半导体结构及其制作方法技术

本公开提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构，包括：衬底；源极层，位于衬底上；多个有源柱，沿第一方向和第二方向阵列排布在源极层的顶表面上，且有源柱的延伸方向垂直于源极层的顶表面；多个栅极绝缘层，与有源柱一一对应，且环绕于有源柱的沟道区的外侧壁；多个磁性隧道结，与有源柱一一对应，且设置在有源柱的顶端面上。本公开提供的半导体结构，能够提升存储单元的排布密度，简化磁性随机存储器的制程，提升其性能，并降低其成本。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体存储，尤其涉及一种半导体结构及其制作方法。

技术介绍

1、磁性随机存储器(magnetic random access memory，mram)是一种非易失性(non-volatile)的随机存储器，其拥有高速读取写入能力和高集成度等优点，且基本可以实现无限次地重复写入。

2、磁性随机存储器包括阵列排布的多个存储单元，存储单元一般包括一个晶体管和一个磁性隧道结(magnetic tunnel junction，mtj)，晶体管的栅极连接到存储阵列的字线(word line，wl)，源(漏)极通过源极线(source line，sl)与磁性隧道结的固定层连接，存储阵列的位线(bit line，bl)连接到磁性隧道结的自由层。通过在位线和源极线之间施加不同的电压，产生流过磁性隧道结的电流，完成存储。

3、然而，现有的磁性随机存储器中，存储单元的排布密度低，制程复杂，影响其性能和成本。

技术实现思路

1、为了解决
技术介绍
中提到的至少一个问题，本公开提供一种半导体结构及其制作方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底、所述源极层及所述有源柱分别位于一体成型的半导体基体的下部、中部和上部，所述源极层为经离子注入形成的离子注入层。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底和所述源极层分别位于一体成型的半导体基体的下半部分和上半部分，所述半导体基体上生长有外延层，所述外延层形成所述有源柱；

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述外延层和所述半导体基体的材质不同；

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述源极层为经离子注入形...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底、所述源极层及所述有源柱分别位于一体成型的半导体基体的下部、中部和上部，所述源极层为经离子注入形成的离子注入层。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底和所述源极层分别位于一体成型的半导体基体的下半部分和上半部分，所述半导体基体上生长有外延层，所述外延层形成所述有源柱；

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述外延层和所述半导体基体的材质不同；

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述源极层为经离子注入形成的离子注入层，或者，所述源极层为经扩散形成的扩散层。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底上依次生长有材质不同的第一外延层和第二外延层，所述第一外延层形成所述源极层，所述第二外延层形成所述有源柱。

7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓光，刘晓阳，顾婷婷，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：