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本公开提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构，包括：衬底；源极层，位于衬底上；多个有源柱，沿第一方向和第二方向阵列排布在源极层的顶表面上，且有源柱的延伸方向垂直于源极层的顶表面；多个栅极绝缘层，与有源柱一一对应，且环绕于有源柱的沟道区的...
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