晶体管、半导体结构、存储器及其形成方法技术

本公开实施例提供一种晶体管、半导体结构、存储器及半导体结构的形成方法、存储器的形成方法。其中，晶体管包括：源极结构、沟道、漏极结构以及栅极结构；其中，沟道沿第一方向依次具有相对设置的第一端面和第二端面；源极结构从第一端面沿第二方向延伸，且源极结构沿第一方向依次具有相对设置的第三端面和第四端面，第四端面与第一端面连接；漏极结构从第二端面沿第二方向的反方向延伸，且漏极结构沿第一方向依次具有相对设置的第五端面和第六端面，第五端面与第二端面连接，第二方向与第一方向相交；栅极结构环绕沟道、并与第四端面和第五端面连接。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及但不限于半导体，尤其涉及一种晶体管、半导体结构、存储器及半导体结构的形成方法、存储器的形成方法。

技术介绍

1、随着半导体器件集成度的增加，对半导体器件中各元件的尺寸以及各元件之间的间距等不断减小，从而对各元件的形貌的设计要求越来越高。以晶体管为例，晶体管通常包含源极结构、沟道、漏极结构和栅极结构，随着晶体管尺寸的不断减小，栅极结构的形貌也在不断发生变化，以提高较小尺寸的栅极结构对沟道的控制能力，但是，在晶体管的形成工艺中对栅极结构的形貌控制通常较为困难。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供一种晶体管、半导体结构、存储器及半导体结构的形成方法、存储器的形成方法。

2、本公开实施例提供一种晶体管，包括：

3、源极结构、沟道、漏极结构以及栅极结构；其中，

4、沟道沿第一方向依次具有相对设置的第一端面和第二端面；源极结构从第一端面沿第二方向延伸，且源极结构沿第一方向依次具有相对设置的第三端面和第四端面，第四端面与第一端面连接；漏极结构从第二端面沿第二方向的反方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极结构包括沿所述第一方向依次连接的第一栅极子部、第二栅极子部和第三栅极子部；所述第一栅极子部与所述源极结构沿所述第二方向依次连接；所述第二栅极子部全环绕所述沟道、并与所述第四端面和所述第五端面连接；所述漏极结构与所述第三栅极子部沿所述第二方向依次连接；在所述第一方向上，所述第一栅极子部的尺寸与所述源极结构的尺寸相同，所述第二栅极子部的尺寸与所述沟道的尺寸相同，所述第三栅极子部的尺寸与所述漏极结构的尺寸相同。

3.根据权利要求1或2所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括与所述源...

【技术特征摘要】

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极结构包括沿所述第一方向依次连接的第一栅极子部、第二栅极子部和第三栅极子部；所述第一栅极子部与所述源极结构沿所述第二方向依次连接；所述第二栅极子部全环绕所述沟道、并与所述第四端面和所述第五端面连接；所述漏极结构与所述第三栅极子部沿所述第二方向依次连接；在所述第一方向上，所述第一栅极子部的尺寸与所述源极结构的尺寸相同，所述第二栅极子部的尺寸与所述沟道的尺寸相同，所述第三栅极子部的尺寸与所述漏极结构的尺寸相同。

3.根据权利要求1或2所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括与所述源极结构连接的源极扩展结构、与所述漏极结构连接的漏极扩展结构；其中，

4.根据权利要求3所述的晶体管，其特征在于，所述源极扩展结构与所述源极结构沿所述第一方向依次连接，所述漏极结构与所述漏极扩展结构沿所述第一方向依次连接；

5.一种半导体结构，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述存储结构通过源极扩展结构和/或金属硅化结构与所述源极结构连接；

7.根据权利要求5或6所述的半导体结构，其特征在于，所述存储结构包括第一存储子部、第二存储子部和第三存储子部；

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，在所述第二方向上，所述存储结构的最大...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐怡，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：