温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开实施例提供一种晶体管、半导体结构、存储器及半导体结构的形成方法、存储器的形成方法。其中，晶体管包括：源极结构、沟道、漏极结构以及栅极结构；其中，沟道沿第一方向依次具有相对设置的第一端面和第二端面；源极结构从第一端面沿第二方向延伸，且源...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。