一种具有高亮度红黄光mini外延片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及光电子技术领域，且公开了一种具有高亮度红黄光mini外延片，包括GaAs衬底、GaAs‑buffer层、腐蚀截至层、N侧欧姆接触层、电流扩展层、AlInP限制层、MQW发光层、AlInP限制层和GaP层，所述AlInP限制层的顶部设有GaP接触层，所述GaP接触层的顶部设有GaP电流横向扩展层，所述GaP电流横向扩展层的顶部设有高速GaP层。该具有高亮度红黄光mini外延片及其制备方法，通过在AlGaInP过渡层上生长三层GaP：GaP接触层、高低掺间隔GaP层和高速GaP层，高低掺间隔GaP的掺杂量差>1E18，使电流在高掺层尽可能走的更远，从而实现更加充分的电流扩展，提高发光亮度、提升亮度均匀性、改善老化，且可以减薄GaP的生长厚度，降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电子，具体为一种具有高亮度红黄光mini外延片及其制备方法。

技术介绍

1、在近年来，led是近年来发展迅速，led在照明、交通显示、通信、背光灯领域占有重要地位，led的尺寸也向小尺寸发展，mini-led可作为背光源应用于大尺寸显示屏、智能手机和笔记本等产品，发展前景广阔。

2、根据我们现有的mini产品，外延层包括gaas衬底、gaas-buffer、腐蚀截止层、gaas欧姆接触层、algainp电流扩展层、alinp限制层、mqw、p-ainp限制层、过渡层、较厚的gap窗口层。管芯端去除gaas衬底至腐蚀截止层，将n面电极图形镀在gaas欧姆接触层上，将一侧从gaas欧姆接触层腐蚀至p-gap，将p面电极图形镀在p-gap上，在gap面进行粗化后与蓝宝石进行键合形成出光面。

3、在现有结构中，mini产品的n/p的电极制作于同侧，这会导致横向电流扩展较差，使得该结构中容易出现发光不均匀，亮度较低，芯片发热严重，老化趋于偏衰的现象。

4、因此，本专利技术设计了一种外延结构，可以有效改善横向电流扩展本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有高亮度红黄光mini外延片，包括GaAs衬底(L11)、GaAs-buffer层(L10)、腐蚀截至层(L09)、N侧欧姆接触层(L08)、电流扩展层(L07)、AlInP限制层(L06)、MQW发光层(L05)和AlInP限制层(L04)，所述GaAs衬底(L11)的顶部连接有GaAs-buffer层(L10)，所述GaAs-buffer层(L10)的顶部连接有腐蚀截至层(L09)，所述腐蚀截至层(L09)的顶部连接有N侧欧姆接触层(L08)，所述N侧欧姆接触层(L08)的顶部设有电流扩展层(L07)，所述电流扩展层(L07)的顶部设有AlInP限制层(L06)，所述AlI...

【技术特征摘要】

1.一种具有高亮度红黄光mini外延片，包括gaas衬底(l11)、gaas-buffer层(l10)、腐蚀截至层(l09)、n侧欧姆接触层(l08)、电流扩展层(l07)、alinp限制层(l06)、mqw发光层(l05)和alinp限制层(l04)，所述gaas衬底(l11)的顶部连接有gaas-buffer层(l10)，所述gaas-buffer层(l10)的顶部连接有腐蚀截至层(l09)，所述腐蚀截至层(l09)的顶部连接有n侧欧姆接触层(l08)，所述n侧欧姆接触层(l08)的顶部设有电流扩展层(l07)，所述电流扩展层(l07)的顶部设有alinp限制层(l06)，所述alinp限制层(l06)的顶部设有mqw发光层(l05)，所述mqw发光层(l05)的顶部设有alinp限制层(l04)，其特征在于：所述alinp限制层(l04)的顶部设有gap接触层(l03)，所述gap接触层(l03)的顶部设有gap电流横向扩展层(l02)，所述gap电流横向扩展层(l02)的顶部设有高速gap层(l01)，所述gap电流横向扩展层(l02)由高掺层和低掺层组成，且所述gap电流横向扩展层(l02)的顶端和底端均为高掺层，两个高掺层的内侧为低掺层。

2.根据权利要求1所述的一种具有高亮度红黄光mini外延片，其特征在于：所述腐蚀截至层(l09)的材料为gainp，所述腐蚀截至层(l09)的厚度为300nm-500nm。

3.根据权利要求1所述的一种具有高亮度红黄光mini外延片，其特征在于：所述电流扩展层(l07)...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓桃，刘春华，范洋洋，张新，于军，
申请(专利权)人：山东华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：