【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光器，具体为一种大功率半导体激光器垂直烧结夹具及其烧结方法。
技术介绍
1、目前，大功率的ld在红外照明、激光测距、泵浦技术、材料生产加工、高能武器、医疗美容等方面都有所应用，且在经济发展、国家安防等方面做出了突出贡献。以cs结构的半导体激光器中808波段在激光泵浦方面应用为主，1064波段可用于融脂理疗方面。目前回流焊技术成熟，使用真空共晶炉烧结逐渐代替人手动烧结，提高了生产的效率及稳定性。
2、然而，不同结构模块烧结所需烧结条件及本身结构差异使得烧结出的效果不尽相同。目前现有使用的烧结夹具普遍为斜坡夹具：即定位底座为l形，第一面与水平面的夹角为30°，第二面与水平面的夹角为60°。由于重力等因素的影响，现有的斜坡夹具在使用时焊料略厚会出现如图5所述的情况：焊料爬满钨铜热沉，甚至于少量蔓延至腔面的情况，最终导致通电烧毁；压力不足会导致焊料填充不足，出现空洞的现象；受力不均时会出现翘边现象；由此，本专利技术采用垂直方向放置并配合压块使巴条受力均匀且不易上爬焊料导致遮挡损毁巴条而造成损失。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种大功率半导体激光器垂直烧结夹具及其烧结方法，通过改变压块及产品放置受力方向，从而改变焊料融化时受力，使其更好的浸润钨铜热沉与铜热沉，解决了上述
技术介绍
中提出的斜坡夹具可能存在的焊料上溢的问题。
2、本专利技术提供如下技术方案：一种大功率半导体激光器垂直烧结夹具，包括垂直底座和大压块，所述垂直底座包括水平部和竖直部，
3、优选的，所述大压块为钳形。
4、优选的，所述刃型压片为弹簧压片，相邻的两个刃型压片之间的距离相同，可单独伸缩，三个所述刃型压片与大压块竖直边缘的间距分别为0.4至0.6mm、0.9至1.1mm和1.4至1.6mm。
5、优选的，所述垂直底座竖直部和水平部呈90°夹角，所述垂直底座的水平部的厚度大于其竖直部的厚度。
6、一种大功率半导体激光器垂直烧结夹具的使用方法，包括以下步骤：
7、步骤一、将垂直底座及大压块使用丙酮、乙醇进行超声清洗，并将上面的液体吹干净，留出备用；
8、步骤二、将垂直底座放置在超净台内，取出cs铜热沉，将其放置在垂直底座水平部的顶部，cs铜热沉的前端与垂直底座的竖直部贴合紧密，在烧结区域放置一片sac焊片，再将烧结有钨铜热沉的巴条放置在铜热沉烧结区域，钨铜热沉与sac焊片接触，巴条的腔面对紧垂直底座的竖直部；
9、步骤三、在巴条上表面(n面)放置1个钨铜热沉，构成钨铜热沉与巴条组合体，再将大压块顺着垂直底座的竖直部放置在钨铜热沉上，使其正好卡住不倾倒，使用棉签等工具微调各部位位置及贴合面，避免出现歪斜，完成摆放；
10、步骤四、将摆放完成的夹具放置在真空共晶炉中进行烧结。
11、优选的，所述sac焊片的厚度为0.05mm或0.025mm，所述sac焊片的长度在12-14mm，所述sac焊片的宽度值宽于巴条腔长值。
12、优选的，所述巴条的腔长为1.5-2mm，所述巴条顶部放置的钨铜热沉的长度与巴条的长度相同，该钨铜热沉的宽度与巴条的宽度相同，该钨铜热沉的厚度大于0.5mm，所述巴条下方的钨铜热沉的腔长不小于巴条的腔长。
13、与现有技术对比，本专利技术具备以下有益效果：
14、1、该大功率半导体激光器垂直烧结夹具及其烧结方法，通过改变压块及产品放置受力方向，从而改变焊料融化时受力，使其更好的浸润钨铜热沉与铜热沉，能够相对改善上溢情况，并使得真空共晶炉程式设定有更大的工艺窗口的。
15、2、该大功率半导体激光器垂直烧结夹具及其烧结方法，通过垂直底座形状的设置，提高该夹具的稳定性，且可以使大压块的位置固定，降低大压块重力等因素的影响，使产品受力方向及大小均固定，改善焊料上溢情况。
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1.一种大功率半导体激光器垂直烧结夹具，包括垂直底座(1)和大压块(2)，其特征在于：所述垂直底座(1)包括水平部和竖直部，所述垂直底座(1)竖直部外侧的顶端与大压块(2)的一端适配，所述垂直底座(1)竖直部后侧的底端为三角形延伸，所述大压块(2)另一端的底部镶嵌有三个刃型压片，且三个刃型压片平齐。
2.根据权利要求1所述的一种大功率半导体激光器垂直烧结夹具，其特征在于：所述大压块(2)为钳形。
3.根据权利要求2所述的一种大功率半导体激光器垂直烧结夹具，其特征在于：所述刃型压片为弹簧压片，相邻的两个刃型压片之间的距离相同，可单独伸缩，三个所述刃型压片与大压块(2)竖直边缘的间距分别为0.4至0.6mm、0.9至1.1mm和1.4至1.6mm。
4.根据权利要求1所述的一种大功率半导体激光器垂直烧结夹具，其特征在于：所述垂直底座(1)竖直部和水平部呈90°夹角，所述垂直底座(1)的水平部的厚度大于其竖直部的厚度。
5.根据权利要求1至4任一所述的一种大功率半导体激光器垂直烧结夹具的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：
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7.根据权利要求5所述的一种大功率半导体激光器垂直烧结夹具的使用方法，其特征在于：所述巴条的腔长为1.5-2mm，所述巴条顶部放置的钨铜热沉的长度与巴条的长度相同，该钨铜热沉的宽度与巴条的宽度相同，该钨铜热沉的厚度大于0.5mm，所述巴条下方的钨铜热沉的腔长不小于巴条的腔长。
...【技术特征摘要】
1.一种大功率半导体激光器垂直烧结夹具，包括垂直底座(1)和大压块(2)，其特征在于：所述垂直底座(1)包括水平部和竖直部，所述垂直底座(1)竖直部外侧的顶端与大压块(2)的一端适配，所述垂直底座(1)竖直部后侧的底端为三角形延伸，所述大压块(2)另一端的底部镶嵌有三个刃型压片，且三个刃型压片平齐。
2.根据权利要求1所述的一种大功率半导体激光器垂直烧结夹具，其特征在于：所述大压块(2)为钳形。
3.根据权利要求2所述的一种大功率半导体激光器垂直烧结夹具，其特征在于：所述刃型压片为弹簧压片，相邻的两个刃型压片之间的距离相同，可单独伸缩，三个所述刃型压片与大压块(2)竖直边缘的间距分别为0.4至0.6mm、0.9至1.1mm和1.4至1.6mm。
4.根据权利要求1所述的一种大功率半导体激光器垂直烧结夹...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓达超，付传尚，孙素娟，位晓凤，
申请(专利权)人：山东华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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