A stepped ridge semiconductor laser, the semiconductor laser includes a substrate, which are sequentially arranged from the bottom of the lower cladding layer, an active region, the first upper cladding and second cladding, cladding layer and the contact layer third, the thickness of cladding and the third cladding layer thickness is larger than second, the contact third layer and a cladding layer on the first ridge, the second upper clad layer constitute the second ridges, the second ridges is larger than the width of the first ridge width; the preparation method comprises the following steps: (1) growth in sequence on the substrate under cladding, the active region, the first cladding, second pack on the third layer, the cladding layer and the contact layer; (2) the first contact layer outside the bar graph area removed, to a depth of third clad layer on bottom surface, forming a first ridge; (3) the removal of second cladding layer on both sides of part, the formation of second ridge. The utility model has the advantages that the threshold current and the reliability of the semiconductor laser can be obtained at the same time, that is, the lower operating current can be obtained, and the power reliability of the semiconductor laser is higher.
【技术实现步骤摘要】
一种阶梯脊型半导体激光器
本技术涉及一种阶梯脊型半导体激光器的结构,属于半导体激光器的
技术介绍
近年来,半导体激光器发展迅速,它具有结构紧凑、成本较低、光场易于调控等优点,被广泛应用于工业加工、激光显示及照明、光通信、激光理疗等方面。相比于条形增益导引激光器及掩埋结构的强折射率导引激光器,脊型结构的激光器不仅具有结构简单,一次外延直接得到,并且可以提供弱折射率导引,提高微分效率,因而是一种常见的激光器结构。半导体激光器的光电转换效率及寿命是两个十分重要的参数。对于半导体激光器来说,它与发光二极管最明显的区别是它存在阈值电流。工作电流位于阈值电流以下时,没有激光输出,电流是在做无用功,所以应该想办法降低其阈值电流。半导体激光器的阈值电流密度同其外延结构设计及外延材料生长有关,近年来已经降到了1kA/cm2以内。在阈值电流密度恒定的情况下,器件的阈值电流同其条形电流注入区的面积有关。条宽越小,实现激光输出的阈值电流也就越小。但是它与激光器的寿命是矛盾的。条宽越小时,脊型波导的横截面积也越小。在相同光功率输出时,腔面所承受的光功率密度会变大,这就会加速腔面处缺陷的形成并恶化。达到一定程度时,就会造成激光功率的衰减,严重时腔面会发生光学灾变损伤(COD),激光器瞬间失效。所以,要想提高激光器的COD功率,必须使用宽条大光腔结构。中国专利文献CN105226502A公开了一种窄脊条型GaAs基GalnP量子阱结构半导体激光器的制备方法,通过在外延片上面旋涂光刻胶后利用PECVD生长干法刻蚀的掩膜,再选用合适的光刻版通过光刻制备需要的掩膜图形,利用干法刻蚀 ...
【技术保护点】
一种阶梯脊型半导体激光器,包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、第一上包层、第二上包层、第三上包层和接触层,其特征是:所述第三上包层的厚度大于第二上包层的厚度,所述接触层与第三上包层构成第一条脊,所述第二上包层构成第二条脊,所述第二条脊的宽度大于第一条脊的宽度。
【技术特征摘要】
1.一种阶梯脊型半导体激光器,包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、第一上包层、第二上包层、第三上包层和接触层,其特征是:所述第三上包层的厚度大于第二上包层的厚度,所述接触层与第三上包层构成第一条脊,所述第二上包层构成第二条脊,所述第二条脊的宽度大于第一条脊的宽度。2.根据权利要求1所述阶梯脊型半导体激光器,其特征是,所述第一上包层的厚度为100-300nm。3.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱振,张新,徐现刚,
申请(专利权)人:山东华光光电子股份有限公司,
类型:新型
国别省市:山东,37
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