一种大功率红外光外延片制造技术

本发明专利技术涉及激光器外延片制备技术领域，具体公开一种大功率红外光外延片。所述外延片的结构层从下到上依次包括：衬底、缓冲层、腐蚀截至层、N侧欧姆接触层、N型粗化层、N型电流扩展层、N型限制层、波导层‑量子阱结构、P型限制层、P型超晶格电流扩展层、接触层；其中，所述波导层‑量子阱结构包括量子阱层及其上、下面上均设置的波导层，该量子阱层中的阱层、垒层材料分别为AlGaInAs、AlGaAsP。本发明专利技术大功率红外外延结构利用相反应力的量子阱AlGaInAs/AlGaAsP加上张应力的AlGaAs/AlGaAsP超晶格电流扩展层实现了应力消除，提升了外延结构的红外光发射功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及激光器外延片制备，具体涉及一种大功率红外光外延片。

技术介绍

1、本专利技术
技术介绍
中公开的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

2、在近年来，led在照明、交通显示、通信、背光灯领域占有重要地位，其中，红外led在近几年迅速发展，红外led属于近红外，随着安防监控领域的发展，近红外led的需求在逐步增多。虹膜识别、人脸识别、车用领域等等的发展，对红外光的功率要求逐渐提高。

3、目前国内的红外led大多数是中小功率，大功率的红外led主要为国外进口，因此，研发大功率红外led很有必要。在现有的led芯片外延结构中，gap与gaas存在较大失配，不容易生长出高质量的gap，呈现电流扩展效果差，透光性不好的现象，导致激光器功率下降。发光区量子阱目前结构大多使用ingaas/algaas，但ingaas与gaas存在应力较大问题，导致量子阱质量较差，功率不高。

4、为解决外延片应力影响，专利cn113224213b在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大功率红外光外延片，其特征在于，所述外延片的结构层从下到上依次包括：衬底、缓冲层、腐蚀截至层、N侧欧姆接触层、N型粗化层、N型电流扩展层、N型限制层、波导层-量子阱结构、P型限制层、P型超晶格电流扩展层、接触层；其中，所述波导层-量子阱结构包括量子阱层及其上、下面上均设置的波导层，该量子阱层中的阱层、垒层材料分别为AlGaInAs、AlGaAsP。

2.根据权利要求1所述的大功率红外光外延片，其特征在于，所述垒层材料为Alx2Ga1-x2Asy1P1-y1，其中，x2的取值范围0.2～0.3，As/P比为3：1。

3.根据权利要求2所述的大功率红外光外延片...

【技术特征摘要】

1.一种大功率红外光外延片，其特征在于，所述外延片的结构层从下到上依次包括：衬底、缓冲层、腐蚀截至层、n侧欧姆接触层、n型粗化层、n型电流扩展层、n型限制层、波导层-量子阱结构、p型限制层、p型超晶格电流扩展层、接触层；其中，所述波导层-量子阱结构包括量子阱层及其上、下面上均设置的波导层，该量子阱层中的阱层、垒层材料分别为algainas、algaasp。

2.根据权利要求1所述的大功率红外光外延片，其特征在于，所述垒层材料为alx2ga1-x2asy1p1-y1，其中，x2的取值范围0.2～0.3，as/p比为3：1。

3.根据权利要求2所述的大功率红外光外延片，其特征在于，所述波导层的材质为alx1ga1-x1as，其中，x1的取值范围0.2～0.3；优选地，所述波导层的厚度为100nm-300nm。

4.根据权利要求1所述的大功率红外光外延片，其特征在于，所述p型超晶格电流扩展层的材质为alx3ga1-x3as/aly2ga1-y2aszp1-z，其中，x3的取值范围为0.1～0.2，y2的取值范围为0.2～0.3，...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓桃，于军，张新，
申请(专利权)人：山东华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：