基板处理系统、基板清洗方法技术方案

本发明专利技术涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式设及和存储介质。
技术介绍
一直W来，已知有对于附着于娃晶圆、化合物半导体晶圆等基板的微粒进行去除 的基板清洗装置。例如，专利文献1中公开了，使用面漆液在基板的表面形成处理膜，并将 该处理膜去除，由此将处理膜与基板上的微粒一起去除的基板清洗方法。 现有技术文献 专利文献 阳0化]专利文献1 :日本特开2014-123704号公报
技术实现思路
发巧要解决的间颗 然而，专利文献1记载的方法中，存在如下可能性：例如由于对具有基底膜的基板 进行处理的情况下等的作为处理对象的基板，处理膜不会被充分地去除而不能得到高的微 粒去除性能。 实施方式的一个形式的目的在于提供能够得到高的微粒去除性能的基板处理系 统、基板清洗方法和存储介质。 用于解决间颗的方案 实施方式的一个形式中的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。 该基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氣原子且可溶于有机溶剂的聚合 物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。 发巧的效果 通过实施方式的一个形式，能够得到高的微粒去除性能。【附图说明】 图IA是本实施方式的基板清洗方法的说明图。 图IB是本实施方式的基板清洗方法的说明图。 图IC是本实施方式的基板清洗方法的说明图。 图ID是本实施方式的基板清洗方法的说明图。 图IE是本实施方式的基板清洗方法的说明图。 图2是表示关于现有的面漆液和本实施方式的成膜处理液由基板去除的去除性 的评价结果的图。 图3是表示本实施方式的基板清洗系统的结构的示意图。 图4是表示本实施方式的基板清洗装置的结构的示意图。 图5是表示本实施方式的基板清洗系统所实施的基板清洗处理的处理过程的流 程图。 图6是表示使用可溶于碱的成膜处理液时的去除处理的处理过程的流程图。 图7是表示使用难溶于碱的成膜处理液时的去除处理的处理过程的流程图。 图8是表示使用难溶于碱的成膜处理液时的去除处理的变形例（之1)的流程图。 图9是表示使用难溶于碱的成膜处理液时的去除处理的变形例（之2)的流程图。 图10是表示去除处理的变形例的流程图。 图11是表示使用稀释有机溶剂作为剥离处理液时的去除处理的变形例的流程 图。 图12A是稀释有机溶剂供给处理的说明图（之1)。 图12B是稀释有机溶剂供给处理的说明图（之2)。 图12C是稀释有机溶剂供给处理的说明图（之3)。图13是表示其他实施方式的基板清洗系统所实施的基板清洗处理的处理过程的 流程图。 图14A是第1成膜促进处理的说明图。 图14B是表示实施第1成膜促进处理时的基板清洗系统的结构的示意图。 图15A是第2成膜促进处理的说明图（之1)。 图15B是第2成膜促进处理的说明图（之2)。 图15C是第2成膜促进处理的说明图（之3)。 图15D是表示实施第2成膜促进处理时的基板清洗系统的结构的示意图（之1)。 图15E是表示实施第2成膜促进处理时的基板清洗系统的结构的示意图（之2)。 图15F是表示实施第2成膜促进处理时的基板清洗系统的结构的示意图（之3)。 W40]图16A是第3成膜促进处理的说明图。 图16B是表示实施第3成膜促进处理时的基板清洗系统的结构的示意图。 附图梳巧说巧W晶圆 W44]P微粒1，1'基板清洗系统2输入输出站3处理站 W4引 4控制装置 14基板清洗装置 阳050] 20腔室 21 FFU30基板保持机构 阳05引 40_1，40_2液供给部 45a DIW供给源 阳化5] 4化碱水溶液供给源45c有机溶剂供给源45d DIW供给源 45eIPA供给源 45f前处理液供给源 W60] 45gA+B供给源 4化C供给源 45i稀释有机溶剂供给源 46a~46c, 46g, 46h流量调节器 60烘赔装置 W65] 70热源【具体实施方式】W下，参照附图，对于本专利技术公开的和存储介质的实 施方式详细地进行说明。需要说明的是，本专利技术不限于W下所示的实施方式。 <基板清洗方法的内容> 首先，对于本实施方式的基板清洗方法的内容，使用图IA~图IE进行说明。图 IA~图IE是本实施方式的基板清洗方法的说明图。 如图IA所示，本实施方式的基板清洗方法中，对于娃晶圆、化合物半导体晶圆等 基板（W下，有时也称为"晶圆W")的图案形成面供给"成膜处理液"。 本实施方式的"成膜处理液"是包含有机溶剂、和含有氣原子且可溶于有机溶剂的 聚合物（优选为具有后述式（1)所示的部分结构的聚合物）的基板清洗用组合物。通过使 用所述成膜处理液，能够不依赖基底膜的种类而得到高的微粒去除性能。需要说明的是，聚 合物不限定于具有后述式（1)所示的部分结构的情况，只要含有氣原子则能够得到与上述 同样的效果。 向晶圆W的图案形成面所供给的成膜处理液固化或硬化而成为处理膜。由此，形 成于晶圆W上的图案、附着于图案的微粒P成为被该处理膜覆盖的状态（参照图1B)。需要 说明的是，此处"固化"是指固体化，"硬化"是指分子彼此连接而高分子化（例如，交联、聚 合等）。 接着，如图IB所示，对晶圆W上的处理膜供给剥离处理液。剥离处理液是指使前 述的处理膜由晶圆W剥离的处理液。 剥离处理液供给至处理膜上之后，浸透至处理膜中并到达处理膜与晶圆W的界 面。运样，通过剥离处理液进入到处理膜与晶圆W的界面，由此处理膜W"膜"的状态由晶 圆W剥离，与此相伴，附着于图案形成面的微粒P与处理膜一起由晶圆W剥离（参照图1C)。 此处，例如日本特开2014-123704号公报（专利文献1)中公开了使用面漆液在基 板的表面形成处理膜，并将该处理膜去除，由此将基板上的微粒与处理膜一起去除的基板 清洗方法。面漆液是指为了防止液浸液向抗蚀膜浸渗而涂布于抗蚀膜的表面的保护膜。本实施方式的基板清洗方法中，作为去除上述处理膜的流体，首先，对于将基板上 的处理膜W膜的状态剥离进行说明，但如果使用上述面漆液，则例如由于具有SiN(氮化 娃）膜、TiN(氮化铁）膜等基底膜的基板，会产生处理膜的剥离不足，因此处理膜由基板去 除的去除性不高。目P，存在由于作为处理对象的基板，处理膜不会被充分地去除而微粒去除 性能不能充分地发挥的可能性。 此处，本实施方式的基板清洗方法中，使用前述的基板清洗用组合物作为成膜处 理液。所述成膜处理液与现有的面漆层膜相比较，处理膜由基板去除的去除性高，即便在 将具有SiN膜、TiN膜等基底膜的基板作为处理对象的情况下，也能够得到高的微粒去除性 能。 此处，对于设及现有的面漆液和本实施方式的成膜处理液由基板去除的去除性的 评价结果，参照图2进行说明。图2是表示关于现有的面漆液和本实施方式的成膜处理液 由基板去除的去除性的评价结果的图。 图2中示出对于支撑娃晶圆和SiN晶圆（具有SiN膜的基板），分别形成面漆液的 处理膜和成膜处理液的处理膜之后，作为剥离处理液供给常溫（23~25度左右）的纯水即 DIW时的、各处理膜由基板去除的去除性的评价结果。图2的表中，"0"表示处理膜由基板 去除的去除率为90%W上，"X"表示该去除率为10%W下。 如图2所示，可知现有的面漆液的处理膜虽然在W支撑娃晶圆作为处理对象的情 况下由基板良好地剥离，但在WSiN晶圆作为处理对象的情况本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理系统，其特征在于，具备：保持基板的保持部，该基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于所述有机溶剂的聚合物；和去除液供给部，对所述基板上的处理膜供给用于去除该处理膜的去除液。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：相原明德，吉田祐希，河野央，山下刚秀，菅野至，望田宪嗣，岛基之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP