一种半导体激光器的封装方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体激光器的封装方法，包括以下步骤，在半导体激光器的芯片的制作过程中，对半导体激光器的芯片进行一次扩散处理，然后将半导体激光器的芯片在温度180℃至260℃下进行8至60小时的加热处理，让芯片内部结构进行二次充分扩散。本发明专利技术的有益效果是：本发明专利技术解决了芯片上金属电极P/N面与芯片半导体材料欧姆接触不良的问题，降低了发射半导体激光器的正向电压，使产品的报废率、不良率减少，使产品有效利用率大幅提高，降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光器
，具体涉及。
技术介绍
半导体激光器具有体积小、重量轻、电光转换效率高、性能稳定、可靠性高和寿命长等优点，可广泛应用于通信、计算机、影视、制造业、航天航空、医疗等领域，已经成为光电行业最有前途的领域。对半导体激光器的性能参数进行测试和表征是理解掌握激光器特性的关键；同时也是判断激光器好坏的重要依据。 对半导体激光器测试的性能参数重要包括LIV(功率-电流-电压)、波长、光谱等，其中LIV测试是半导体激光器的基本测试项目。 目前用于半导体激光器LIV测试的仪器其基本原理都是采用双通道源精密源测量单元、积分球探测器；LD的电流驱动源同时监测正向导通电压降V和工作电流I，LD激发出来的光经积分球探测器转化成光电流，从而通过系数换算得到实际对应的光功率。 通过对LD施加外驱动电流，测其正向电压，会发现其正向电压值Vf通常偏大。对LD TO进行分析，下列原因会决定了 Vf的数值: a、LD芯片与热沉之间存在电阻； b、芯片电极与底座管脚之间的焊线产生的电阻； C、芯片金属电极P面、N面与芯片半导体材料欧姆接触不良； d、测试系统的线路的串联电阻。 上述4种情况中，控制好生产和测试设备及工艺参数后，往往第三种情况是影响Vf的最主要因素。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，解决芯片上金属电极P/N面与芯片半导体材料欧姆接触不良的问题。 本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:，包括以下步骤，在半导体激光器的芯片的制作过程中，对半导体激光器的芯片进行一次扩散处理，然后将半导体激光器的芯片在温度180°C至260°C下进行8至60小时的加热处理，让芯片内部结构进行二次充分扩散。 进一步，所述加热处理的温度为200°C，时间为8小时。 进一步，所述加热处理是在所述芯片安装完成后，即将半导体激光器的把条、芯片和同轴TO-Can半成品/成品作为一个整体来进行加热处理。 本专利技术的有益效果是:本专利技术提供了，解决了芯片上金属电极P/N面与芯片半导体材料欧姆接触不良的问题，降低了发射激光器的正向电压，使广品的报废率、不良率减少，使广品有效利用率大幅提闻，降低成本。 【具体实施方式】 以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。 ，包括以下步骤，在半导体激光器的芯片的制作过程中，对半导体激光器的芯片进行一次扩散处理，然后将芯片在温度180°C至260°C下进行8至60小时的加热处理，让芯片内部结构进行二次充分扩散，改善芯片金属电极P面、N面与芯片半导体材料欧姆接触不良的问题。 优选的，所述加热处理是在所述芯片安装完成后，即将半导体激光器的把条、芯片和同轴TO-Can半成品/成品作为一个整体来进行加热处理。所述加热处理的温度为200 V，时间为8小时。 对本专利技术进行实验分析，实验中对150只1550nm FPTO-Can不良成品进行加热处理二次扩散实验，在200°C温度下烘烤8小时，产品的正向电压值有95%恢复到正常值状态；对其余不良品继续做高温烘烤实验，其正向电压值也都恢复到正常范围。 以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器的封装方法，其特征在于，包括以下步骤，在半导体激光器的芯片的制作过程中，对半导体激光器的芯片进行一次扩散处理，然后将半导体激光器的芯片在温度180℃至260℃下进行8至60小时的加热处理，让芯片内部结构进行二次充分扩散。

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器的封装方法，其特征在于，包括以下步骤，在半导体激光器的芯片的制作过程中，对半导体激光器的芯片进行一次扩散处理，然后将半导体激光器的芯片在温度180°C至260°C下进行8至60小时的加热处理，让芯片内部结构进行二次充分扩散。2.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明，
申请(专利权)人：长贝光电武汉有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42