【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高集成度的方向发展。其中，垂直晶体管作为一种允许进一步增加半导体芯片中器件密度的有前途的器件，垂直晶体管包括垂直环绕沟道(channel-all-around，简称caa)晶体管。
2、目前，三维存储结构由于相较于二维存储结构具有更高的单位面积存储密度而被市场广泛关注。然而，caa晶体管在三维存储结构中的的实现仍然存在很大的发展空间。
技术实现思路
1、基于此，本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，可以实现三维存储结构中的垂直环绕沟道晶体管结构。
2、一方面，本申请提供了一种半导体结构，包括：衬底以及设置于所述衬底一侧的一层或多层阵列结构；每层所述阵列结构包括：
3、多个柱状结构，沿第一方向排布呈行；
4、多个字线，平行间隔设置；所述字线沿所述第一方向延伸，且一条所述字线穿过一行所述柱状结构。
...【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底以及设置于所述衬底一侧的一层或多层阵列结构；每层所述阵列结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述柱状结构包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第三半导体部在所述衬底上正投影的轮廓、所述第一半导体部在所述衬底上正投影的轮廓和所述第二半导体部在所述衬底上正投影的轮廓均重合或大致重合。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述柱状结构包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第三半导体部包括：在第二方向上间隔设...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底以及设置于所述衬底一侧的一层或多层阵列结构；每层所述阵列结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述柱状结构包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第三半导体部在所述衬底上正投影的轮廓、所述第一半导体部在所述衬底上正投影的轮廓和所述第二半导体部在所述衬底上正投影的轮廓均重合或大致重合。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述柱状结构包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第三半导体部包括：在第二方向上间隔设置的第一子部和第二子部；所述第二方向与所述第一方向相交；
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第三半导体部背离所述衬底的表面与所述第二半导体部背离所述衬底的表面位于同一平面。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第三半导体部靠近所述衬底的表面至所述衬底的距离为第一距离；所述第一半导体部背离所述衬底的表面至所述衬底的距离为第二距离；所述第一距离小于所述第二距离。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体结构，其特征在于，每两层所述阵列结构构成一层存储层；所述存储层中在轴线方向上相邻设置的两个所述柱状结构分别为第一柱状结构和第二柱状结构；所述第一柱状结构和所述第二柱状结构共同构成一个存储单元；
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述写入字线的延伸方向与所述读取字线的延伸方向不同。
10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二柱状结构位于所述第一柱状结构背离所述衬底的一侧；每层所述存储层还包括：
11.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二柱状结构位于所述第一柱状结构背离所述衬底的一侧；每层所述存储层还包括：
12.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：与每层所述阵列结构对应设置的多个存储模块；
...【专利技术属性】
技术研发人员：邵光速，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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