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本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括衬底以及设置于所述衬底一侧的一层或多层阵列结构；每层所述阵列结构包括：多个柱状结构，沿第一方向排布呈行；多个字线，平行间隔设置；所述字线沿所述第一方向延伸，且一条所述字线穿过一行所述柱...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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