【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种能够兼顾高速动作和高输出化的光半导体装置。
技术介绍
近年来，光通信的高速化进步显著，光半导体装置的需要进行高速动作的用途不断增加。另外，为了以低成本实现高速动作，要求一种直接调制型的半导体激光器，其对在高温下也能够使用的分布反馈型半导体激光器直接进行高速调制。在该直接调制型的激光器中，需要为了实现高速动作而使元件电容较小，并且需要在高温下也能够得到足够的光输出。因此，提出了一种在埋入层中使用P型半导体层和高电阻半导体层而得到的构造(例如，参照专利文献1)。另外，为了实现高输出化，减少激光器的发光区域即活性层及其周边的光、载流子的损失是有效的。另外，为了实现高速动作，张弛振动频率的增大是有效的。因此，提出了一种使用了调制掺杂构造的元件，该调制掺杂构造是在多量子阱构造的势皇层中添加P型掺杂物的构造(例如，参照专利文献2)。专利文献1:日本特开2011 — 249767号公报专利文献2:日本专利第4517653号公报专利文献3:日本特开平7 — 111361号公报为了得到较高的张弛振动频率，使用在活性层的势皇层中添加了作为扩散速度极小的P型...
【技术保护点】
一种光半导体装置，其特征在于，具备：台面条带构造，其具有依次层叠的n型包覆层、活性层、以及p型包覆层；以及埋入层，其埋入在所述台面条带构造的两侧，所述活性层是具有阱层和添加有碳的势垒层的多量子阱构造，所述埋入层具有依次层叠的p型半导体层、和Fe掺杂或Ru掺杂的高电阻半导体层，所述n型包覆层的侧面由所述p型半导体层覆盖，与所述高电阻半导体层不相接，所述活性层的侧面与所述p型半导体层不相接。
【技术特征摘要】
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