本发明涉及一种半导体激光器的封装方法，包括以下步骤，在半导体激光器的芯片的制作过程中，对半导体激光器的芯片进行一次扩散处理，然后将半导体激光器的芯片在温度180℃至260℃下进行8至60小时的加热处理，让芯片内部结构进行二次充分扩散。本...

本实用新型涉及生产装置，特别是一种同轴激光器的焊线夹具。包括夹具基底底座、定位盖板。所述定位盖板在所述基底底座上面，所述定位盖板尺寸与所述基底尺寸相适应，所述基底尺寸与所述原有的工作平台尺寸相适应，所述定位盖板与所述基底底座之间采用机械...

本实用新型涉及一种半导体光电特性测试盒，包括测试盒主体，与所述测试盒主体相配合的前板、前盖板、盖板、后板、后盖板，所述前板上带有前板插座定位通孔用于固定测试盒插座，所述测试盒插座上固定有发射激光器，所述前板通过前板配合凸出结构与所述测试...

本发明涉及一种半导体激光器，包括LD芯片、底座、光增透端面和光反射端面，所述光增透端面、LD芯片和光反射端面依次设置在所述底座上，所述LD芯片包括出光端，所述LD芯片的出光端朝向所述光增透端面而设置。本发明易实现，无需担心带来其他不良后...

本发明涉及一种不良芯片筛选方法，包括如下步骤：将共晶之前的芯片放置于载玻片上，再将放置有芯片的载玻片放置于加热台上进行加热处理，待加热完毕将带有芯片的载玻片置于显微镜下进行不良检测，根据检测结果，不合格芯片被筛选剔除，合格芯片进行后续工...