介绍
目前,在晶圆片测试芯片晶粒时,发现不合格的失效晶粒,在失效晶粒上正常打点,并注入油墨,然后烘干、贴膜、切害U、分离晶粒,通过人工,用镊子或小刀剔出一个一个微小的不良晶粒,这样不但会误伤邻近合格的晶粒,而且既费人工,生产效率低。
技术实现思路
为解决前述在晶圆片测试芯片晶粒时,拣出不合格芯粒存在的问题,本技术提供一种剔出芯片点测过程中不良晶粒的装置,该装置是在晶圆片测试芯片晶粒时,发现不合格的失效晶粒,在失效晶粒上正常打点,并注入磁性油墨,在切割、分尚后的晶粒两侧,布设两根非磁性导轨,导轨距分离后的晶粒的高度在4-6_,在两根导轨之间架设一磁钢滚筒,磁钢滚筒受电机带动,沿导轨来回滚动,吸出晶圆片上的不良晶粒。所述磁性油墨的磁极性与磁钢滚筒的磁极性相反。本技术的优点是,剔出不合格晶粒效率高,成品率高,大大降低了生产成本。【附图说明】图1是本技术的主视图。图2是图1的俯视图。图3是没有剔出不合格晶粒示意图。图4是副出不合格晶粒后不意图。图5是在晶圆测试打点站时,将磁性油墨加注入打点器内,并在失效晶粒上正常打点示意图。图6是将测试打点完毕晶粒按照正常制程放加热平台烘烤示意图。图中标号说明:1-磁钢滚筒;2_非磁性导轨;3_防静电垫;4_合格晶粒;5_不合格晶粒。【具体实施方式】请参阅附图5所示,在晶圆测试打点站时,将磁性油墨加注入打点器内(图中黑的圆点),并在失效晶粒上正常打点;请参阅附图6所示,将测试打点完毕晶粒按照正常制程放加热平台烘烤10分钟左右。然后将晶圆正常贴蓝膜、切割成晶粒,最后下蓝分离晶粒。在分离后的晶粒两侧,布设两根非磁性导轨2,导轨2距分离后的晶粒4、5的高度在4-6_,在两根导轨2之间架设一磁钢滚筒1,磁钢滚筒I受电机带动,沿导轨2来回滚动,吸出晶圆片上的不良晶粒5。所述磁性油墨的磁极性与磁钢滚筒的磁极性相反。【主权项】1.一种剔出芯片点测过程中不良晶粒的装置,其特征在于,在晶圆片测试芯片晶粒时,发现不合格的失效晶粒,在失效晶粒上正常打点,并注入磁性油墨,在切割、分离后的晶粒两侧,布设两根非磁性导轨,导轨距分离后的晶粒的高度在4-6_,在两根导轨之间架设一磁钢滚筒,磁钢滚筒受电机带动,沿导轨来回滚动,吸出晶圆片上的不良晶粒。【专利摘要】本技术提供一种剔出芯片点测过程中不良晶粒的装置,该装置是在晶圆片测试芯片晶粒时,发现不合格的失效晶粒,在失效晶粒上正常打点,并注入磁性油墨,在切割、分离后的晶粒两侧,布设两根非磁性导轨,导轨距分离后的晶粒的高度在4-6mm,在两根导轨之间架设一磁钢滚筒,磁钢滚筒受电机带动,沿导轨来回滚动,吸出晶圆片上的不良晶粒。所述磁性油墨的磁极性与磁钢滚筒的磁极性相反。本技术的优点是,剔出不合格晶粒效率高,成品率高,大大降低了生产成本。【IPC分类】H01L21-67【公开号】CN204481007【申请号】CN201520153191【专利技术人】沈峰, 常彩青, 黄建勋 【申请人】上海旭福电子有限公司, 敦南微电子(无锡)有限公司【公开日】2015年7月15日【申请日】2015年3月18日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种剔出芯片点测过程中不良晶粒的装置,其特征在于,在晶圆片测试芯片晶粒时,发现不合格的失效晶粒,在失效晶粒上正常打点,并注入磁性油墨,在切割、分离后的晶粒两侧,布设两根非磁性导轨,导轨距分离后的晶粒的高度在4‑6mm,在两根导轨之间架设一磁钢滚筒,磁钢滚筒受电机带动,沿导轨来回滚动,吸出晶圆片上的不良晶粒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:沈峰常彩青黄建勋
申请(专利权)人:上海旭福电子有限公司敦南微电子无锡有限公司
类型:新型
国别省市:上海;31

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